Diotec GBU6K Silicon-bridge-rectifier Datasheet

GBU6A ... GBU6M
GBU6A ... GBU6M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2010-03-31
–
5.3
5.6
3.6±0.2
18.2±0.2
21.5
±0.1
1.7±0.1
3.4
Nominal current
Nennstrom
±0.7
GBU ...
~ ~ +
1.8
0.5
1.1
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
35...700 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
20.8 x 3.3 x 18 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
2.2
+0.1
6A
7g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
+0.2
- 0.1
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
5.08
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
GBU6A
35
50
GBU6B
70
100
GBU6D
140
200
GBU6G
280
400
GBU6J
420
600
GBU6K
560
800
GBU6M
700
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
40 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
230/250 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
1
2
Tj
TS
M3
260 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
GBU6A ... GBU6M
Characteristics
Kennwerte
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
4.2 A 1)
3.4 A 1)
Max. rectified current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
6.0 A
4.8 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 6 A
VF
< 1.0 V 2)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 10 µA
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Type
Typ
RthC
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [µF]
< 3.3 K/W
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
Rt [Ω]
GBU6A
20000
0.25
GBU6B
10000
0.5
GBU6D
5000
1.0
GBU6G
2500
2.0
GBU6J
1500
3.0
GBU6K
1000
4.0
GBU6M
800
5.5
120
103
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
2
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10-1
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
2
2
250a-(7.5a-1,05v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Valid per diode – Gültig pro Diode
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© Diotec Semiconductor AG
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