Diotec GBI25K Silicon-bridge-rectifier Datasheet

GBI25A ... GBI25M
GBI25A ... GBI25M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2014-09-09
±0.2
2.2
11 ±0.2
20 ±0.2
Type
Typ
5 ±0.2
3.6
2.7
1.0
10
±0.2
4.6
±0.2
Nominal current
Nennstrom
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
30 x 20 x 3.6 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
7g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
0.8
2x7.5
25 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
17.5 ±0.2
±0.2
4 ±0.2
30
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
GBI25A
35
50
GBI25B
70
100
GBI25D
140
200
GBI25G
280
400
GBI25J
420
600
GBI25K
560
800
GBI25M
700
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
60 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
300/340 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
1
2
Tj
TS
M3
450 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
7 ± 10% lb.in.
0.8 ± 10% Nm
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
GBI25A ... GBI25M
Characteristics
Kennwerte
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
4.2 A 1)
3.5 A 1)
Max. rectified current with forced cooling
Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung
TC = 100°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
25.0 A
20.0 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 12.5 A
VF
< 1.1 V 2)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthJA
< 12 K/W 1)
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthJC
< 1.2 K/W
Type
Typ
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [µF]
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
RL [Ω]
GBI25A
20000
0.2
GBI25B
10000
0.4
GBI25D
5000
0.8
GBI25G
2500
1.6
GBI25J
1500
2.4
GBI25K
1000
3.2
GBI25M
800
4.0
103
120
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
102
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
0
TC
50
100
150
[°C]
10-1
0.4
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
1
2
2
270a-(12a-1v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept to ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Valid per diode – Gültig pro Diode
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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