Diotec BZW04-85 Unidirectional and bidirectional transient voltage suppressor diode Datasheet

BZW04-5V8 ... BZW04-376B
BZW04-5V8 ... BZW04-376B
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2005-07-15
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
±0.05
±0.1
6.3
Type
62.5
±0.5
Ø3
Ø 0.8±0.05
Dimensions - Maße [mm]
400 W
Nominal Stand-off voltage
Nominale Sperrspannung
5.8...376 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
DO-15
(DO-204AC)
Weight approx
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
TA = 25°C
PPPM
400 W 1)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
TA = 75°C
PM(AV)
1 W 2)
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
40 A 3)
VBR ≤ 200 V
VBR > 200 V
VF
VF
< 3.0 V 3)
< 6.5 V 3)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
1
IF = 25 A
< 45 K/W
< 15 K/W
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2
3
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BZW04-5V8 ... BZW04-376B
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Breakdown voltage at IT = 1 mA
Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA
*) at / bei IT = 10 mA
VWM [V]
ID [µA]
VBR [V]
BZW04-5V8
5.8
1000
6.8 ± 5%
BZW04-6V4
6.4
500
7.5 ± 5%
BZW04-7V0
7.02
200
BZW04-7V8
7.78
50
BZW04-8V5
8.55
10
BZW04-9V4
9.4
5
BZW04-10
10.2
BZW04-11
BZW04-13
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (10/1000 µs)
VC [V]
IPPM [A]
6.45...7.14 *)
10.5
38.0
7.13...7.88 *)
11.3
35.4
8.2 ± 5%
7.79...8.61 *)
12.1
33.0
9.1 ± 5%
8.65...9.55
13.4
30.0
10 ± 5%
9.5...10.5
14.5
27.6
11 ± 5%
10.5...11.6
15.6
25,7
5
12 ± 5%
11.4...12.6
16.7
24.0
11.1
5
13 ± 5%
12.4...13.7
18.2
22.0
12.8
5
15 ± 5%
14.3...15.8
21.2
19.0
BZW04-14
13.6
5
16 ± 5%
15.2...16.8
22.5
17.8
BZW04-15
15.3
5
18 ± 5%
17.1...18.9
25.2
16.0
BZW04-17
17.1
5
20 ± 5%
19.0...21.0
27.7
14.5
BZW04-19
18.8
5
22 ± 5%
20.9...23.1
30.6
13.0
BZW04-20
20.5
5
24 ± 5%
22.8...25.2
33.2
12.0
BZW04-23
23.1
5
27 ± 5%
25.7...28.4
37.5
10.7
BZW04-26
25.6
5
30 ± 5%
28.5...31.5
41.5
9.6
BZW04-28
28.2
5
33 ± 5%
31.4...34.7
45.7
8.8
BZW04-31
30.8
5
36 ± 5%
34.2...37.8
49.9
8.0
BZW04-33
33.3
5
39 ± 5%
37.1...41.0
53.9
7.4
BZW04-37
36.8
5
43 ± 5%
40.9...45.2
59.3
6.7
BZW04-40
40.2
5
47 ± 5%
44.7...49.4
64.8
6.2
BZW04-44
43.6
5
51 ± 5%
48.5...53.6
70.1
5.7
BZW04-48
47.8
5
56 ± 5%
53.2...58.8
77.0
5.2
BZW04-53
53.0
5
62 ± 5%
58.9...65.1
85.0
4.7
BZW04-58
58.1
5
68 ± 5%
64.6...71.4
92.0
4.3
BZW04-64
64.1
5
75 ± 5%
71.3...78.8
103
3.9
BZW04-70
70.1
5
82 ± 5%
77.9...86.1
113
3.5
BZW04-78
77.8
5
91 ± 5%
86.5...95.5
125
3.2
BZW04-85
85.8
5
100 ± 5%
95.0...105
137
2.9
BZW04-94
94.0
5
110 ± 5%
105...116
152
2.6
BZW04-102
102
5
120 ± 5%
114...126
165
2.4
BZW04-111
111
5
130 ± 5%
124...137
179
2.2
BZW04-128
128
5
150 ± 5%
143...158
207
2.0
BZW04-136
136
5
160 ± 5%
152...168
219
1.8
BZW04-145
145
5
170 ± 5%
162...179
234
1.7
BZW04-154
154
5
180 ± 5%
171...189
246
1.6
BZW04-171
171
5
200 ± 5%
190...210
274
1.5
BZW04-188
188
5
220 ± 5%
209...231
301
1.4
BZW04-213
213
5
250 ± 5%
237...263
344
1.3
BZW04-239
239
5
280 ± 5%
266...294
384
1.2
BZW04-256
256
5
300 ± 5%
285...315
414
1.1
BZW04-273
273
5
320 ± 5%
304...336
438
1.0
BZW04-299
299
5
350 ± 5%
332...368
482
0.9
BZW04-342
342
5
400 ± 5%
380...420
548
0.9
BZW04-376
376
5
440 ± 5%
418...462
603
0.8
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
BZW04-5V8 ... BZW04-376B
120
[%]
tr = 10 µs
100
100
[%]
80
80
60
60
40
40
IPPM/2
PPPM/2
IPP
20
20
PM(AV)
PPP
0
0
0
TA
100
50
150
[°C]
tP
0
Steady state power dissip. vs. ambient temperature )
Dauer-Verlustleistung in Abh. v. d. Umgebungstemp.1)
1
1
2
3
[ms] 4
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
1
102
[kW]
10
1
PPP
0.1
0.1µs
tP
1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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