GSME BAS70 Schottky diode Datasheet

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBAS70
S70
SCHOTTKY DIODE 肖特基二極管(BA
(BAS70
S70))
▉FEATURES 特點
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
Power dissipation 耗散功率
PD(Ta=25℃)
225
mW
Forward Current 正向電流
IF
70
mA
Reverse Voltage 反向電壓
VR
70
V
Junction and Storage Temperature
結溫和儲藏溫度
▉DEVICE MARKING 打標
S70
=BE
BAS70
BA
S70=
-55to+150℃
TJ,Tstg
▉ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃))
Characteristic
特性參數
Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓
(IR=10uA)
Reverse Leakage Current 反向漏電流
(VR=50V)
(VR=70V)
Forward Voltage(Test Condition)正向電壓
IF= 1mAdc
IF= 10mAdc
IF= 15mAdc
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
V(BR)
70
—
V
IR
—
0.1
10
uA
—
410
750
1000
VF
mV
Diode Capacitance 二極體電容
(VR=1V, f=1MHz)
CD
—
2
pF
Reverse Recovery Time 反向恢復時間
Trr
—
5
nS
▉SOT-23 内部结构
1
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Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBAS70
■DIMENSION
外形封裝尺寸
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