Diotec BY4 High voltage silicon rectifier diode Datasheet

BY4 ... BY16
BY4 ... BY16
High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Version 2013-04-03
Nominal current
Nennstrom
7.3±0.3
0.3 A ... 1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
4000...16000 V
66+4.0
22 ±0.5
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 7.3 x 22 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
1.9 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in Reel
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Grenz- und Kennwerte
Rep. peak reverse volt. Surge peak reverse volt. Max. forward current
Period. Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspg.
Dauergrenzstrom
VRRM [V]
VRSM [V]
IFAV [A] 1)
Forward volt.
Durchlass-Spg.
VF [V] 2)
BY4
4000
4000
1.0
< 4.0
BY6
6000
6000
1.0
< 6.0
BY8
8000
8000
0.5
< 8.0
BY12
12000
12000
0.5
< 10.0
BY16
16000
16000
0.3
< 15.0
Leakage Current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 25 K/W 1)
1
2
< 1 µA
< 25 µA
30 A
Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
At / Bei IFAV,Tj = 25°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BY4 ... BY16
120
10
[%]
100
[A]
80
1
BY4
BY6
BY8
BY12
BY16
60
-1
40
10
20
IF
IFAV
0
0
TA
100
50
150
10-2
[°C]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
102
[A]
10
BY4...BY6
îF
BY16
1
1
2
10
10
BY8...BY12
[n]
3
10
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
100
[µA]
10
1
IR
0.1
0
Tj
50
100 [°C] 150
Leakage current vs. junction temp. (typ. values)
Sperrstrom in Abh. v.d. Sperrschichttemp. (typ.)
2
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