SANYO 2SK3944

2SK3944
注文コード No. N 8 3 3 0
2SK3944
N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流
（DC）
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流
（パルス）
IDP
許容損失
PD
チャネル温度
保存周囲温度
条件
定格値
unit
V
60
± 20
2
V
A
8
1
A
W
Tch
3.5
150
W
℃
Tstg
− 55 ∼＋ 150
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(250mm2 × 0.8mm)装着時
Tc=25℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース降伏電圧
記号
条件
定格値
min
60
typ
max
unit
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=1A
ID=1A, VGS=10V
ID=1A, VGS=4V
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
150
19
pF
pF
帰還容量
ターンオン遅延時間
VDS=20V, f=1MHz
指定回路において
13
7
pF
ns
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
Crss
td(on)
tr
td(off)
指定回路において
指定回路において
3.7
19.5
ns
ns
下降時間
tf
指定回路において
12.5
ns
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
単体品名表示：LM
V
VDS=60V, VGS=0V
VGS= ± 16V, VDS=0V
1.2
0.75
1
± 10
µA
µA
2.6
V
S
340
480
mΩ
mΩ
1.5
260
340
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
62005PA MS IM ◎川浦 TB-00001379 No.8330-1/4
2SK3944
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項目
記号
定格値
条件
min
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS=30V, VGS=10V, ID=2A
VDS=30V, VGS=10V, ID=2A
VDS=30V, VGS=10V, ID=2A
ダイオード順電圧
VSD
IS=2A, VGS=0V
typ
4.8
nC
1.0
1.0
nC
nC
0.93
外形図
unit : mm
unit
max
1.2
V
スイッチングタイム測定回路図
7007-003
VDD=30V
VIN
10V
0V
Top View
4.5
ID=1A
RL=30Ω
VOUT
VIN
1.6
1.5
D
1
2
G
4.0
1.0
2.5
PW=10µs
D.C.≦1%
2SK3944
3
P.G
0.4
50Ω
S
0.4
0.5
1.5
3.0
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
Bottom View
SANYO : PCP
3.0V
--25° 25°C
C
V
4.0
6.0V
8.0V
VDS=10V
2.5V
0.3
1.5
1.0
VGS=2.0V
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
Ta=
0.5
--25
°C
0.6
2.0
25°
C
75°
C
ドレイン電流, ID -- A
10.0V
0.9
Ta=
2.5
1.2
ドレイン電流, ID -- A
ID -- VGS
3.0
75°
C
ID -- VDS
1.5
0
1.5
IT07489
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
3.5
4.0
IT07490
No.8330-2/4
RDS(on) -- VGS
600
Ta=25°C
ID=1A
550
500
450
400
350
300
250
200
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
600
550
500
450
400
=1
ID
350
300
VG
A,
4V
S=
V
=10
V GS
1A,
I D=
250
200
150
100
--60
--40 --20
0
20
40
60
80
100
120
140
周囲温度, Ta -- °C
IT09795
yfs -- ID
5
3
160
IT09796
IS -- VSD
7
5
VDS=10V
VGS=0V
3
2
2
5
3
2
3
C
25°
C
--25
°C
C
5°
--2
=
°C 25°C
Ta
75
7
1.0
7
5
2
Ta=
75°
1.0
ソース電流, IS -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
20
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
2SK3944
0.1
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
ドレイン電流, ID -- A
0.6
0.8
1.0
1.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT09797
IT07494
Ciss, Coss, Crss -- VDS
5
f=1MHz
3
3
td(off)
2
2
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
0.01
0.4
5
SW Time -- ID
5
tf
10
td(on)
7
5
tr
3
Ciss
100
7
5
3
Coss
2
Crss
2
1.0
0.1
VDD=30V
VGS=10V
2
3
5
7
2
1.0
3
ドレイン電流, ID -- A
10
7
5
0
10
7
5
ドレイン電流, ID -- A
6
4
2
3
2
2
3
4
総ゲート電荷量, Qg -- nC
5
6
IT09798
20
25
3
2
30
IT07496
IDP=8A
＜10µs
10
1m
ID=2A
DC
1.0
7
5
op
0µ
s
s
m
s
0m
er
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
10
s
ati
on
(T
c=
0.1
7
5
3
2
0
15
ASO
2
8
1
10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VDS=30V
ID=2A
0
5
IT07495
VGS -- Qg
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
3
25
°C
)
Tc=25°C
0.01 1パルス
2 3
0.1
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
5 7 100
IT09799
No.8330-3/4
2SK3944
PD -- Ta
1.2
PD -- Tc
4.0
3.5
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
(2
50
m
m2
×
0.8
m
m
)装
着
時
0.8
0.6
0.4
0.2
3.0
許容損失, PD -- W
許容損失, PD -- W
1.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT09800
0
20
40
60
80
100
120
140
ケース温度, Tc -- °C
160
IT09794
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PS No.8330-4/4