SANYO 5HN02N

注文コード No. N 6 5 3 4
5HN02N
No. N 6 5 3 4
71000
新
5HN02N
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
ID
IDP
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
unit
50
± 20
V
V
0.2
0.8
A
A
PD
Tch
0.4
150
W
℃
Tstg
− 55 ∼+ 150
℃
min
50
max
unit
V
10
± 10
µA
µA
2.4
V
S
2.3
3.2
Ω
Ω
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS=50V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 16V, VDS=0
typ
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=100µA
VDS=10V, ID=100mA
1
0.22
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=100mA, VGS=10V
ID=50mA, VGS=4V
1.8
2.3
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
22
12
帰還容量
Crss
VDS=10V, f=1MHz
4.6
0.31
pF
pF
pF
次ページへ続く。
外形図 2178
(unit:mm)
5.0
4.0
5.0
4.0
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
0.6
2.0
0.45
0.5
0.45
0.44
14.0
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途(生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
1
1.3
2
1 : Source
2 : Drain
3 : Gate
3
1.3
SANYO:NP
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
71000 TS寿◎小野田
IM ◎祝田 TA-2939
62797GI
BX-0698 No.6534-1/4
5HN02N
前ページより続く。
min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
typ
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
指定回路において
〃
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=10V, ID=200mA
1.86
0.28
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS=200mA, VGS=0
0.45
0.83
max
unit
12
12
ns
ns
〃
〃
260
110
ns
ns
nC
nC
1.2
nC
V
3.0
3.5
単体品名表示:YF
スイッチングタイム測定回路図
VDD=25V
VIN
10V
0V
ID=100mA
RL=250Ω
VIN
PW=10µs
D.C.≦1%
D
VOUT
G
5HN02N
P.G
S
ID -- VDS
ID -- VGS
0.40
VDS=10V
6.0V
0.35
V
3 .0
4 .0
0.10
2.5V
0.08
0.06
0.25
0.20
0.15
0.10
0.04
0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0.9
1.0
RDS(on) -- VGS
6
Ta=25°C
5
4
ID=100mA
3
50mA
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0
0.5
1.0
9
10
IT00252
1.5
2.0
2.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT00250
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
C
0.05
VGS=2.0V
25°
0.02
°C
0.12
0.30
5°C
0.14
ドレイン電流, ID -- A
10.0
V
0.16
Ta=
7
8.0V
V
0.18
--25
0.20
ドレイン電流, ID -- A
50Ω
IT00251
RDS(on) -- ID
10
VGS=10V
7
5
3
Ta=75°C
25°C
2
--25°C
1.0
0.01
2
3
5
7
0.1
ドレイン電流, ID -- A
2
3
5
IT00253
No.6534-2/4
RDS(on) -- ID
10
VGS=4V
7
5
Ta=75°C
3
25°C
2
--25°C
2
3
5
7
2
0.1
3
3.5
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT00255
IF -- VSD
VGS=0
7
5
5
--2
Ta=
2
5 °C
3
75°
C
C
25°
0.1
7
5
2
0.1
7
5
3
3
2
2
C
25°C
--25°C
3
0.01
0.01
=4V
V GS
,
V
A
=10
50m
, VGS
I D=
A
m
100
I D=
3.0
1.0
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
4.0
周囲温度, Ta -- °C
VDS=10V
7
0.01
2
3
5
7
2
0.1
3
ドレイン電流, ID -- A
0
5
IT00256
SW Time -- ID
1000
7
5
0.8
1.0
1.4
1.2
IT00257
f=1MHz
5
tf
td(on)
tr
10
7
5
0.6
7
100
7
5
3
2
0.4
Ciss, Coss, Crss -- VDS
100
VDD=25V
VGS=10V
td(off)
3
2
0.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
4.5
IT00254
yfs -- ID
1.0
5
RDS(on) -- Ta
5.0
Ta=75°
1.0
0.01
ドレイン電流, ID -- A
3
2
3
Ciss
2
10
Coss
7
5
Crss
3
2
1.0
0.01
1.0
2
3
5
7
2
0.1
ドレイン電流, ID -- A
3
0
5
10
15
20
25
30
35
40
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT00258
VGS -- Qg
10
45
50
IT00259
PD -- Ta
0.5
VDS=10V
ID=200mA
9
8
0.4
7
許容損失, PD -- W
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
5HN02N
6
5
4
3
2
0.3
0.2
0.1
1
0
0
0
0.5
1.0
1.5
総ゲート電荷量, Qg -- nC
2.0
2.5
IT00260
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT01986
No.6534-3/4
5HN02N
取り扱い上の注意:本製品は、高速スイッチング用ですから、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.6534-4/4