SANYO CPH6602

注文コード No. N 7 1 4 5
CPH6602
No.
N7145
11502
新
CPH6602
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
・MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
VDSS
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
VGSS
ID
ドレイン電流（パルス）
許容損失
IDP
PD
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
20
± 10
2.0
V
A
8.0
0.9
A
W
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
min
max
unit
1
V
µA
± 10
1.3
µA
V
130
S
mΩ
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=20V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 8V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
yfs
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1A
ID=1A, VGS=4V
RDS(on)2
ID=0.5A, VGS=2.5V
unit
V
typ
20
0.4
2.4
3.5
100
130
180 mΩ
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単体品名表示：FM
0.15
2.9
2
3
5
Top view
1.6
0.05
0.6
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
4
0.6
6
2.8
4
1
2
3
0.95
0.7
0.9
1
5
0.2
6
0.2
外形図 2202
(unit : mm)
電気的接続図
0.4
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
SANYO : CPH6
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
11502 TS IM ◎佐藤 TA-3452 No.7145-1/4
CPH6602
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min
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
ターンオン遅延時間
Crss
td(on)
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
tr
td(off)
下降時間
総ゲート電荷量
typ
max
unit
190
40
pF
pF
25
9
pF
ns
〃
〃
25
25
ns
ns
tf
Qg
〃
18
2.7
ns
nC
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS=10V, VGS=4V, ID=2A
0.6
0.6
nC
nC
ダイオード順電圧
VSD
IS=2A, VGS=0
0.87
1.2
V
スイッチングタイム測定回路図
VDD=10V
VIN
4V
0V
ID=1A
RL=10Ω
VOUT
VIN
D
PW=10µs
D.C.≦1%
G
CPH6602
P.G
50Ω
ID -- VDS
VDS=10V
VGS=1.5V
2.5
6.0V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0.9
1.0
RDS(on) -- VGS
300
Ta=25°C
250
200
1.0A
ID=0.5A
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0
0.4
9
10
IT02689
0.8
1.2
1.6
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT02687
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
150
--2
5
0.2
C
ドレイン電流, ID -- A
2.5V
1.4
25°
3.0V
°C
4.0V
1.6
Ta
=75
°C
2.0
1.8
ID -- VGS
3.0
V
2.0
ドレイン電流, ID -- A
S
2.0
IT02688
RDS(on) -- Ta
250
200
V
=2.5
, VGS
150
.5A
I D=0
100
.0A
I D=1
=4.0V
, V GS
50
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT02690
No.7145-2/4
CPH6602
yfs -- ID
10
2
2
Ta
°C
25
= --
°C
25
°C
75
1.0
7
5
2
0.1
7
5
2
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
ドレイン電流, ID -- A
0.01
5
0
5
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IT02692
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
f=1MHz
7
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
td(off)
3
2
tf
td(on)
10
7
tr
5
0.4
ダイオード順電圧, VSD -- V
VDD=10V
VGS=4V
7
0.2
IT02691
SW Time -- ID
100
スイッチングタイム, SW Time -- ns
3
3
2
0.01
3
3
Ciss
2
100
7
5
Coss
3
Crss
2
2
1.0
0.1
10
2
3
5
7
2
1.0
3
ドレイン電流, ID -- A
5
0
10
7
5
VDS=10V
ID=2A
ドレイン電流, ID -- A
3
2
1
3
2
1.0
7
5
3
2
0
1
2
3
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT04054
PD -- Ta
1.0
0.9
セ
0.8
ラ
ミ
ッ
ク
基
0.6
板
(9
00
m
0.4
m2
×
0.
8m
m
0.2
)装
着
時
1u
ni
10
15
20
IT02694
ASO
＜10µs
1m
IDP=8A
s
10
ID=2A
DC
10
0m
s
ms
op
er
Operation in this
at
area is limited by RDS(on). ion
0.1
7
5
3
2
0
5
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT02693
VGS -- Qg
4
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
1.0
7
5
Ta=7
5°C
25°C
--25°C
3
3
許容損失, PD -- W
VGS=0
3
5
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
7
IF -- VSD
10
7
5
VDS=10V
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit
0.01
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2
3
t
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
5
IT04055
160
IT04056
No.7145-3/4
CPH6602
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PS No.7145-4/4