SANYO ECH8607

注文コード No. N 7 3 0 0
ECH8607
No. N 7 3 0 0
O3002
新
ECH8607
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
ロードスイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
ID
IDP
許容損失
全損失
PD
PT
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
unit
30
± 10
V
V
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
5
40
A
A
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
1.3
1.5
W
W
150
− 55 ∼+ 150
℃
℃
min
max
unit
1
V
µA
± 10
1.3
µA
V
36
S
mΩ
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=30V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 8V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
yfs
RDS(on)1
VDS=10V, ID=2.5A
ID=3A, VGS=4V
RDS(on)2
ID=1.5A, VGS=2.5V
typ
30
0.5
5.9
8.5
27
35
51 mΩ
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単体品名表示:KG
2
3
4
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
外形図 2206
(unit : mm)
0.25
5
0.3
5
6
7
8
2
1
0.15
2.3
6
(Top view)
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途(生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
4
3
0.07
1
7
0.25
8
2.8
電気的接続図
(Side view)
0.65
2.9
8
7
6
5
(Bottom view)
0.9
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
(Side view)
1
2
3 4
0.65
(Top view)
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
SANYO:ECH8
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
O3002 TS IM ◎佐藤 TA-100282 No.7300-1/4
ECH8607
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min
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
ターンオン遅延時間
typ
max
unit
730
210
pF
pF
Crss
td(on)
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
100
20
pF
ns
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
tr
td(off)
〃
〃
110
80
ns
ns
下降時間
総ゲート電荷量
tf
Qg
〃
64
21
ns
nC
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS=10V, VGS=10V, ID=5A
1.8
2.5
nC
nC
ダイオード順電圧
VSD
IS=5A, VGS=0
0.84
1.2
V
スイッチングタイム測定回路図
VDD=15V
VIN
4V
0V
ID=2.5A
RL=6Ω
VOUT
VIN
D
PW=10µs
D.C.≦1%
G
ECH8607
P.G
50Ω
ID -- VDS
V
9
4.0V
8
5
4
3
VGS=1.5V
4
3
2
1
1
0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0.9
1.0
RDS(on) -- VGS
70
Ta=25°C
60
50
ID=3A
1.5A
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0.5
9
10
IT04398
1.0
1.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT04396
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
5
25°
2
6
--25°C
6
7
C
7
75°
C
ドレイン電流, ID -- A
8
ID -- VGS
VDS=10V
Ta=
9
10
2.0
3.5V
3.0V
2.5
V
10
ドレイン電流, ID -- A
S
2.0
IT04397
RDS(on) -- Ta
60
50
V
=2.5
VGS
,
A
1.5
I D=
4.0V
S=
VG
,
A
I D=3
40
30
20
10
0
--50
--25
0
25
50
75
周囲温度, Ta -- °C
100
125
150
IT04399
No.7300-2/4
ECH8607
yfs -- ID
5
C
25°
C
3
2
3
5
7
2
1.0
3
5
7
ドレイン電流, ID -- A
td(off)
7
tf
tr
3
td(on)
2
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
IT04401
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
f=1MHz
2
Ciss, Coss, Crss -- pF
2
5
0.4
ダイオード順電圧, VSD -- V
VDD=15V
VGS=4V
100
0.3
IT04400
SW Time -- ID
3
スイッチングタイム, SW Time -- ns
2
10
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
0.2
1.0
2
1.0
7
5
3
2
--25
°C
75°
5
°C
°C
°C
7
--25
25
Ta=
Ta
=75
10
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
2
5
0.1
1000
Ciss
7
5
3
Coss
2
Crss
100
7
5
10
0.1
3
2
3
5
7
2
1.0
3
ドレイン電流, ID -- A
5
7
0
100
7
5
3
2
ドレイン電流, ID -- A
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
総ゲート電荷量, Qg -- nC
25
IT04404
PD -- Ta
1.8
4
6
8
10
12
14
16
18
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VDS=10V
ID=5A
9
2
IT04402
VGS -- Qg
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VGS=0
10
7
5
3
2
3
7
許容損失, PD -- W
IF -- VSD
3
2
VDS=10V
10
7
5
3
2
ASO
IDP=40A
<10µs
1m
s
10
ID=5A
DC
ms
10
0m
s
op
er
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
20
IT04403
ati
on
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
0.01
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
IT04405
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
全
1.0
1u
0.8
ni
損
失
t
0.6
0.4
0.2
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT04406
No.7300-3/4
ECH8607
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が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
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保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.7300-4/4