注文コード No. N 7 4 0 7 ECH8609 No. N 7 4 0 7 22004 新 ECH8609 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗、超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ N-channel ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 VDSS VGSS ドレイン電流（DC） ドレイン電流（パルス） ID IDP PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% 許容損失 全損失 PD PT セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 チャネル温度 保存周囲温度 Tch Tstg P-channel unit 30 ± 20 − 30 ± 20 V V 6 40 −4 − 40 A A 1.3 1.5 W W 150 − 55 ∼＋ 150 ℃ ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ［N-channel］ ドレイン・ソース降伏電圧 min 30 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 IDSS IGSS VDS=30V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス VGS(off) yfs VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=3A ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 RDS(on)2 ID=2A, VGS=10V ID=1A, VGS=4V typ 1.0 3.3 max unit V 1 ± 10 µA µA 2.4 V S 34 75 mΩ mΩ 5 25 52 次ページへ続く。 単体品名表示：FB 外形図 2206A 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 4 0.65 2.9 Top View Bottom View 0.07 1 0.9 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途（生命維持装置、航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 0.15 0.25 2.3 5 2.8 0.3 8 0.25 (unit : mm) 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 SANYO：ECH8 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 22004 TS IM ◎佐藤 TA-100432 No.7407-1/6 ECH8609 前ページより続く。 min 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 ターンオン遅延時間 Crss td(on) VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 指定回路において 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 tr td(off) 下降時間 総ゲート電荷量 typ max unit 510 105 pF pF 70 15 pF ns 〃 〃 74 43 ns ns tf Qg 〃 37 11 ns nC ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd VDS=10V, VGS=10V, ID=6A 1.9 2.9 nC nC ダイオード順電圧 VSD IS=6A, VGS=0 ［P-channel］ ドレイン・ソース降伏電圧 0.85 1.2 V typ max unit V −1 ± 10 µA µA − 2.4 V S min − 30 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 V(BR)DSS IDSS IGSS ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 30V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス VGS(off) yfs ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 RDS(on)2 VDS= − 10V, ID= − 1mA VDS= − 10V, ID= − 2A ID= − 2A, VGS= − 10V ID= − 1A, VGS= − 4V 入力容量 出力容量 Ciss Coss VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 550 120 pF pF 帰還容量 ターンオン遅延時間 VDS= − 10V, f=1MHz 指定回路において 90 13 pF ns 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 Crss td(on) tr td(off) 〃 〃 110 65 ns ns 下降時間 総ゲート電荷量 tf Qg 〃 75 14 ns nC ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A 2.2 2.5 nC nC ダイオード順電圧 VSD IS= − 4A, VGS=0 スイッチングタイム測定回路図 ［N-channel］ 50 87 − 0.88 67 120 mΩ mΩ − 1.2 VDD= --15V VIN 10V 0V 0V --10V ID=3A RL=5Ω VIN D ID= --2A RL=7.5Ω VIN D VOUT PW=10µs D.C.≦1% VOUT PW=10µs D.C.≦1% G G P.G 5 ［P-channel］ VDD=15V VIN − 1.0 3.3 50Ω S P.G 50Ω S No.7407-2/6 V ECH8609 電気的接続図 D1 D1 D2 D2 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 (Top view) ID -- VDS --4.0 --6.0V 4V 10V 3 2 VGS=3V --3.0 [Pch] --2.5 --10.0 V ドレイン電流, ID -- A 4 --8.0V --3.5 5V 6V 8 V 5 [Nch] --4.0 V G2 ID -- VDS 6 ドレイン電流, ID -- A S2 V G1 --5.0 S1 --2.0 .5V V GS= --2 --1.5 --1.0 1 --0.5 0 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V ID -- VGS 10 0.9 0 1.0 [Nch] --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 IT05594 ID -- VGS [Pch] VDS= --10V --9 7 6 5 4 1 --5 --4 --3 --2 25°C 2 --6 Ta= 3 --7 75° C --25° C ドレイン電流, ID -- A --8 Ta= 75°C --25° C 25°C ドレイン電流, ID -- A --0.3 --10 8 --1 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 5.0 [Nch] Ta=25°C 100 80 ID=1A 2A 60 40 20 0 0 2 4 6 8 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 0 --0.5 10 12 IT05597 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT05595 RDS(on) -- VGS 120 4.5 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ --0.2 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V VDS=10V 9 --0.1 IT05593 RDS(on) -- VGS 180 --4.0 IT05596 [Pch] Ta=25°C 160 140 120 100 ID= --1A --2A --2 --4 80 60 40 20 0 0 --6 --8 --10 ゲート・ソース電圧, VGS -- V --12 IT05598 No.7407-3/6 RDS(on) -- Ta [Nch] 70 =4V A, VGS I D=1 50 40 10V , V S= I D=2A G 30 20 10 0 --50 --25 0 25 50 75 100 125 周囲温度, Ta -- °C [Nch] 3 10 °C --25 Ta= C C 75° 25° 2 1.0 7 5 3 2 0.1 0.1 2 3 5 7 2 1.0 3 5 7 ドレイン電流, ID -- A IF -- VSD 20 0 --50 0.6 0.7 0.9 1.0 1.2 100 7 td(off) 5 3 tr tf 2 td(on) 10 7 5 3 2 0.1 2 3 5 7 1.0 2 ドレイン電流, ID -- A 3 5 7 IT05605 150 IT05600 [Pch] Ta= C --25° 75°C 25°C 3 2 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 IT05602 IF -- VSD [Pch] VGS=0 --0.1 7 5 3 2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 ダイオード順電圧, VSD -- V スイッチングタイム, SW Time -- ns 2 125 VDS= --10V --0.01 7 5 3 2 --0.001 --0.2 [Nch] VDD=15V VGS=10V 100 yfs -- ID IT05603 SW Time -- ID 3 1.1 75 1.0 7 5 3 2 順電流, IF -- A 0.8 ダイオード順電圧, VSD -- V 50 ドレイン電流, ID -- A [Nch] VGS=0 75 ° C 25° C --25° C 0.5 25 3 2 --1.0 7 5 3 2 0.4 0 10 7 5 1.0 7 5 3 2 0.3 --25 3 2 --10 7 5 3 2 0.01 7 5 3 2 0.001 0.2 スイッチングタイム, SW Time -- ns 40 10 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 --10V , V GS= I D= --2A 60 0.1 --0.1 2 10 IT05601 Ta= 順電流, IF -- A 3 2 80 100 7 5 順伝達アドミタンス, yfs -- S 順伝達アドミタンス, yfs -- S 2 3 = --4V A, V GS I D= --1 100 周囲温度, Ta -- °C VDS=10V 7 5 120 IT05599 yfs -- ID 5 150 [Pch] 75° C 25° C --25° C 60 RDS(on) -- Ta 140 Ta= 80 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ECH8609 --1.2 IT05604 SW Time -- ID 1000 7 5 --1.1 [Pch] VDD= --15V VGS= --10V 3 2 tr td(off) 100 7 5 3 2 tf td(on) 10 7 5 3 2 1.0 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 ドレイン電流, ID -- A 3 5 7 IT05606 No.7407-4/6 ECH8609 Ciss, Coss, Crss -- VDS 2 [Nch] Ciss, Coss, Crss -- VDS 3 f=1MHz [Pch] f=1MHz 2 1000 7 Ciss, Coss, Crss -- pF Ciss, Coss, Crss -- pF 1000 Ciss 5 3 2 Coss Crss 100 7 7 5 3 2 7 5 2 10 2 0 5 10 15 20 25 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 0 --5 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 7 6 5 4 3 2 --15 --20 --25 --30 IT05608 VGS -- Qg --10 [Pch] VDS= --10V ID= --4A --9 8 --10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V [Nch] VDS=10V ID=6A 9 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 30 IT05607 VGS -- Qg 10 --8 --7 --6 --5 --4 --3 --2 --1 1 0 100 7 5 3 2 2 4 6 8 10 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT05609 ASO [Nch] IDP=40A ＜10µs 1m 10 7 5 3 2 s ID=6A 10 m DC 1.0 7 5 3 2 10 s 0m s op er ati on Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 0.01 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT05611 PD -- Ta [Nch, Pch共通] 2.0 0 12 --100 7 5 3 2 ドレイン電流, ID -- A ドレイン電流, ID -- A Crss 3 3 0.1 7 5 3 2 Coss 100 5 0 Ciss --10 7 5 3 2 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 0 2 4 6 8 10 12 14 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT05610 ASO [Pch] IDP= --40A ＜10µs 1m s 10 ID= --4A m 10 DC Operation in this area is limited by RDS(on). s 0m s op er ati on Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 --0.01 --0.01 2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7 --10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 2 3 セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1.8 許容損失, PD -- W 1.6 1.4 1.2 全 1.0 損 失 0.8 1u nit 0.6 0.4 0.2 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 5 IT05612 160 IT05582 No.7407-5/6 ECH8609 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7407-6/6