SANYO MCH3420

MCH3420
注文コード No. N 8 2 2 1
MCH3420
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流
(DC)
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流
(パルス)
許容損失
IDP
PD
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
条件
定格値
unit
V
100
± 20
0.5
V
A
2
0.8
A
W
150
− 55 ∼+ 150
℃
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=100V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
VDS=10V, ID=250mA
ID=250mA, VGS=10V
入力容量
RDS(on)2
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ID=250mA, VGS=4V
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
td(on)
tr
td(off)
tf
ドレイン・ソース間オン抵抗
ターンオフ遅延時間
下降時間
単体品名表示:KV
条件
min
定格値
typ
max
100
1.2
0.4
0.8
1.4
1.8
80
unit
1
V
µA
± 10
2.2
µA
V
1.85
S
Ω
2.5
Ω
pF
6.5
4
pF
pF
指定回路において
指定回路において
6
8
ns
ns
指定回路において
指定回路において
14
8
ns
ns
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
21005PE TS IM ◎川浦 TA-100986 No.8221-1/4
MCH3420
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項目
記号
定格値
条件
min
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS=50V, VGS=10V, ID=0.5A
VDS=50V, VGS=10V, ID=0.5A
VDS=50V, VGS=10V, ID=0.5A
ダイオード順電圧
VSD
IS=0.5A, VGS=0
外形図
unit : mm
typ
3.2
unit
max
nC
0.6
0.6
nC
nC
0.87
1.2
V
スイッチングタイム測定回路図
2167A
VDD=50V
VIN
0.25
0.3
10V
0V
0.15
ID=0.25A
RL=200Ω
VIN
1.6
D
0.25
2
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
1
0.07
2.1
3
0.65
G
2.0
3
(Bottom view)
MCH3420
0.85
1
Ta
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
Ta=25°C
ID=0.25A
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0.5
18
20
IT05987
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT05985
RDS(on) -- VGS
4.0
0
1.6
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
--25
0.2
0.1
°C
0.4
°C
75°
C
3.5
0.2
0.6
=25
ドレイン電流, ID -- A
5.0
0.8
V
8.0
VDS=10V
V
V
VGS=3.0V
10V
0.3
ID -- VGS
1.0
4.0
V
6.0
V
0.4
S
SANYO : MCPH3
ID -- VDS
0.5
50Ω
2
(Top view)
ドレイン電流, ID -- A
P.G
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
4.0
IT05986
RDS(on) -- Ta
4.0
3.5
3.0
2.5
,
25A
2.0
0.
I D=
1.5
0
I D=
1.0
=4V
V GS
V
10
S=
, VG
A
5
.2
0.5
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT05988
No.8221-2/4
MCH3420
yfs -- ID
VDS=10V
5
5°C
75
5
3
°C
5°C
2
3
2
0.1
2
3
5
7
2
0.1
3
5
7
5
0.01
0.2
1.0
0.4
td(off)
tf
10
tr
7
f=1MHz
Ciss
5
3
2
10
3
0.1
5
3
2
1.0
2
3
5
7
ドレイン電流, ID -- A
0
1.0
IT09131
ドレイン電流, ID -- A
8
6
4
2
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
総ゲート電荷量, Qg -- nC
3.5
IT05993
PD -- Ta
1.0
0.8
15
20
25
IDP=2A
1.0
7
5
ID=0.5A
<10µs
10
0µ
s
1m
s
10
D
m
C
s
op
er
1
at
io 00m
n(
Ta s
=2
5°
C)
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
30
IT05992
ASO
3
2
3
2
0.5
10
5
VDS=50V
ID=0.5A
0
5
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS -- Qg
10
Coss
Crss
7
td(on)
5
1.2
IT05990
7
Ciss, Coss, Crss -- pF
2
1.0
2
100
3
0.8
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
VDD=50V
VGS=10V
5
0.6
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT09130
SW Time -- ID
7
スイッチングタイム, SW Time -- ns
7
2
5
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0.1
3
7
3
0.01
許容損失, PD -- W
2
--25°
C
7
5°C
25°C
--2
Ta=
1.0
VGS=0
7
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
2
IF -- VSD
1.0
Ta = 7
3
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
0.001
0.01 2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
5 7100 2
IT09164
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
0.6
板
(9
00
0.4
m
m2
×
0.8
m
m
)装
着
0.2
時
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT09165
No.8221-3/4
MCH3420
取り扱い上の注意:本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
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PS No.8221-4/4