SANYO MCH3443

注文コード No. N 7 5 3 1
MCH3443
No.
N7531
22004
新
MCH3443
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
ID
IDP
許容損失
チャネル温度
PD
Tch
保存周囲温度
Tstg
unit
30
± 12
V
V
1.5
6
A
A
0.8
150
W
℃
− 55 ∼＋ 150
℃
min
30
max
unit
V
1
± 10
µA
µA
1.3
V
S
215
295
mΩ
mΩ
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1％
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS=30V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 8V, VDS=0
typ
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=800mA
0.4
1.3
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=800mA, VGS=4V
ID=400mA, VGS=2.5V
165
210
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
130
22
帰還容量
Crss
VDS=10V, f=1MHz
16
2.2
pF
pF
pF
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単体品名表示：ZU
外形図 2167A
(unit : mm)
0.25
0.3
0.15
0.07
1.6
1
0.65
2.0
3
(Bottom view)
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
0.85
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
2
0.25
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
2.1
3
1
2
(Top view)
SANYO : MCPH3
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
22004 TS IM ◎佐藤 TA-100400 No.7531-1/4
MCH3443
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min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
typ
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=4V, ID=1.5A
2.2
0.52
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS=1.5A, VGS=0
0.52
0.9
max
unit
指定回路において
〃
9
20
ns
ns
〃
〃
23
29
ns
ns
nC
nC
nC
V
1.2
スイッチングタイム測定回路図
VDD=15V
VIN
4V
0V
ID=800mA
RL=18.75Ω
VIN
D
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
P.G
MCH3443
50Ω
S
25° 25°
C
C
1.8
0.6
0.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0.9
Ta=25°C
450
350
A
A
ID=800m
ID=400m
400
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0.5
10
IT06104
1.0
1.5
2.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT06102
RDS(on) -- VGS
500
0
1.0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
75
0.2
VGS=1.0V
0
--25
°C
0.8
1.4
°C Ta=2
5°C
1.5V
4.0V
1.0
ドレイン電流, ID -- A
2.5
1.2
VDS=10V
Ta=
1.6
V
3.0V
1.4
ドレイン電流, ID -- A
ID -- VGS
2.0
75°
C
ID -- VDS
1.6
2.5
IT06103
RDS(on) -- Ta
500
450
400
350
300
V
=2.5
VGS
,
A
400m
=4V
I D=
A, VGS
00m
8
=
ID
250
200
150
100
50
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT06105
No.7531-2/4
MCH3443
yfs -- ID
10
5
C
25°
5°C
2
=2
Ta
1.0
C
75°
7
5
3
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
0.1
7
5
0.01
0.2
5
100
7
5
td(off)
2
tf
10
7
5
td(on)
tr
0.6
1.0
1.1
1.2
IT06107
3
2
Ciss
100
7
5
3
Coss
Crss
2
10
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
ドレイン電流, ID -- A
5 7 10
IT06108
0
5
10
15
20
25
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS -- Qg
10
7
5
ASO
IDP=6A
<10µs
ドレイン電流, ID -- A
2.0
1.5
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
総ゲート電荷量, Qg -- nC
2.5
IT06110
PD -- Ta
1.0
0.8
10
D
C
s
er
at
0.1
7
5
s
s
0m
op
3
2
2
0
m
1.0
7
5
3
0.5
10
ID=1.5A
s
2.5
2
0µ
1m
3
3.0
30
IT06109
10
VDS=10V
ID=1.5A
3.5
0.9
f=1MHz
2
4.0
0.8
5
3
1.0
0.01
0.7
7
3
2
0.5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
VDD=15V
VGS=4V
3
0.4
ダイオード順電圧, VSD -- V
SW Time -- ID
1000
7
5
0.3
IT06106
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
3
2
3
2
2
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
1.0
7
5
Ta=
75°
C
25°
C
--25
°C
3
0.1
0.01
許容損失, PD -- W
VGS=0
3
2
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
7
IF -- VSD
10
7
5
VDS=10V
io
n
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
0.01
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
0.6
板
(9
00
m
0.4
m2
×
0.8
m
m
)装
着
時
0.2
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
5
IT06111
160
IT06112
No.7531-3/4
MCH3443
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PS No.7531-4/4