MCH6933 注文コード No. N 8 0 3 8 TR : PNP エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ FET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ MCH6933 パワーマネージメントスイッチ用 特長 ・PNP トランジスタと N-ch MOSFET を 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・超小型パッケージのため、セットの小型化 , 薄型化が可能である。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 記号 [TR 部] コレクタ・ベース電圧 条件 定格値 unit VCBO VCEO VEBO − 15 V コレクタ・エミッタ電圧 エミッタ・ベース電圧 − 12 −5 V V コレクタ電流 コレクタ電流 （パルス） IC ICP − 0.5 −1 A A コレクタ損失 接合部温度 PC Tj 0.5 150 W ℃ 30 V [FET 部] ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流 VDSS VGSS ID ドレイン電流 （パルス） 許容損失 IDP PD チャネル温度 [共通定格] Tch 全損失 保存周囲温度 PT Tstg セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit ± 10 150 V mA 600 0.5 mA W 150 ℃ 0.55 − 55 ∼＋ 150 W ℃ PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1％ セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 記号 条件 定格値 min typ max unit [TR 部] コレクタしゃ断電流 エミッタしゃ断電流 ICBO IEBO VCB= − 12V, IE=0 VEB= − 4V, IC=0 直流電流増幅率 利得帯域幅積 hFE fT VCE= − 2V, IC= − 10mA VCE= − 2V, IC= − 50mA 出力容量 Cob VCB= − 10V, f=1MHz 単体品名表示：EY − 100 − 100 300 nA nA 700 490 4 MHz pF 次ページへ続く。 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 12805EA TS IM ◎川浦 TB-00001163 No.8038-1/6 MCH6933 前ページより続く。 項目 記号 [TR 部] コレクタ・エミッタ飽和電圧 定格値 条件 min typ max unit VCE(sat) VBE(sat) V(BR)CBO IC= − 200mA, IB= − 10mA − 150 − 300 ベース・エミッタ飽和電圧 コレクタ・ベース降伏電圧 IC= − 200mA, IB= − 10mA IC= − 10µA, IE=0 − 0.9 − 15 V V コレクタ・エミッタ降伏電圧 エミッタ・ベース降伏電圧 V(BR)CEO V(BR)EBO IC= − 1mA, RBE= ∞ IE= − 10µA, IC=0 − 12 −5 V V ターンオン時間 蓄積時間 ton tstg 指定回路において 指定回路において 30 57 ns ns 下降時間 [FET 部] tf 指定回路において 30 ns ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 V(BR)DSS IDSS ID=1mA, VGS=0 VDS=30V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 IGSS VGS(off) 順伝達アドミタンス yfs RDS(on)1 VGS= ± 8V, VDS=0 VDS=10V, ID=100µA VDS=10V, ID=80mA ID=80mA, VGS=4V ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)2 RDS(on)3 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 ターンオン遅延時間 − 1.2 10 V µA ± 10 1.3 µA V 0.22 2.9 3.7 S Ω ID=40mA, VGS=2.5V ID=10mA, VGS=1.5V 3.7 6.4 5.2 12.8 Ω Ω 7.0 5.9 pF pF 2.3 19 pF ns 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 Crss td(on) tr td(off) VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 指定回路において 指定回路において 指定回路において 65 155 ns ns 下降時間 総ゲート電荷量 tf Qg 指定回路において VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA 120 1.58 ns nC ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd 0.26 0.31 nC nC ダイオード順電圧 VSD VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA IS=150mA, VGS=0 外形図 unit : mm 30 mV 0.4 0.15 0.87 1.2 V 電気的接続図 0.25 2236 0.3 5 6 3 2 0.65 1 5 4 1 : Source 2 : Gate 3 : Collector 4 : Emitter 5 : Base 6 : Drain 1 2 3 Top view 0.07 1.6 2.0 6 5 4 1 2 3 (Bottom view) 0.85 0.25 2.1 4 6 0.15 (Top view) 1 : Source 2 : Gate 3 : Collector 4 : Emitter 5 : Base 6 : Drain SANYO : MCPH6 No.8038-2/6 MCH6933 スイッチングタイム測定回路図 IB1 PW=20µs D.C.≦1% VDD=15V VIN 4V 0V ID=80mA RL=187.5Ω OUTPUT VIN IB2 INPUT D RB VR 50Ω + G + 220µF VOUT PW=10µs D.C.≦1% RL 470µF MCH6933 VBE=5V P.G VCC= --5V 50Ω S IC=20IB1= --20IB2= --400mA --0 [TR部] VCE= --2V --0.6mA --500 --0.5mA --0.4mA --120 --0.3mA --100 --0.2mA --80 --60 --0.1mA --400 --300 --200 --40 75° C 25° C --25° C --140 --0.7mA IC -- VBE --600 Ta= コレクタ電流, IC -- mA --160 [TR部] コレクタ電流, IC -- mA --180 IC -- VCE .8mA --1.0m --0.9m A A --200 --100 --20 IB=0 --1.5 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V hFE -- IC 1000 [TR部] 直流電流増幅率, hFE 25°C 5 --25°C 3 2 100 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV コレクタ電流, IC -- mA VCE(sat) -- IC --1000 5 7--1000 IT05203 [TR部] IC / IB=50 7 5 3 2 --100 25 C ° 5 7 =7 Ta 5 °C °C --25 3 2 --10 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 コレクタ電流, IC -- mA 2 0 3 --0.2 5 7--1000 IT05205 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 ベース・エミッタ電圧, VBE -- V IT05201 VCE= --2V Ta=75°C 7 0 --2.0 コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV --1.0 --0.5 VCE(sat) -- IC 7 --1.2 IT05202 [TR部] IC / IB=20 5 3 2 --100 7 5 = Ta 5°C 2 3 --25 °C 75 °C 2 --10 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 コレクタ電流, IC -- mA ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V 0 0 VBE(sat) -- IC 3 5 7--1000 IT05204 [TR部] IC / IB=20 2 25°C --1.0 Ta= --25°C 7 75°C 5 3 2 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 コレクタ電流, IC -- mA 2 3 5 7--1000 IT05206 No.8038-3/6 MCH6933 Cob -- VCB 3 [TR部] fT -- IC 1000 [TR部] VCE= --2V f=1MHz 7 利得帯域幅積, fT -- MHz 出力容量, Cob -- pF 2 10 7 5 5 3 2 3 2 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 コレクタ・ベース電圧, VCB -- V f=1MHz コレクタ損失, PC -- W 7 [TR部] セ ラ ミ ッ ク 0.4 基 板（ 60 0m 0.3 m2 × 0.8 m 0.2 m ）装 着 時 1u ni t 2 --1.0 3 5 ID -- VDS [FET部] 5V V VGS=1.5V 0.06 0.04 Ta= 75 °C 0.15 0.10 0.05 0 °C 75 = Ta 0 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V RDS(on) -- VGS 10 0.9 [FET部] 9 8 7 6 80mA ID=40mA 3 2 1 0 2 3 4 5 6 7 8 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 0.5 9 10 IT00031 1.0 1.5 2.5 2.0 3.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT00029 Ta=25°C 1 0 1.0 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω 0.2 160 IT06387 [FET部] 0.20 0.02 0.1 140 °C 0.08 120 25 ドレイン電流, ID -- A 6.0 0.10 100 0.25 V 0.12 80 ID -- VGS 0.30 2.0 3.0 4.0V 60 VDS=10V V 3.5V 40 周囲温度, Ta -- °C 2. 0.14 20 0 7 --10 IT06068 °C 7 25 5 --25 °C 3 0.16 0 5 7--1000 IT05208 °C 2 ベース電流, IB -- mA 0 3 0 3 --0.1 ドレイン電流, ID -- A 2 0.1 5 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω 5 7 --100 --25 オン抵抗, Ron -- Ω 1.0 4 3 PC -- Ta 0.5 2 5 2 OUT IB 3 5 7 --10 0.6 1kΩ 5 3 コレクタ電流, IC -- mA [TR部] 1kΩ IN 7 2 IT05207 Ron -- IB 10 100 --1.0 3 RDS(on) -- ID 10 IT00030 [FET部] VGS=4V 7 5 Ta=75°C 25°C 3 --25°C 2 1.0 0.01 2 3 5 7 0.1 ドレイン電流, ID -- A 2 3 5 IT00032 No.8038-4/6 [FET部] VGS=2.5V 7 Ta=75°C 5 25°C --25°C 3 2 1.0 0.01 2 3 5 7 2 0.1 3 5 RDS(on) -- Ta 7 VGS=1.5V 2 10 Ta=75°C 7 5 --25°C 25°C 3 2 0.001 2 3 5 7 IT00034 yfs -- ID 1.0 3 2 0.01 [FET部] VDS=10V 7 6 5 V 2.5 S= , VG A V 40m =4.0 I D= , VGS A 80m I D= 4 3 2 1 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 2 0.1 7 5 --25°C Ta= 25°C 75°C 3 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 ダイオード順電圧, VSD -- V 0.1 7 5 5 3 Crss 2 3 5 IT00036 [FET部] td (off) 2 tf 100 7 tr 5 3 td(on) 2 2 3 5 7 2 0.1 IT00038 VGS -- Qg 10 ゲート・ソース電圧, VGS -- V Ciss 2 0.1 3 [FET部] VDS=10V ID=150mA 9 10 7 ドレイン電流, ID -- A [FET部] 2 5 VDD=15V VGS=4V 10 0.01 1.2 3 Coss 3 SW Time -- ID f=1MHz 7 2 IT00037 Ciss, Coss, Crss -- VDS 5 C --25° 75°C 5 0.01 0.6 Ta= 2 ドレイン電流, ID -- A [FET部] 3 0.5 25°C 3 3 0.01 160 VGS=0 2 5 IT00035 IF -- VSD 5 順電流, IF -- A [FET部] ドレイン電流, ID -- A [FET部] 周囲温度, Ta -- °C Ciss, Coss, Crss -- pF RDS(on) -- ID 3 IT00033 順伝達アドミタンス, yfs -- S ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω ドレイン電流, ID -- A ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω RDS(on) -- ID 10 スイッチングタイム, SW Time -- ns ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω MCH6933 8 7 6 5 4 3 2 1 1.0 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 18 20 IT00039 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 総ゲート電荷量, Qg -- nC 1.4 1.6 IT00040 No.8038-5/6 MCH6933 PD -- Ta 0.6 [FET部] PT -- Ta 0.6 [共通] 0.55 セ 0.4 0.5 ラ ミ ッ ク 0.3 基 板 (6 00 m 全損失, PT -- W 許容損失, PD -- W 0.5 m2 × 0.8 m 0.2 m セ 0.4 ラ ミ ッ 0.3 ク 基 板 (6 00 m m2 × 0.2 0. )装 着 時 0.1 8m m )装 0.1 1u ni 着 時 t 0 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 IT01118 0 20 40 60 80 100 120 140 周囲温度, Ta -- °C 160 IT07164 取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8038-6/6