SANYO SCH1402

注文コード No. N 7 5 3 3
SCH1402
No.
N7533
31504
新
SCH1402
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・1.8V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
ID
IDP
許容損失
チャネル温度
PD
Tch
保存周囲温度
Tstg
unit
20
± 10
V
V
3
12
A
A
0.8
150
W
℃
− 55 ∼＋ 150
℃
min
20
max
unit
V
1
± 10
µA
µA
1.3
V
S
63
73
82
102
mΩ
mΩ
87
280
133
mΩ
pF
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS=20V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 8V, VDS=0
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=1.5A
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=1.5A, VGS=4V
ID=1A, VGS=2.5V
入力容量
RDS(on)3
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ID=0.5A, VGS=1.8V
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
typ
0.4
3.36
5.6
60
38
pF
pF
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単体品名表示：KB
外形図 2221
(unit : mm)
Top View
1.6
0.2
6 5 4
0.15
1.5
1
2 3
0.5
0.25
Bottom View
Side View
0.56
1.6
0.05
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
0.05
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
Side View
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
SANYO : SCH6
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
31504 TS IM ◎佐藤 TA-100481 No.7533-1/4
SCH1402
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min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
typ
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=4V, ID=3A
8.8
0.85
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS=3A, VGS=0
0.85
0.82
max
unit
指定回路において
〃
13
35
ns
ns
〃
〃
35
25
ns
ns
nC
nC
1.2
nC
V
1.4
1.6
スイッチングタイム測定回路図
VDD=10V
VIN
4V
0V
ID=1.5A
RL=6.67Ω
VIN
D
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
SCH1402
P.G
50Ω
ID -- VDS
1.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0.9
1.0
RDS(on) -- VGS
160
Ta=25°C
140
120
1.0A
100
ID=0.5A
80
1.5A
60
40
20
0
0
2
4
6
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0
0.2
10
IT05676
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT05675
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
25
°C --25°C
VGS=1.0V
2.5
75°
C
1.5
3.0
Ta=
2.0
VDS=10V
3.5
ドレイン電流, ID -- A
2.5
ID -- VGS
4.0
1.8V
1.5
V
10.0V 4.0V 2.5V
3.0
ドレイン電流, ID -- A
S
IT03491
RDS(on) -- Ta
160
140
120
=1.8V
, VGS
A
5
.
0
I D=
2.5V
S=
.0A, V G 4.0V
1
=
ID
=
A, V GS
I D=1.5
100
80
60
40
20
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT05677
No.7533-2/4
SCH1402
2
7
C
25°
5
3
2
=
Ta
C
5°
C
75°
--2
1.0
7
5
3
3
2
0.1
7
5
3
2
0.1
0.01
0.01
0.2
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
IT03494
SW Time -- ID
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
IT03495
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
VDD=10V
VGS=4V
2
0.3
ダイオード順電圧, VSD -- V
f=1MHz
7
5
100
7
tr
td(off)
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
1.0
7
5
2
3
tf
3
2
td(on)
10
7
5
Ciss
3
2
100
7
Coss
5
Crss
3
3
2
2
1.0
0.1
10
2
3
5
7
2
1.0
3
5
ドレイン電流, ID -- A
7
0
10
IT03496
3
2
ドレイン電流, ID -- A
2.0
1.5
1.0
10
7
5
3
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
総ゲート電荷量, Qg -- nC
9
10
IT03498
PD -- Ta
1.0
0.8
10
12
14
16
18
IDP=12A
＜10µs
1m
ID=3A
10
10
D
C
0m
op
s
s
er
3
2
s
m
at
io
n
Operation in this
area is limited by RDS(on).
0.1
7
5
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
0.01
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
(9
00
0.4
m
m2
×
0.8
m
m
)装
着
0.2
時
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
5
IT05678
セ
0.6
20
IT03497
ASO
1.0
7
5
3
2
0.5
8
s
2.5
6
0µ
3.0
4
10
VDS=10V
ID=3A
3.5
2
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS -- Qg
4.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VGS=0
3
10
ドレイン電流, ID -- A
許容損失, PD -- W
IF -- VSD
10
7
5
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
2
yfs -- ID
VDS=10V
Ta=
75°
C
25°
C
--25
°C
3
160
IT05679
No.7533-3/4
SCH1402
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PS No.7533-4/4