SANYO SGF32

注文コード No. N 7 1 9 5 A
SGF32
No. N 7 1 9 5 A
62003
半導体ニューズ NO.N7195 とさしかえてください。
SGF32
特長
N チャネル GaAsMES 電界効果トランジスタ
C ∼ Ku バンド局部発振・増幅回路
・低位相雑音。
・高信頼性保護膜採用。
・面実装・自動挿入対応 MCPH4 樹脂モールドパッケージ。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
VDS
ゲート・ソース電圧
VGS
ドレイン電流
ID
許容損失
PD(ガラエポ基板:145 × 80 × 1.6mm
6
−5
100
400
unit
V
V
mA
mW
銅箔面積 0.96mm2 実装時)
接合部温度
保存周囲温度
Tj
Tstg
150
− 55 ∼+ 150
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ゲート・ソースもれ電流
IGSO
飽和ドレイン電流
IDSS
ゲート・ソースしゃ断電圧
VGS(off)
順伝達アドミタンス
yfs
VGS= − 5V
VDS=3V, VGS=0
VDS=3V, ID=100µA
VDS=3V, ID=10mA
min
typ
30
− 0.5
50
− 1.4
44
℃
℃
max
− 10
70
− 2.5
unit
µA
mA
V
mS
外形図 1316
(unit : mm)
(Side view)
0.25
(Bottom view)
2
1
1.3
0.07
0.25
1.6
4
2.0
(Top view)
4
3
1
2
(Side view)
0.85
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
2.1
3
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途(生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
0.15
0.3
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
4 : Source
SANYO:MCPH4
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
62003 TS IM TA-100636 一部変 / 13003 TS IM ◎佐藤 TA-3555 No.7195-1/5
SGF32
S パラメータ
SGF32
FREQUENCY
MHz
3000.0000
4000.0000
5000.0000
6000.0000
7000.0000
8000.0000
9000.0000
10000.0000
11000.0000
12000.0000
13000.0000
14000.0000
15000.0000
16000.0000
S11
MAG
.612
.531
.497
.476
.464
.469
.498
.548
.605
.655
.693
.723
.755
.809
FREQUENCY
GUmax
S21
ANG
−117.7
−146.4
−171.5
164.8
141.9
119.6
99.1
81.5
66.7
53.2
39.9
26.0
11.3
−4.1
MAG
3.054
2.620
2.318
2.061
1.846
1.672
1.536
1.428
1.337
1.255
1.175
1.095
1.011
.903
S12
ANG
86.5
68.9
52.4
36.4
21.1
6.4
−7.8
−22.0
−36.4
−51.1
−66.3
−82.1
−98.9
−118.1
MAG
.086
.096
.106
.117
.131
.148
.168
.190
.214
.237
.257
.273
.286
.296
ANG
42.1
43.1
40.1
36.5
32.4
27.4
21.1
13.3
4.0
−6.6
−18.5
−31.4
−45.1
−59.9
VDS=3V IDS=30mA
S22
MAG
ANG
.535
−36.4
.497
−45.6
.480
−55.2
.473
−64.1
.469
−71.9
.458
−79.2
.431
−87.4
.381
−97.8
.316
−112.2
.248
−132.5
.192
−160.8
.160
161.9
.161
116.2
.235
69.2
SGF32
MHz
3000.0000
4000.0000
5000.0000
6000.0000
7000.0000
8000.0000
9000.0000
10000.0000
11000.0000
12000.0000
13000.0000
14000.0000
15000.0000
16000.0000
dB
13.20
11.04
9.67
8.50
7.45
6.57
5.86
5.33
4.96
4.68
4.40
4.11
3.88
3.97
GAmax
dB
12.91
11.25
9.98
8.93
8.14
7.67
7.72
S21^2
S12^2
dB
9.70
8.37
7.30
6.28
5.32
4.47
3.73
3.09
2.52
1.97
1.40
.79
.10
−.89
dB
−21.34
−20.40
−19.53
−18.63
−17.66
−16.60
−15.50
−14.41
−13.40
−12.52
−11.80
−11.27
−10.89
−10.57
K
Delay
.91
1.06
1.13
1.17
1.18
1.16
1.10
1.03
.96
.90
.87
.87
.87
.83
ns
.050
.047
.045
.044
.042
.040
.039
.039
.040
.041
.043
.044
.047
.057
Mason’
sU
dB
19.408
19.124
18.251
16.720
14.878
13.311
12.201
11.499
10.999
10.362
9.332
8.038
6.809
5.818
VDS=3V IDS=30mA
G1
G2
dB
2.04
1.44
1.23
1.12
1.05
1.08
1.24
1.55
1.98
2.43
2.84
3.21
3.67
4.61
dB
1.46
1.23
1.14
1.10
1.08
1.02
.89
.68
.46
.28
.16
.11
.11
.25
No.7195-2/5
SGF32
Sパラメータ VDS=3V IDS=30mA, START 3 GHz STOP 16 GHz
S21
S11
90°
50
9.0G
12.0GHz
25
100
Hz
150
6.0G
Hz
0
30°
Hz
G
6.0
15.0GHz
25
10
150°
200
250
10
60°
3.0GHz
120°
100
50
250
150
±180°
--100
R max=1
--25
--50
--30°
--60°R max=5
--120°
--90°
IT03929
S12
Hz
--150°
.0G
H
0G
3.
12
z
15.0
GHz
--250
--200
--150
--10
5
9.0GHz
IT03930
S22
90°
50
60°
120°
25
100
150
150°
6.0GHz
30°
z
z
GH
0.5
12.0
GH
25
50
100
150
250
Hz
12.0G
z
z
GH
9.0
IT03931
z
--60° R max=0.5
GH
3.0
--30°
Hz
Hz
--90°
10
6.0G
.0G
--120°
0
--10
15
--150°
Hz
.0G
9.0GH
200
250
15
3.0
±180°
10
--250
--200
--150
--100
R max=1
--25
--50
IT03932
No.7195-3/5
SGF32
SGF32 の発振評価治具で測定した発振特性
発振評価治具の等価回路図
(バイアス推奨条件:VD=5V, ID=35mA)
VD
1000pF
10Ω
Dielectric Resonator
D
G
GaAsMESFET
Z0, θB
S
OUTPUT
51Ω
10Ω
REF 20.0 dBm
MKR-TRK 10.678 GHz
10.5 dBm
ATTEN 30 dB
0
VD=5V
ID=35.0mA
PEAK
LOG
10
dB /
[hp] 3048A Carrier : 10.678GHz
VD=5V
ID=35.0mA
[email protected] 1kHz --64.0 dBc / Hz
--10
--20
Phase noise [dBC/Hz]
--30
MARKER
10.678 GHz
10.50 dBm
WA SB
SC FS
CORR
--40
--50
--60
--70
--80
--90
--100
--110
--120
--130
RES BW 10 kHz
VBW 10 kHz
SPAN 1.000 MHz
SWP 30 ms
IT04381
--140
--150
100
2
3
5 7 1k
2
3
5 710k
2
3
5 7100k
[f] [dBc / Hz] VS f [Hz]
IT04382
No.7195-4/5
SGF32
DUT で測定した増幅特性
入出力特性
18
出力電力, Pout(dBm)
15
f=11GHz
VDS=3V
ID=30mA
GLP=5.1dB
P1dB=15.9dBm
5.1
)=
dB
(
P
GL
4.1
10
5
0
--5
0
5
入力電力, Pin(dBm)
10
15
IT04383
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.7195-5/5