SANYO SGF34

SGF34
注文コード No. N 7 9 2 5
SGF34
N チャネル GaAsMES 電界効果トランジスタ
C ∼ Ku バンド局部発振・増幅回路
特長
・低位相雑音。
・高信頼性保護膜採用。
・面実装・自動挿入対応 MCPH4 樹脂モールドパッケージ。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
記号
条件
定格値
unit
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDS
VGS
6
−5
V
V
ドレイン電流
ID
100
mA
許容損失
PD
400
mW
接合部温度
Tj
150
℃
保存周囲温度
Tstg
− 55 ∼+ 150
℃
(ガラエポ基板:145 × 80 × 1.6mm
銅箔面積 0.96mm2 実装時)
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
条件
ゲート・ソースもれ電流
IGSO
飽和ドレイン電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IDSS
VGS(off)
VGS= − 5V
VDS=3V, VGS=0
VDS=3V, ID=100µA
順伝達アドミタンス
yfs
VDS=3V, ID=10mA
定格値
min
typ
max
− 10
30
− 0.5
50
− 1.4
70
− 2.5
44
unit
µA
mA
V
mS
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
33004SG TS IM ◎佐藤 TA-101126 No.7925-1/5
SGF34
外形図
unit : mm
1316
(Side view)
0.25
(Bottom view)
3
4
2
1
1.3
0.07
1.6
0.25
2.1
0.15
0.3
2.0
(Top view)
4
3
1
2
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
4 : Source
0.85
(Side view)
SANYO : MCPH4
S パラメータ
SGF34
FREQUENCY
S11
S21
VDS=3V IDS=30mA
S22
S12
MHz
3000.0000
MAG
0.729
ANG
−89.2
MAG
3.507
ANG
102.5
MAG
0.077
ANG
47.8
MAG
0.503
ANG
−43.9
4000.0000
5000.0000
0.655
0.605
−111.4
−129.4
3.020
2.672
84.3
68.8
0.086
0.094
41.7
38.2
0.473
0.450
−52.2
−58.5
6000.0000
7000.0000
0.548
0.476
−144.2
−164.9
2.482
2.371
54.7
39.1
0.104
0.119
35.7
31.1
0.429
0.407
−65.6
−78.1
8000.0000
9000.0000
0.443
0.476
163.9
135.9
2.221
2.031
22.1
5.7
0.131
0.141
24.3
16.9
0.378
0.330
−91.5
−103.3
10000.0000
11000.0000
0.531
0.557
118.9
101.7
1.877
1.770
−8.7
−24.1
0.152
0.162
10.3
1.6
0.269
0.206
−115.2
−140.1
12000.0000
13000.0000
0.593
0.672
77.2
54.4
1.662
1.465
−41.6
−59.9
0.173
0.169
−10.7
−23.0
0.220
0.260
−179.2
151.2
14000.0000
15000.0000
0.743
0.766
44.1
39.5
1.263
1.132
−74.6
−88.1
0.167
0.169
−33.4
−43.5
0.253
0.258
126.0
95.2
16000.0000
0.781
28.7
1.040
−104.2
0.171
−58.0
0.355
68.7
FREQUENCY
GUmax
MHz
3000.0000
dB
15.46
4000.0000
5000.0000
13.14
11.50
6000.0000
7000.0000
GAmax
dB
S21^2 S12^2
dB
10.90
dB
−22.30
13.73
9.60
8.54
10.33
9.40
11.71
10.63
8000.0000
9000.0000
8.50
7.77
10000.0000
11000.0000
K
Delay
Mason’s U
VDS=3V IDS=30mA
G1
G2
0.700
ns
0.056
dB
22.597
dB
3.30
dB
1.26
−21.30
−20.54
0.880
1.020
0.046
0.042
20.777
19.322
2.44
1.98
1.10
0.98
7.90
7.50
−19.62
−18.48
1.110
1.150
0.037
0.044
18.157
17.464
1.55
1.11
0.88
0.79
9.63
8.94
6.93
6.16
−17.64
−17.00
1.190
1.190
0.045
0.047
15.882
14.746
0.90
1.11
0.67
0.50
7.23
6.76
8.43
7.78
5.47
4.96
−16.38
−15.81
1.170
1.190
0.039
0.045
13.719
12.102
1.44
1.61
0.33
0.19
12000.0000
13000.0000
6.51
6.23
7.61
7.45
4.42
3.32
−15.25
−15.42
1.130
1.100
0.050
0.050
11.632
10.778
1.88
2.61
0.21
0.30
14000.0000
15000.0000
5.79
5.21
7.12
6.16
2.03
1.07
−15.55
−15.46
1.070
1.120
0.034
0.040
9.822
8.229
3.48
3.83
0.29
0.30
16000.0000
5.01
5.93
0.34
−15.33
1.100
0.047
7.774
4.08
0.59
No.7925-2/5
SGF34
Sパラメータ VDS=3V IDS=30mA, START 3GHz STOP 16GHz
S21
S11
90°
50
100
12.0GHz
9.0GHz
10
0
10
60°
120°
25
25
3.0GHz
150
200
250
15.0GHz
50
100
150
250
150°
9.0GHz
±180°
15.0GHz
6.0GHz
--250
--200
--150
--10
3.0GHz
--50
12.0GHz
--30°
--60° R max=5
--120°
--90°
IT07524
S12
0°
--150°
--100
R max=1
--25
30°
6.0GHz
IT07525
S22
90°
50
60°
120°
25
100
150
150°
30°
10
3.0GHz
±180°
6.0GHz
9.0GHz
12.0GHz
0°
0
200
250
15.0GHz
10
25
50
15.0GHz
6.0GHz
--30°
--60°
--120°
--90°
R max=0.5
IT07526
150
250
3.0GHz
9.0GHz
--10
--150°
100
12.0GHz
--250
--200
--150
--100
R max=1
--25
--50
IT07527
No.7925-3/5
SGF34
SGF34 の発振評価治具で測定した発振特性
発振評価治具の等価回路図
(バイアス推奨条件:VD=5V, ID=35mA)
VD
1000pF
10Ω
Dielectric Resonator
G
D
S
Z0, θB
GaAsMESFET
OUTPUT
51Ω
10Ω
ATTEN 30dB
RL 20.0dBm
10dB /
MKR 13.17dBm
10.678GHz
0
VD=5V
ID=35mA
[hp] 4352S : 10.678GHz
VD=5V
ID=35mA
--65.242dBc / Hz @ 1kHz
--20
S
Phase noise [dBC/Hz]
--40
MKR
10.678GHz
13.17dBm
K
--60
--80
--100
--120
--140
--160
--180
CENTER 10.678GHz
RBW 10kHz
VBW 10kHz
SPAN 1.000MHz
SWP 50ms
--200
1k
2
3 5 710k 2
3 5 7100k 2
3 5 71M
[f] [dBc / Hz] VS f [Hz]
2
3 5 710M
IT06792
IT06791
No.7925-4/5
SGF34
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PS No.7925-5/5