S29JL032H 32M ビット（4M × 8 ビット / 2M × 16 ビット） CMOS 3.0 V 単一電源，リード / ライト同時実行， フラッシュメモリ ADVANCE INFORMATION ご注意 : 本資料は Spansion LLC で開発中の製品情報が記載されています。この情報は， お客様が本製品を評価される際にお役立ていただくことを目的としています。本製品を使 用して設計を行なわれる場合には，あらかじめ弊社までお問い合わせください。開発中の 製品につきましては，予告なしに仕様を変更したり，開発を中止する場合があります。 Publication Number S29JL032H Revision A Amendment 11 Issue Date 2005 年 3 月 9 日 This page intentionally left blank. S29JL032H 32M ビット（4M × 8 ビット / 2M × 16 ビット） CMOS 3.0 V 単一電源，リード / ライト同時実行， フラッシュメモリ ADVANCE INFORMATION 特徴 アーキテクチャ リード / プログラム同時実行 — バンク内においてイレーズ / プログラム機能を実行しなが ら，別のバンクからデータをリードすることができます。 — リード / ライト動作間の切替遅延ゼロ マルチバンクアーキテクチャ — 4 タイプのバンクアーキテクチャを用意しています（表 2 を参照してください）。 ブートセクタ — デバイス内にトップとボトムブートセクタを用意 — イレーズ可能なセクタの組合せは任意 製造には 0.13 µm プロセステクノロジを採用 SecSi（セキュアドシリコン）セクタ：256 バイトセクタを別 途使用可 — 工場にてロック設定し特定可能： 工場にてランダムに設定 するセキュアな電子シリアル番号用として 16 バイトを用 意，オートセレクト機能により工場によるロック設定を検 証可能。 — お客様にてロック可能： ワンタイムプログラムのみ可能。 いったんロックすると，データの変更は不可。 消費電力ゼロ動作 — 最新の電力制御回路により，動作待機時の消費電力をほぼ ゼロに抑制します。 超低消費電力（標準値） — アクティブリード電流： 2 mA（1 MHz） — アクティブリード電流： 10 mA（5 MHz） — スタンバイまたはオートスリープモード時： 200 nA セクタ当たりの消去回数 1,000,000 回（Typ.） データ保持能力：20 年（Typ.） ソフトウェアの特徴 JEDEC 規格に準拠 — 端子配列およびソフトウェアは単一電源フラッシュ規格と 互換性保持 共通フラッシュメモリ・インタフェース（CFI）をサポート イレーズサスペンド / イレーズレジューム — イレーズ動作を中断して，イレーズの対象となっていない セクタからのデータのリード，または当該セクタへのデー タのプログラムを実行し，その後，イレーズ動作を再開す ることができます。 Data# ポーリングおよびトグルビット — プログラムまたはイレーズサイクルの状態をソフトウェア 的に検出する機能を搭載 アンロックバイパスプログラムコマンド — 複数のワードまたはバイトのプログラミング時間を短縮す る事ができます。 ハードウェアの特徴 Ready / Busy# 出力（RY / BY#） — プログラムまたはイレーズサイクルの終了をハードウェア 的に検出する機能 ハードウェアリセット端子（RESET#） — 内部のステートマシンをハードウェア的にリードモードに リセットする機能 WP# / ACC 入力端子 — ライトプロテクト（WP#）機能は，セクタのプロテクト設 定状態にかかわらず，一番外側のブートセクタ 2 個を保護 します。 — アクセラレーション（ACC）機能によるプログラム時間の 高速化 セクタプロテクト — セクタ内へのプログラムまたはイレーズ動作をハードウェ ア的に禁止する機能 — 一時的セクタプロテクト解除機能により，デバイスをシス テムに実装したまま，プロテクトされたセクタ内のデータ を変更可能 パッケージオプション 48 ピン TSOP（シンスモールアウトラインパッケージ） 性能 高性能 — 高速アクセスタイム： 60 ns — プログラム時間：4 µs / ワード（標準）（高速プログラム機 能適用時） 文書番号 S29JL032H_J 改定 A 修正 11 発行日 2005 年 3 月 9 日（S29JL032H_A1 August 5, 2004） 本資料には，Spansion LLC で開発中の製品情報が記載されています。この情報は，お客様が本製品を評価される際にお役立ていただくことを目的としています。 Spansion LLC は事前の通知なしに，当該情報を変更したり，製品の製造を中止する場合があります。 A D V A N C E I N F O R M A T I O N データシートの属性に関する説明 弊社が発行しているデータシートには「ADVANCE INFORMATION ( 事前情報 )」または「PRELIMINARY ( 暫定 )」という属性を明示しているものがあります。これは，開発から製品認定，初期ロット生産，本格生 産にいたる製品のライフサイクルを通して，お客様に適切な製品情報ならびに技術仕様をお伝えすることを目 的としています。なお，設計に関する最終的な決定を行われる際は，お手持ちの情報が最新のものであること を必ずご確認ください。Spansion のデータシートで使用される属性とその意味については，下記を参照願い ます。 Advance Information 「ADVANCE INFORMATION ( 事前情報 )」という属性は，Spansion LLC が製品を開発中であるが，設計を 生産に移すかどうかについては明言されていない状態であることを意味します。このような属性が付与されて いる場合，その資料に記載されている内容は変更される可能性があり，場合によっては，製品の開発自体が中 止されることもあります。したがって，Spansion LLC では， 「ADVANCE INFORMATION」の内容に対して は下記のような条件を記載しています。 「本資料は，Spansion LLC で開発中の製品情報が記載されています。この情報は，お客様が本製品を評価される際 にお役立ていただくことを目的としています。本製品を使用して設計を行われる場合は，あらかじめ弊社までお問 い合わせください。開発中の製品においては，予告なしに仕様を変更したり，開発を中止する場合があります。 」 Preliminary 「PRELIMINARY ( 暫定 )」という属性は，製品の開発が進み，生産に着手可能な状態であることを意味しま す。この属性は，製品認定の完了や，初期ロット生産の開始，およびそれ以降の，本格生産開始に向けて実施 される製造工程への移行など，製品ライフサイクルの複数の局面で使用されます。「暫定」属性のデータシー トに記載されている技術仕様は，こうしたライフサイクルの各段階での状況を踏まえ，変更される可能性があ ります。Spansion LLC では，「PRELIMINARY」の内容に対しては下記のような条件を記載しています。 「本資料は，資料内に記載の Spansion 製品に関する現時点での技術仕様について説明したものです。本資料の指定 は「PRELIMINARY ( 暫定 )」となっています。これは，製品認定が完了し初期ロットの生産がすでに開始されてい ることを示します。製造工程や品質の見直しを行なった結果，仕様が変更され，それに伴う修正や後続のバージョ ンに基づき，本資料が改訂されることがあります。」 複数の属性が含まれる場合 データシートによっては，取り上げられている製品により属性（「ADVANCE INFORMATION ( 事前情報 )」， 「PRELIMINARY ( 暫定 )」， 「FULL PRODUCTION ( 本格生産 )」）が異なる場合があります。このような場合 には，製品毎に指定されます。通常は先頭ページ，オーダ型格のページ，ＤＣ 特性表や ＡＣ イレーズ / プロ グラム特性表の注部分などに記載されます。先頭ページの免責事項で，該当ページの記載を参照するよう説明 されます。 FULL PRODUCTION （本生産，データシート上での表示はなし） 製品の生産開始後，一定期間が経過し，変更が発生しない，または軽微な変更のみにとどまることが明らかに なった時点で，データシートから「PRELIMINARY ( 暫定 )」の表示が削除されます。軽微な変更の例として は，スピードバージョン，温度範囲，パッケージタイプ，VIO 範囲の追加または削除などにより，ご利用いた だく型格（OPN）が変更されるというケースがあります。新たな説明の記載，文章や仕様の誤りの修正など も，こうした変更に含まれます。Spansion LLC では，この範疇に入るデータシートについては下記のような 条件を記載しています。 「本資料は，Spansion 製品に関する現時点での技術仕様について説明したものです。本製品は相当量の量産段階に 達しており，本資料の内容が今後のバージョンで改訂されることはないものと判断しています。但し，誤植または 仕様の訂正，あるいは提供製品の有効な組合せについての修正が行われることがあります。 」 データシートで使用されている各属性に関してご不明な点がある場合は，担当営業までお問い合わせください。 4 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 概要 S29JL032H は，32M ビット（2,097,152 ワード× 16 ビット，または 4,194,304 バイ ト× 8 ビット構成），3.0 V 単一電源フラッシュメモリデバイスです。データは，DQ15 ～ DQ0（ワードモード時） ，または DQ7 ～ DQ0（バイトモード時）に出力されます。本デ バイスは，システムに実装したまま，3.0 V VCC 標準電源によりプログラムできるほか， 標準の EPROM ライタを使ってもプログラムできるように設計されています。 アクセスタイムによる各種バージョン（60，70，90 ns）と，48 ピン TSOP パッケージ を用意しています。標準搭載の制御端子（チップイネーブル（CE#），ライトイネーブル （WE#），出力イネーブル（OE#））により，通常のリード / ライト動作を制御し，バス競 合問題を回避しています。 デバイスのリード / ライト機能は，3.0 V 単一電源のみで動作可能です。プログラムおよ びイレーズ動作では，内部で生成され，安定化された電源を使用します。 遅延時間ゼロで同時に実行可能なリード / ライト動作 メモリ空間を別個のバンクに分割したリード / ライト同時実行アーキテクチャにより，同 時実行が可能です（表 2 を参照してください）。セクタアドレスは固定されていますので， システムソフトウェアによりユーザ定義によるバンクグループを構成することができま す。 イレーズ / プログラム動作の対象となっていないバンクのいずれからも，動作中にデータ をリードすることができます。ただし，同時実行可能なバンクは 2 つのみとなります。ま た，ホストシステムがあるバンクをプログラムまたはイレーズしながら，別のバンクから のリードを遅延時間ゼロで速やかにかつ同時に行なえるようにして，全体的なシステム性 能を向上させています。これにより，システムはプログラムまたはイレーズ動作が完了す るのを待たなくてもよいことになります。 また，S29JL032H は，トップ / ボトムの両ブートセクタ構成で構成することができます。 S29JL032H の特徴 SecSi™（セキュアドシリコン）セクタ は，弊社工場またはユーザにより恒久的にロック 可能な 256 バイトのセクタです。このセクタがユーザによりロックされると，SecSi ユー ザインジケータビット（DQ6）が恒久的に「1」にセットされます。また，工場にてロッ クされると恒久的に「0」にセットされます。ユーザによるロックを可能にする場合は「0」 のまま出荷されます。このように，ユーザがロック可能なパーツは，工場にてロックされ たパーツを書き換えられないようになっています。 工場にてロックされるパーツには数通りのオプションがあります。SecSi セクタ には，ラ ンダムでセキュアな 16 バイト ESN（電子シリアル番号），またはユーザコード（Spansion プログラミングサービスによりプログラムされます），あるいはこの両方を格納することが できます。ユーザロック可能なパーツとして SecSi セクタをボーナス空間として使用し， 他のフラッシュセクタと同様にリード / ライトしたり，ユーザ独自のコードを格納して恒 久的にロックすることができます。 DMS（データ管理ソフトウェア）を使用すれば，本製品シリーズのリード / ライト同時実 行可能という最新アーキテクチャをフルに利用して，従来の EEPROM デバイスを置き換え ることが可能です。DMS はまた，単バイトごとの修正ではなく，ファイル構造のデータを 修正することができ，これに必要なすべての機能を実行しますので，システムソフトウェ アを簡素化することができます。あるデータ（たとえば，電話番号や構成データなど）を 書込んだり，更新する場合も，ユーザは，更新対象のデータを指定し，更新したデータを システムに格納する位置を記述するだけで済みます。これは，従来のように，旧データの 位置や状態，フラッシュメモリデバイス（またはメモリデバイス）に対するデータのロジッ ク⇒物理変換などをユーザが書込むソフトウェアで管理しなければならないシステムに比 べると，はるかに簡単です。DMS を使用すれば，ユーザが用意するソフトウェアとフラッ シュメモリが直接インタフェースする必要がなくなります。ユーザ側のソフトウェアは， 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 5 A D V A N C E I N F O R M A T I O N わずか 6 種類の機能のいずれかを呼び出すだけで，フラッシュメモリへアクセスできるよ うになります。 本デバイスは，JEDEC 42.4 単一電源フラッシュコマンドセット規格と完全互換性を持っ ています。コマンドは，標準的なマイクロプロセッサのライトタイミングでコマンドレジ スタに書込まれます。データのリードは，一般のフラッシュメモリや EPROM からのリー ドと同様です。 ホストシステムは，RY / BY# 端子，DQ7（Data# ポーリング），DQ6 / DQ2（トグル ビット）といった本デバイスのステータスビットを調べることにより，プログラムまたは イレーズ動作が完了したかを検出することができます。プログラムまたはイレーズサイク ルが完了すると，デバイスは自動的にリードモードに戻ります。 セクタイレーズアーキテクチャにより，他のセクタに保持されているデータ内容を変更す ることなく，メモリセクタをイレーズし，再プログラミングすることができます。工場出 荷時には，すべてのセクタが消去されています。 ハードウェアデータのプロテクト手段として，電圧変動時のライト動作を自動的に禁止す る低電圧 VCC 検出回路を用意しています。ハードウェアセクタプロテクト機能は，メモリ 内の任意のセクタの組合せに対して，プログラムとイレーズ動作を禁止することができま す。この機能は，システム内だけでなく，プログラミング装置からも実行できます。 2 種類の省電力機能を搭載しています。あらかじめ設定した時間にわたってアドレスが変 更されない場合，デバイスはオートマチックスリープモードに入ります。デバイスをスタ ンバイモードにすることもできます。両モードにより，消費電力が著しく軽減されます。 6 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 目次 データシートの属性に関する説明 ............................. 4 Advance Information ..............................................................................................4 Preliminary ....................................................................................................................4 複数の属性が含まれる場合 .........................................................................4 FULL PRODUCTION （本生産，データシート上での表示 はなし）.........................................................................................................................4 製品ガイド .................................................................. 8 ブロック図 .................................................................. 8 端子配列図 .................................................................10 ピンの説明 ................................................................. 11 ロジックシンボル ...................................................... 11 オーダ型格 .................................................................12 デバイス バス動作 ..................................................... 13 表 1. S29JL032H デバイス バス動作 ........................................13 アレイデータをリードするための要件 ...........................................14 コマンド / コマンドシーケンスのライト .......................................14 アクセラレーションプログラム動作 .................................................15 オートセレクト機能 .........................................................................................15 遅延時間ゼロで同時に実行可能なリード / ライト動作 .....15 オートマチックスリープモード ............................................................16 RESET#：ハードウェアリセット端子 ................................................16 出力ディセーブルモード .............................................................................17 表 2. S29JL032H バンクアーキテクチャ ...................................17 表 3. S29JL032H セクタアドレス － トップブートデバイス ...........18 表 4. S29JL032H セクタアドレス － ボトムブートデバイス ...........20 表 5. S29JL032H オートセレクトコード（高電圧方式） ................22 セクタ / セクタブロック プロテクト設定 / プロテクト解除 ............................................................................................................................................23 表 6. S29JL032H ブートセクタ / セクタブロックアドレス（プロテクト 設定 / プロテクト解除）.........................................................23 表 7. S29JL032H ボトムブートセクタ / セクタブロックアドレス（プロ テクト設定 / プロテクト解除） ................................................24 表 8. WP# / ACC モード ......................................................25 一時的セクタプロテクト解除 .................................................................25 図 1. 一時的セクタプロテクト解除動作 ..................................... 26 図 2. セクタプロテクト設定 / プロテクト解除アルゴリズム（システム実 装時）............................................................................... 27 SecSi™（セキュアドシリコン）セクタ フラッシュメモリ領域 ................................................................................. 28 ハードウェアデータプロテクト .......................................................... 29 低 VCC 時のライト禁止 .............................................................................. 29 ライトパルス「グリッチ」プロテクト ......................................... 29 論理的禁止 ............................................................................................................. 29 電源投入時のライト禁止 ........................................................................... 29 共通フラッシュメモリ・インタフェース（CFI）....29 表 9. CFI クエリ識別用文字列 ................................................30 表 10. システムインタフェース文字列 ......................................30 表 11. デバイスロケーションの定義 .........................................31 表 12. プライマリベンダ固有拡張クエリ ...................................31 コマンドの定義 ......................................................... 33 データアレイのリード ..................................................................................33 リセットコマンド .............................................................................................33 オートセレクトコマンドシーケンス ................................................34 Enter SecSi Sector / Exit SecSi Sector コマンドシーケンス ...34 バイト / ワードプログラムコマンドシーケンス .....................34 アンロックバイパスコマンドシーケンス .....................................35 図 3. プログラム動作 ........................................................... 36 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 チップイレーズコマンドシーケンス ................................................36 セクタイレーズコマンドシーケンス ................................................37 図 4. イレーズ動作 .............................................................. 38 イレーズサスペンド / イレーズレジュームコマンド .........38 表 13. S29JL032H コマンドの定義 ........................................ 40 ライト動作ステータス .............................................. 41 DQ7：Data# ポーリング ..............................................................................41 図 5. Data# ポーリングアルゴリズム ....................................... 42 DQ6：トグルビットⅠ .................................................................................43 図 6. トグルビットのアルゴリズム ........................................... 44 DQ2：トグルビットⅡ ................................................................................. 44 トグルビット（DQ6 / DQ2）のリード .......................................... 45 DQ5: タイミングリミット超過 ............................................................. 45 DQ3：セクタイレーズタイマ ................................................................ 46 表 14. ライト動作ステータス ................................................ 46 絶対最大定格 .............................................................47 図 7. 最大オーバーシュート波形（負）....................................... 47 図 8. 最大オーバーシュート波形（正）....................................... 47 動作範囲 ................................................................... 47 インダストリアル（I）デバイス ......................................................... 47 VCC 電源電圧 ........................................................................................................ 47 DC 特性 .................................................................... 48 CMOS 互換性（注 5）..................................................................................... 48 図 9. ICC1 電流と時間（アクティブ電流とオートマチックスリープ電流を 図示）............................................................................... 49 図 10. 標準 ICC1 と周波数...................................................... 49 テスト条件 .................................................................50 図 11. 測定条件 .................................................................. 50 波形切替えのポイント ............................................. 50 図 12. 入力波形と測定レベル.................................................. 50 AC 特性 ..................................................................... 51 リードオンリ動作（注 1）.............................................................................51 図 13. リード動作タイミング.................................................. 51 ハードウェアリセット（RESET#）（注）.........................................52 図 14. リセットタイミング .................................................... 52 ワード / バイト構成（BYTE#）................................................................53 図 15. リード動作時の BYTE# タイミング ................................. 54 図 16. ライト動作時の BYTE# タイミング ................................. 54 イレーズおよびプログラム動作（注 1）..........................................55 図 17. プログラム動作タイミング ............................................ 56 図 18. アクセラレーションプログラムタイミングチャート.............. 56 図 19. チップ / セクタイレーズ動作タイミング ........................... 57 図 20. 連続リード / ライトサイクルタイミング ........................... 58 図 21. Data# ポーリングのタイミング（自動アルゴリズム実行時）... 58 図 22. トグルビットのタイミング（自動アルゴリズム実行時）.......... 59 図 23. DQ2 と DQ6 の比較 .................................................... 59 一時的セクタプロテクト解除 ................................................................60 図 24. 一時的セクタプロテクト解除のタイミング図 ...................... 60 図 25. セクタ / セクタブロックプロテクトおよび プロテクト解除のタイミング図 ............................................... 61 イレーズおよびプログラム動作（CE# 制御時）（注 1）.... 62 図 26. ライト（イレーズ / プログラム）動作（CE# 制御時）のタイミン グ ................................................................................... 63 イレーズ / プログラミング性能 ................................64 TSOP 端子容量........................................................ 64 外形寸法 ....................................................................65 TS 048：48 ピン スタンダード TSOP ............................................... 65 改訂履歴 ....................................................................66 S29JL032H 7 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 製品ガイド S29JL032H パーツ番号 スピードバージョン 60 標準電源電圧範囲：VCC = 3.0 ～ 3.6 V 標準電源電圧範囲：VCC = 2.7 ～ 3.6 V 70 90 最大アクセスタイム（tACC）（ns） 60 70 90 CE# アクセスタイム（tCE）（ns） 60 70 90 OE# アクセスタイム（tOE）（ns） 25 30 35 ブロック図 4 バンクタイプ VCC VSS OE# Mux BYTE# ࡃࡦࠢ 1 ࡃࡦࠢ 2 ࠕ࠼ࠬ ࡃࡦࠢ 2 X-࠺ࠦ࠳ A20–A0 ⁁ᘒ ᓮ CE# BYTE# WP#/ACC ࠬ࠹࠲ࠬ DQ15–DQ0 ࠦࡑࡦ࠼ ࠫࠬ࠲ ᓮ Mux DQ15–DQ0 DQ0–DQ15 ࡃࡦࠢ 3 ࠕ࠼ࠬ ࡃࡦࠢ 3 X-࠺ࠦ࠳ A20–A0 ࡃࡦࠢ 4 ࠕ࠼ࠬ Y-ࠥ࠻ A20–A0 X-࠺ࠦ࠳ DQ15–DQ0 RESET# WE# DQ15–DQ0 RY/BY# DQ15–DQ0 A20–A0 X-࠺ࠦ࠳ Y-ࠥ࠻ ࡃࡦࠢ 1 ࠕ࠼ࠬ A20–A0 ࡃࡦࠢ 4 Mux 8 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N ブロック図 2 バンクタイプ RY/BY# X-࠺ࠦ࠳ A20–A0 WE# CE# BYTE# WP#/ACC ⁁ᘒ ᓮ ࠬ࠹࠲ࠬ ࠦࡑࡦ࠼ ࠫࠬ࠲ DQ15–DQ0 ᓮ DQ15–DQ0 ਅࡃࡦࠢࠕ࠼ࠬ ਅࡃࡦࠢ ࠶࠴߅ࠃ߮ ⺰ℂᓮ A20–A0 Y-࠺ࠦ࠳ A20–A0 X-࠺ࠦ࠳ DQ15–DQ0 RESET# ࡃࡦࠢ DQ15–DQ0 A20–A0 Y-࠺ࠦ࠳ ࡃࡦࠢࠕ࠼ࠬ A20–A0 ࠶࠴߅ࠃ߮⺰ℂᓮ OE# BYTE# VCC VSS OE# BYTE# 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 9 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 端子配列図 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A19 A20 WE# RESET# NC WP#/ACC RY/BY# A18 A17 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 48 ピン スタンダード TSOP S29JL032H 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 A16 BYTE# VSS DQ15/A-1 DQ7 DQ14 DQ6 DQ13 DQ5 DQ12 DQ4 VCC DQ11 DQ3 DQ10 DQ2 DQ9 DQ1 DQ8 DQ0 OE# VSS CE# A0 S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N ピンの説明 A20 ～ A0 DQ14 ～ DQ0 DQ15 / A-1 = = = CE# OE# WE# WP# / ACC = = = = RESET# BYTE# RY / BY# VCC = = = = VSS NC = = アドレス入力（21 個） 15 データ入出力（× 16 構成バージョン） DQ15（データ入出力，ワードモード時） ， A-1（LSB アドレス入力，バイトモード時） チップイネーブル 出力イネーブル ライトイネーブル ハードウェアライトプロテクト / アクセラレーション端子 ハードウェアリセット端子，アクティブ = Low 8 ビット / 16 ビットモード選択 Ready / Busy 出力 3.0 V 単一電源 （スピードオプションおよび許容電源電圧については， 「製品ガイド」を参照してください） グラウンド ノーコネクション（内部的に接続されていない端子） ロジックシンボル 21 16 または 8 A20 ～ A0 DQ15 ～ DQ0 (A-1) CE# OE# WE# WP#/ACC RESET# RY/BY# BYTE# 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 11 A D V A N C E I N F O R M A T I O N オーダ型格 オーダ番号（有効な組合せ）は，下記の組合せで構成されます。 S29JL032H 60 T A I 00 0 パッケージタイプ 0 2 3 = = = トレイ 7 インチテープ＆リール 13 インチテープ＆リール モデル番号 01 02 21 22 31 32 41 42 = = = = = = = = トップブートデバイス，4 バンク： 4 / 12 / 12 / 4 Mb ボトムブートデバイス，4 バンク： 4 / 12 / 12 / 4 Mb トップブートデバイス，2 バンク： 4 / 28 Mb ボトムブートデバイス，2 バンク： 4 / 28 Mb トップブートデバイス，2 バンク： 8 / 24 Mb ボトムブートデバイス，2 バンク： 8 / 24 Mb トップブートデバイス，2 バンク： 16 / 16 Mb ボトムブートデバイス，2 バンク： 16 / 16 Mb 温度範囲 I = インダストリアル（–40°C ～ +85°C） パッケージ材 A F = = スタンダード 鉛フリー パッケージタイプ T = TSOP（シンスモールアウトラインパッケージ）スタンダードの端子配列 スピードバージョン 60 70 90 = = = 60 ns 70 ns 90 ns デバイスファミリ S29JL032H 3.0 V 単一電源，32 M ビット（2 M × 16 ビット / 4 M × 8 ビット）リード / ライト同時実行フラッシュメモリ 130 nm プロセステクノロジで製造 S29JL032H 有効な組合せ デバイスファミリ スピード バージョン パッケージ＆温度 モデル番号 パッケージタイプ パッケージタイプ 01 02 S29JL032H 60 70 90 （注 2） 21 TAI TFI 22 31 32 0 2 3 （注 1） TS048 TSOP 41 42 注: 1. 0 タイプが標準品です。その他，必要なオプションを指定してください。 2. スピードバージョンにより，動作 VCC 電源電圧範囲が異なります。 有効な組合せ 有効な組合せは，このデバイスの構成をリストしたものです（ただし，大量受注時のみサ ポート予定）。ご使用になる組合せの有無，ならびに新たにリリースされる組合せについて は，担当営業までお問い合わせください。 12 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N デバイス バス動作 このセクションでは，デバイス バスの動作条件および使用方法について説明します。デバ イス バス動作は，内部コマンドレジスタにより開始します。コマンドレジスタ自身は，ア ドレス可能なメモリロケーションを占有しません。このレジスタは，コマンドならびにコ マンドの実行に必要なアドレスやデータ情報を格納するためのラッチとなります。レジス タの内容は，内部のステートマシンへの入力となります。ステートマシンからの出力によ り，デバイスの機能が制御されます。表 1 にデバイス バス動作と各入力条件，制御レベ ル，ならびに出力をまとめてあります。それぞれの動作についてはこの後，詳しく説明し ます。 表 1. S29JL032H デバイス バス動作 DQ15 ～ DQ8 動作 CE# OE# WE# RESET# WP#/ACC アドレス （注 1） BYTE# = VIH BYTE# = VIL DQ7 ～ DQ0 DQ14–DQ8 = HighZ, DQ15 = A-1 DOUT リード L L H H L/H AIN DOUT ライト L H L H （注 3） AIN DIN VCC ± 0.3 V X X VCC ± 0.3 V L/H X High-Z High-Z High-Z 出力ディセーブル L H H H L/H X High-Z High-Z High-Z リセット X X X L L/H X High-Z High-Z High-Z セクタプロテクト （注 2） L H L VID L/H SA, A6 = L, A1 = H, A0 = L X X DIN セクタプロテクト 解除（注 2） L H L VID （注 3） SA, A6 = H, A1 = H, A0 = L X X DIN 一時的セクタプロ テクト解除 X X X VID （注 3） AIN DIN High-Z DIN スタンバイ DIN 凡例：L = 論理 Low = VIL，H = 論理 High = VIH，VID = 11.5–12.5 V，VHH = 9.0 ± 0.5V，X = 任意，SA = セクタアドレス， AIN = アドレス入力，DIN = データ入力，DOUT = データ出力 注： 1. アドレスは，ワードモード時 A20：A0（BYTE# = VIH） ，バイトモード時 A20：A-1（BYTE# = VIL）となります。 2. セクタプロテクト機能，およびセクタプロテクト解除機能は，プログラミング装置からも実行できます。「セクタ / セク タブロック プロテクト設定 / プロテクト解除」のセクションを参照してください。 3. WP# / ACC = VIL 印加時，一番外側のブートセクタはプロテクトされたままになります。WP# / ACC = VIH を印加すると，一 番外側のブートセクタ 2 個のプロテクト状態は， 「セクタ / セクタブロック プロテクト設定 / プロテクト解除」で説明している方 法により設定された直前の状態（プロテクトまたはプロテクト解除）に従います。WP# / ACC = VHH を印加すると，セクタは すべてプロテクト解除されます。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 13 A D V A N C E I N F O R M A T I O N ワード / バイト構成 BYTE# 端子により，デバイスのデータ入出力端子がバイト構成，ワード構成のどちらで作 動するかが決まります。BYTE# 端子を論理「1」にセットすると，デバイスはワード構成 となり，DQ15 ～ DQ0 がアクティブとなって，CE# および OE# により制御されます。 BYTE# 端子を論理「0」にセットすると，デバイスはバイト構成となり，データ入出力端 子 DQ7 ～ DQ0 のみがアクティブとなって，CE# および OE# により制御されます。デー タ入出力端子（DQ14 ～ DQ8）はトライステートとなり，LSB（A-1）アドレス機能の入 力として DQ15 端子を使用します。 アレイデータをリードするための要件 出力からデータアレイをリードするには，システムは CE# 端子と OE# 端子を VIL にしな ければなりません。CE# は電力制御を行ない，デバイスを選択します。また，OE# は出 力制御を行ない，データアレイを各出力ピンへ送出します。WE# は，VIH に保持する必要 があります。BYTE# 端子により，デバイスがデータアレイをワード，バイトのどちらで出 力するかが決まります。 電源投入時，またはハードウェアリセット後，内部のステートマシンはデータアレイのリー ド状態に設定されます。これにより，電源変動時でも，メモリの内容が誤って変更されな いようにしています。このモードでデータアレイをリードする場合，コマンドは特に必要 ありません。標準マイクロプロセッサのリードサイクルで，デバイスのアドレス入力へ有 効なアドレスをアサートすると，デバイスのデータ出力から有効なデータが出力されます。 コマンドレジスタの内容が変更されるまで，各バンクはリードアクセス可能状態です。 タイミング仕様については AC 特性の「リードオンリ動作」の表を，また，タイミング図 については図 13 を参照してください。DC 特性表の ICC1 は，データアレイのリード時に おけるアクティブ電流仕様を表しています。 コマンド / コマンドシーケンスのライト コマンドまたはコマンドシーケンスをライトするには（デバイスへのデータのプログラミ ングやメモリセクタのイレーズ動作を含みます） ，システムは WE# および CE# を VIL に， また，OE# を VIH にセットしなければなりません。 書込み動作の場合，BYTE# 端子により，デバイスがバイト，ワードのどちらのプログラム 「ワード / バイト構成」を参照してください。 データを受付けるかが決まります。 詳しくは， このデバイスは，高速プログラミングを可能にするアンロックバイパスモードを搭載してい ます。アンロックバイパスモードでは，ワードまたはバイトのプログラムに必要なライトサ イクルが 4 回ではなく，2 回のみとなります。標準モードとアンロックバイパスモードの両 モードで，コマンドシーケンスによりデバイスにデータをプログラムする方法については， 「バイト / ワードプログラムコマンドシーケンス」のセクションで詳しく説明します。 イレーズ動作では，指定されたセクタまたは複数のセクタをイレーズすることが可能で あり，デバイス全体をイレーズすることも可能です。各セクタが占有するアドレス空間 「セクタアドレス」とは，セクタを一意的に選択 を表 3 および表 4 に示します。同様に， するのに必要なアドレスビットのことです。セクタやチップ全体を消去したり，イレー ズ動作の中断 / 復帰については，「コマンドの定義」のセクションで詳しく説明します。 このデバイスのアドレス空間は 4 つのバンクで構成されています。「バンクアドレス」と は，バンクを一意的に選択するのに必要なアドレスビットのことです。 DC 特性表の ICC2 は，ライトモード時におけるアクティブ電流仕様を示しています。また， ライト動作のタイミング仕様表，およびタイミング図については， 「AC 特性」のセクショ ンを参照してください。 14 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N アクセラレーションプログラム動作 このデバイスは，ACC 機能により，アクセラレーションプログラム動作が可能です。これ は，WP# / ACC 端子により実現される 2 種類の機能の一つです。この機能は，本来，工 場での製造スループットを高めるために設計されたものです。 システムにより，この端子に VHH がアサートされると，デバイスは自動的に上記のアン ロックバイパスモードに入り，プロテクトされたセクタをすべて一時的に解除し，端子に 印加された高電圧によりプログラム動作に要する時間を短縮します。システムは，アンロッ クバイパスモードに必要なプログラムコマンドシーケンス（2 回サイクル）を使用するこ とになります。WP# / ACC 端子の VHH を解除すると，デバイスは通常の動作に戻ります。 ただし，アクセラレーションプログラミング以外の動作を行なう場合は，WP# / ACC 端 子に VHH をアサートしないでください。他の動作時の場合，デバイスに損傷を与えること があります。また，デバイスの動作が不安定になりますので，WP# / ACC 端子をフロー ティングまたは未接続のままにしないでください。関連する情報として，25 ページの「ラ イトプロテクト（WP#）」を参照してください。 オートセレクト機能 システムからオートセレクトコマンドシーケンスがライトされると，デバイスはオートセ レクトモードになります。このモードのとき，システムは（メモリアレイとは別個の）内 部レジスタ DQ15 ～ DQ0 からオートセレクトコードをリードすることができます。この モードのタイミングは標準のリードサイクルとなります。詳しくは， 「オートセレクトモー ド」および「オートセレクトコマンドシーケンス」を参照してください。 遅延時間ゼロで同時に実行可能なリード / ライト動作 このデバイスは，メモリ内のあるバンクに対してプログラムまたはイレーズ動作を実行し ながら，別のいずれかのメモリバンクからデータをリードすることができます。また，イ レーズ動作を中断して，同じバンク内の（イレーズ対象セクタ以外の）別の位置からデー タをリードしたり，同位置へデータをプログラムすることもできます。同時実行時，リー ド / ライトサイクルが切替遅延ゼロで開始する様子を図 20 に示します。プログラム中の リード動作およびイレーズ中のリード動作に関する現行仕様を「DC 特性」の表の ICC6 お よび ICC7 にそれぞれ示します。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 15 A D V A N C E I N F O R M A T I O N スタンバイモード システムがデバイスに対してリードもライトも行なっていない場合，デバイスをスタンバ イモードに設定します。このモードでは，消費電流を著しく低減でき，OE# 入力にかかわ らず，各出力は高インピーダンス状態に保持されます。 CE# および RESET# の両端子を VCC ± 0.3 V にすると，デバイスは CMOS スタンバイ 。CE# およ モードになります（この場合，VIH よりも，電圧範囲が厳しく制限されます） び RESET# 端子が VCC ± 0.3 V の範囲内に入っていなくても，VIH にセットすれば，デ バイスはスタンバイモードになりますが，スタンバイ電流値は高くなります。デバイスが いずれかのスタンバイモードにあるとき，リードアクセス時間は標準のアクセスタイム （tCE）となり，この時間が経過した後にデータをリードできるようになります。 イレーズまたはプログラミング時にデバイスを選択解除しても，その動作が完了するまで デバイスはアクティブ電流を消費します。 スタンバイ電流仕様を DC 特性の表の ICC3 に示します。 オートマチックスリープモード オートマチックスリープモードは，フラッシュデバイスの消費エネルギーを最小限に抑え るモードです。tACC+30 ns にわたってアドレスが変わらないと，デバイスは自動的にこ のモードになります。オートマチックスリープモードは，CE#，WE#，および OE# 制御 信号とは関係がありません。アドレスが変わると，標準のアドレスアクセスタイミングに より，新しいデータが出力されます。スリープモード時でも，出力データはラッチされま すのでシステムはいつでもアクセスできます。オートマチックスリープモード電流仕様を DC 特性の表の ICC5 に示します。 RESET#：ハードウェアリセット端子 RESET# 端子は，デバイスをハードウェア的にリセットしてデータアレイをリードできる 状態にします。RESET# 端子を tRP 時間以上，Low にすると，デバイスは直ちに実行中の 動作をすべて終了し，出力端子をすべてトライステートにし，RESET# パルス時間内の リード / ライトコマンドをすべて無視します。また，デバイスは内部のステートマシンを リセットして，データアレイをリードできるようにします。データの完全性を確保するに は，デバイスがコマンドシーケンスを受けられるようになったとき，中断された動作を再 実行することが必要です。 消費電流は，RESET# パルス時間の間，低減されます。RESET# が VSS ± 0.3 V に保持 されると，本デバイスは CMOS スタンバイ電流（ICC4）を消費します。RESET# が VIL に 保持されていても，VSS ± 0.3 V の範囲内にないと，スタンバイ電流は大きくなります。 RESET# 端子は，システム側のリセット回路と接続してもかまいません。このようにする と，システムリセットを実行するとフラッシュメモリもリセットされますので，フラッシュ メモリの起動ファームウェアをホストシステムに読込ませることができます。 プログラムまたはイレーズ動作中に RESET# がアサートされると，RY / BY# 端子は，内 部リセット動作が完了するまで「0」 （Busy）に保持されます。つまり，tREADY（自動アル ゴリズム実行中）時間が必要です。したがって，RY / BY# をモニタする事により，リセッ ト動作が完了したかを調べることができます。プログラムまたはイレーズ動作が実行され ていない（RY / BY# 端子が「1」 ）ときに，RESET# がアサートされると，リセット動作 は tREADY（自動アルゴリズム未実行中）時間内に完了します。RESET# 端子が VIH に復 帰して，tRH 後にデータをリードできるようになります。 RESET# パラメータについては「AC 特性」の表を，タイミング図については図 14 を参 照してください。 16 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 出力ディセーブルモード OE# 入力が VIH になると，デバイスからの出力がオフになります。出力端子は高インピー ダンス状態に設定されます。 表 2. バンク 1 デバイス モデル番号 メガビット セクタサイズ 01, 02 4M ビット 8× 8K バイト / 4K ワード， 7× 64K バイト / 32K ワード S29JL032H バンクアーキテクチャ バンク 2 バンク 3 バンク 4 メガビット セクタサイズ メガビット セクタサイズ メガビット セクタサイズ 12M ビット 24 × 64K バイト / 32K ワード 12M ビット 24 × 64K バイト / 32K ワード 4M ビット 8 × 64K バイト / 32K ワード バンク 1 バンク 2 デバイス モデル番号 メガビット セクタサイズ メガビット 21, 22 4M ビット 8 × 8K バイト / 4K ワード 7 × 64K バイト / 32K ワード 28M ビット 31, 32 8M ビット 8 × 8K バイト / 4K ワード 15 × 64K バイト / 32K ワード 24M ビット 48 × 64K バイト / 32K ワード 41, 42 16M ビット 8 × 8K バイト / 4K ワード 31 × 64K バイト / 32K ワード 16M ビット 32 × 64K バイト / 32K ワード 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H セクタサイズ 56 × 64K バイト / 32K ワード 17 A D V A N C E S29JL032H（モデル 01） バンク 3 バンク 2 バンク 2 バンク 2 バンク 4 S29JL032H（モデル 21） S29JL032H（モデル 31） S29JL032H（モデル 41） 表 3. 18 I N F O R M A T I O N S29JL032H セクタアドレス － トップブートデバイス セクタ セクタアドレス A20 ～ A12 セクタサイズ （K バイト / K ワード） （× 8） アドレス範囲 （× 16） アドレス範囲 SA0 000000xxx 64/32 000000h ～ 00FFFFh 000000h ～ 07FFFh SA1 000001xxx 64/32 010000h ～ 01FFFFh 008000h ～ 0FFFFh SA2 000010xxx 64/32 020000h ～ 02FFFFh 010000h ～ 17FFFh SA3 000011xxx 64/32 030000h ～ 03FFFFh 018000h ～ 01FFFFh SA4 000100xxx 64/32 040000h ～ 04FFFFh 020000h ～ 027FFFh SA5 000101xxx 64/32 050000h ～ 05FFFFh 028000h ～ 02FFFFh SA6 000110xxx 64/32 060000h ～ 06FFFFh 030000h ～ 037FFFh SA7 000111xxx 64/32 070000h ～ 07FFFFh 038000h ～ 03FFFFh SA8 001000xxx 64/32 080000h ～ 08FFFFh 040000h ～ 047FFFh SA9 001001xxx 64/32 090000h ～ 09FFFFh 048000h ～ 04FFFFh SA10 001010xxx 64/32 0A0000h ～ 0AFFFFh 050000h ～ 057FFFh SA11 001011xxx 64/32 0B0000h ～ 0BFFFFh 058000h ～ 05FFFFh SA12 001100xxx 64/32 0C0000h ～ 0CFFFFh 060000h ～ 067FFFh SA13 001101xxx 64/32 0D0000h ～ 0DFFFFh 068000h ～ 06FFFFh SA14 001110xxx 64/32 0E0000h ～ 0EFFFFh 070000h ～ 077FFFh SA15 001111xxx 64/32 0F0000h ～ 0FFFFFh 078000h ～ 07FFFFh SA16 010000xxx 64/32 100000h ～ 10FFFFh 080000h ～ 087FFFh SA17 010001xxx 64/32 110000h ～ 11FFFFh 088000h ～ 08FFFFh SA18 010010xxx 64/32 120000h ～ 12FFFFh 090000h ～ 097FFFh SA19 010011xxx 64/32 130000h ～ 13FFFFh 098000h ～ 09FFFFh SA20 010100xxx 64/32 140000h ～ 14FFFFh 0A0000h ～ 0A7FFFh SA21 010101xxx 64/32 150000h ～ 15FFFFh 0A8000h ～ 0AFFFFh SA22 010110xxx 64/32 160000h ～ 16FFFFh 0B0000h ～ 0B7FFFh SA23 010111xxx 64/32 170000h ～ 17FFFFh 0B8000h ～ 0BFFFFh SA24 011000xxx 64/32 180000h ～ 18FFFFh 0C0000h ～ 0C7FFFh SA25 011001xxx 64/32 190000h ～ 19FFFFh 0C8000h ～ 0CFFFFh SA26 011010xxx 64/32 1A0000h ～ 1AFFFFh 0D0000h ～ 0D7FFFh SA27 011011xxx 64/32 1B0000h ～ 1BFFFFh 0D8000h ～ 0DFFFFh SA28 011100xxx 64/32 1C0000h ～ 1CFFFFh 0E0000h ～ 0E7FFFh SA29 011101xxx 64/32 1D0000h ～ 1DFFFFh 0E8000h ～ 0EFFFFh SA30 011110xxx 64/32 1E0000h ～ 1EFFFFh 0F0000h ～ 0F7FFFh SA31 011111xxx 64/32 1F0000h ～ 1FFFFFh 0F8000h ～ 0FFFFFh S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E S29JL032H（モデル 01） バンク 2 S29JL032H（モデル 21） バンク 2（続き） S29JL032H（モデル 31） バンク 1 バンク 1 バンク 1 バンク 1 バンク 2（続き） S29JL032H（モデル 41） 表 3. I N F O R M A T I O N S29JL032H セクタアドレス － トップブートデバイス（続き） セクタ セクタアドレス A20 ～ A12 セクタサイズ （K バイト / K ワード） （× 8） アドレス範囲 （× 16） アドレス範囲 SA32 100000xxx 64/32 200000h ～ 20FFFFh 100000h ～ 107FFFh SA33 100001xxx 64/32 210000h ～ 21FFFFh 108000h ～ 10FFFFh SA34 100010xxx 64/32 220000h ～ 22FFFFh 110000h ～ 117FFFh SA35 100011xxx 64/32 230000h ～ 23FFFFh 118000h ～ 11FFFFh SA36 100100xxx 64/32 240000h ～ 24FFFFh 120000h ～ 127FFFh SA37 100101xxx 64/32 250000h ～ 25FFFFh 128000h ～ 12FFFFh SA38 100110xxx 64/32 260000h ～ 26FFFFh 130000h ～ 137FFFh SA39 100111xxx 64/32 270000h ～ 27FFFFh 138000h ～ 13FFFFh SA40 101000xxx 64/32 280000h ～ 28FFFFh 140000h ～ 147FFFh SA41 101001xxx 64/32 290000h ～ 29FFFFh 148000h ～ 14FFFFh SA42 101010xxx 64/32 2A0000h ～ 2AFFFFh 150000h ～ 157FFFh SA43 101011xxx 64/32 2B0000h ～ 2BFFFFh 158000h ～ 15FFFFh SA44 101100xxx 64/32 2C0000h ～ 2CFFFFh 160000h ～ 167FFFh SA45 101101xxx 64/32 2D0000h ～ 2DFFFFh 168000h ～ 16FFFFh SA46 101110xxx 64/32 2E0000h ～ 2EFFFFh 170000h ～ 177FFFh SA47 101111xxx 64/32 2F0000h ～ 2FFFFFh 178000h ～ 17FFFFh SA48 110000xxx 64/32 300000h ～ 30FFFFh 180000h ～ 187FFFh SA49 110001xxx 64/32 310000h ～ 31FFFFh 188000h ～ 18FFFFh SA50 110010xxx 64/32 320000h ～ 32FFFFh 190000h ～ 197FFFh SA51 110011xxx 64/32 330000h ～ 33FFFFh 198000h ～ 19FFFFh SA52 110100xxx 64/32 340000h ～ 34FFFFh 1A0000h ～ 1A7FFFh SA53 110101xxx 64/32 350000h ～ 35FFFFh 1A8000h ～ 1AFFFFh SA54 110110xxx 64/32 360000h ～ 36FFFFh 1B0000h ～ 1BFFFFh SA55 110111xxx 64/32 370000h ～ 37FFFFh 1B8000h ～ 1BFFFFh SA56 111000xxx 64/32 380000h ～ 38FFFFh 1C0000h ～ 1C7FFFh SA57 111001xxx 64/32 390000h ～ 39FFFFh 1C8000h ～ 1CFFFFh SA58 111010xxx 64/32 3A0000h ～ 3AFFFFh 1D0000h ～ 1DFFFFh SA59 111011xxx 64/32 3B0000h ～ 3BFFFFh 1D8000h ～ 1DFFFFh SA60 111100xxx 64/32 3C0000h ～ 3CFFFFh 1E0000h ～ 1E7FFFh SA61 111101xxx 64/32 3D0000h ～ 3DFFFFh 1E8000h ～ 1EFFFFh SA62 111110xxx 64/32 3E0000h ～ 3EFFFFh 1F0000h ～ 1F7FFFh SA63 111111000 8/4 3F0000h ～ 3F1FFFh 1F8000h ～ 1F8FFFh SA64 111111001 8/4 3F2000h ～ 3F3FFFh 1F9000h ～ 1F9FFFh SA65 111111010 8/4 3F4000h ～ 3F5FFFh 1FA000h ～ 1FAFFFh SA66 111111011 8/4 3F6000h ～ 3F7FFFh 1FB000h ～ 1FBFFFh SA67 111111100 8/4 3F8000h ～ 3F9FFFh 1FC000h ～ 1FCFFFh SA68 111111101 8/4 3FA000h ～ 3FBFFFh 1FD000h ～ 1FDFFFh SA69 111111110 8/4 3FC000h ～ 3FDFFFh 1FE000h ～ 1FEFFFh SA70 111111111 8/4 3FE000h ～ 3FFFFFh 1FF000h ～ 1FFFFFh 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 19 A D V A N C E バンク 2 S29JL032H（モデル 02） バンク 1 S29JL032H（モデル 22） 20 バンク 2 バンク 2 バンク 1 バンク 1 バンク 1 S29JL032H（モデル 32） S29JL032H（モデル 42） 表 4. I N F O R M A T I O N S29JL032H セクタアドレス － ボトムブートデバイス セクタ セクタアドレス A20 ～ A12 セクタサイズ （K バイト / K ワード） （× 8） アドレス範囲 （× 16） アドレス範囲 SA0 000000000 8/4 000000h ～ 001FFFh 000000h ～ 000FFFh SA1 000000001 8/4 002000h ～ 003FFFh 001000h ～ 001FFFh SA2 000000010 8/4 004000h ～ 005FFFh 002000h ～ 002FFFh SA3 000000011 8/4 006000h ～ 007FFFh 003000h ～ 003FFFh SA4 000000100 8/4 008000h ～ 009FFFh 004000h ～ 004FFFh SA5 000000101 8/4 00A000h ～ 00BFFFh 005000h ～ 005FFFh SA6 000000110 8/4 00C000h ～ 00DFFFh 006000h ～ 006FFFh SA7 000000111 8/4 00E000h ～ 00FFFFh 007000h ～ 007FFFh SA8 000001xxx 64/32 010000h ～ 01FFFFh 008000h ～ 00FFFFh SA9 000010xxx 64/32 020000h ～ 02FFFFh 010000h ～ 017FFFh SA10 000011xxx 64/32 030000h ～ 03FFFFh 018000h ～ 01FFFFh SA11 000100xxx 64/32 040000h ～ 04FFFFh 020000h ～ 027FFFh SA12 000101xxx 64/32 050000h ～ 05FFFFh 028000h ～ 02FFFFh SA13 000110xxx 64/32 060000h ～ 06FFFFh 030000h ～ 037FFFh SA14 000111xxx 64/32 070000h ～ 07FFFFh 038000h ～ 03FFFFh SA15 001000xxx 64/32 080000h ～ 08FFFFh 040000h ～ 047FFFh SA16 001001xxx 64/32 090000h ～ 09FFFFh 048000h ～ 04FFFFh SA17 001010xxx 64/32 0A0000h ～ 0AFFFFh 050000h ～ 057FFFh SA18 001011xxx 64/32 0B0000h ～ 0BFFFFh 058000h ～ 05FFFFh SA19 001100xxx 64/32 0C0000h ～ 0CFFFFh 060000h ～ 067FFFh SA20 001101xxx 64/32 0D0000h ～ 0DFFFFh 068000h ～ 06FFFFh SA21 001110xxx 64/32 0E0000h ～ 0EFFFFh 070000h ～ 077FFFh SA22 001111xxx 64/32 0F0000h ～ 0FFFFFh 078000h ～ 07FFFFh SA23 010000xxx 64/32 100000h ～ 10FFFFh 080000h ～ 087FFFh SA24 010001xxx 64/32 110000h ～ 11FFFFh 088000h ～ 08FFFFh SA25 010010xxx 64/32 120000h ～ 12FFFFh 090000h ～ 097FFFh SA26 010011xxx 64/32 130000h ～ 13FFFFh 098000h ～ 09FFFFh SA27 010100xxx 64/32 140000h ～ 14FFFFh 0A0000h ～ 0A7FFFh SA28 010101xxx 64/32 150000h ～ 15FFFFh 0A8000h ～ 0AFFFFh SA29 010110xxx 64/32 160000h ～ 16FFFFh 0B0000h ～ 0B7FFFh SA30 010111xxx 64/32 170000h ～ 17FFFFh 0B8000h ～ 0BFFFFh SA31 011000xxx 64/32 180000h ～ 18FFFFh 0C0000h ～ 0C7FFFh SA32 011001xxx 64/32 190000h ～ 19FFFFh 0C8000h ～ 0CFFFFh SA33 011010xxx 64/32 1A0000h ～ 1AFFFFh 0D0000h ～ 0D7FFFh SA34 011011xxx 64/32 1B0000h ～ 1BFFFFh 0D8000h ～ 0DFFFFh SA35 011100xxx 64/32 1C0000h ～ 1CFFFFh 0E0000h ～ 0E7FFFh SA36 011101xxx 64/32 1D0000h ～ 1DFFFFh 0E8000h ～ 0EFFFFh SA37 011110xxx 64/32 1E0000h ～ 1EFFFFh 0F0000h ～ 0F7FFFh SA38 011111xxx 64/32 1F0000h ～ 1FFFFFh 0F8000h ～ 0FFFFFh S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E S29JL032H（モデル 02） バンク 4 バンク 2（続き） バンク 2（続き） バンク 2 バンク 3 S29JL032H（モデル 22） S29JL032H（モデル 32） S29JL032H（モデル 42） 表 4. I N F O R M A T I O N S29JL032H セクタアドレス － ボトムブートデバイス（続き） セクタ セクタアドレス A20 ～ A12 セクタサイズ （K バイト / K ワード） （× 8） アドレス範囲 （× 16） アドレス範囲 SA39 100000xxx 64/32 200000h ～ 20FFFFh 100000h ～ 107FFFh SA40 100001xxx 64/32 210000h ～ 21FFFFh 108000h ～ 10FFFFh SA41 100010xxx 64/32 220000h ～ 22FFFFh 110000h ～ 117FFFh SA42 100011xxx 64/32 230000h ～ 23FFFFh 118000h ～ 11FFFFh SA43 100100xxx 64/32 240000h ～ 24FFFFh 120000h ～ 127FFFh SA44 100101xxx 64/32 250000h ～ 25FFFFh 128000h ～ 12FFFFh SA45 100110xxx 64/32 260000h ～ 26FFFFh 130000h ～ 137FFFh SA46 100111xxx 64/32 270000h ～ 27FFFFh 138000h ～ 13FFFFh SA47 101000xxx 64/32 280000h ～ 28FFFFh 140000h ～ 147FFFh SA48 101001xxx 64/32 290000h ～ 29FFFFh 148000h ～ 14FFFFh SA49 101010xxx 64/32 2A0000h ～ 2AFFFFh 150000h ～ 157FFFh SA50 101011xxx 64/32 2B0000h ～ 2BFFFFh 158000h ～ 15FFFFh SA51 101100xxx 64/32 2C0000h ～ 2CFFFFh 160000h ～ 167FFFh SA52 101101xxx 64/32 2D0000h ～ 2DFFFFh 168000h ～ 16FFFFh SA53 101110xxx 64/32 2E0000h ～ 2EFFFFh 170000h ～ 177FFFh SA54 110111xxx 64/32 2F0000h ～ 2FFFFFh 178000h ～ 17FFFFh SA55 111000xxx 64/32 300000h ～ 30FFFFh 180000h ～ 187FFFh SA56 110001xxx 64/32 310000h ～ 31FFFFh 188000h ～ 18FFFFh SA57 110010xxx 64/32 320000h ～ 32FFFFh 190000h ～ 197FFFh SA58 110011xxx 64/32 330000h ～ 33FFFFh 198000h ～ 19FFFFh SA59 110100xxx 64/32 340000h ～ 34FFFFh 1A0000h ～ 1A7FFFh SA60 110101xxx 64/32 350000h ～ 35FFFFh 1A8000h ～ 1AFFFFh SA61 110110xxx 64/32 360000h ～ 36FFFFh 1B0000h ～ 1B7FFFh SA62 110111xxx 64/32 370000h ～ 37FFFFh 1B8000h ～ 1BFFFFh SA63 111000xxx 64/32 380000h ～ 38FFFFh 1C0000h ～ 1C7FFFh SA64 111001xxx 64/32 390000h ～ 39FFFFh 1C8000h ～ 1CFFFFh SA65 111010xxx 64/32 3A0000h ～ 3AFFFFh 1D0000h ～ 1D7FFFh SA66 111011xxx 64/32 3B0000h ～ 3BFFFFh 1D8000h ～ 1DFFFFh SA67 111100xxx 64/32 3C0000h ～ 3CFFFFh 1E0000h ～ 1E7FFFh SA68 111101xxx 64/32 3D0000h ～ 3DFFFFh 1E8000h ～ 1EFFFFh SA69 111110xxx 64/32 3E0000h ～ 3EFFFFh 1F0000h ～ 1F7FFFh SA70 111111xxx 64/32 3F0000h ～ 3F1FFFh 1F8000h ～ 1FFFFFh 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 21 A D V A N C E I N F O R M A T I O N オートセレクトモード オートセレクトモードは，製造メーカ，デバイス ID，セクタプロテクトの有無を表す識別 子コードを DQ7 ～ DQ0 から出力します。このモードは，本来，プログラムするデバイス に対応したプログラミングアルゴリズムをプログラミング装置が自動的に設定できるよう に設計されたものです。ただし，オートセレクトコードは，コマンドレジスタにより，シ ステムに実装した状態でもアクセスすることができます。 プログラミング装置を使用する場合，オートセレクトモードに入るにはアドレス端子 A9 に VID が与えられなければなりません。また，アドレス端子は表 5 に従っていなければな りません。さらに，セクタプロテクトの設定を検証する場合は，セクタアドレスが適切な 上位アドレスビットに与えられる必要があります。その他のアドレスビット（内容は「任 意」）を表 5 に示します。必要なビットがすべて条件通りに設定されていると，プログラ ミング装置は DQ7 ～ DQ0 から識別子コードをリードすることができます。ただし，シス テムに実装したまま，たとえば，S29JL032H をシステムに実装してイレーズまたはプロ グラムする場合，A9 端子に高電圧を印加しなくても，コマンドレジスタからオートセレ クトコードにアクセスすることもできます。コマンドシーケンスを表 13 に示します。オー トセレクトコマンドの 3 回目のライトサイクル時にアドレスビット A20，A19，および A18 からバンクアドレス（BA）がアサートされると，ホストシステムはそのバンクから オートセレクトデータをリードし，すぐに別のバンクからデータアレイを，オートセレク トモードを終了することなく，リードすることができます。 システムに実装した状態でオートセレクトコードにアクセスするには，表 13 に示すように，ホ ストシステムからコマンドレジスタによりオートセレクトコマンドを実行します。この場合， VID を必要としません。詳しくは， 「オートセレクトコマンドシーケンス」を参照してください。 表 5. 説明 デバイス ID （モデル 01，02） 製造メーカ ID： Spansion 製品 CE# OE# WE# L L H S29JL032H オートセレクトコード（高電圧方式） A20 ～ A12 A11 ～ A10 BA X A9 A8 ～ A7 VID X リード サイクル 1 リード サイクル 2 A6 A3 A2 A1 A0 L X L L L L X L L L H 22h H H H L 22h H H H H 22h L L L H BA X VID X リード サイクル 3 DQ15 ～ DQ8 A5 ～ A4 L X L BYTE# BYTE# = VIH = VIL X DQ7 ～ DQ0 01h 7Eh X 0Ah 00h（ボトムブート） 01h（トップブート） デバイス ID （モデル 21，22） L L H BA X VID X L X X X L H 22h X 56h（ボトムブート） 55h（トップブート） デバイス ID （モデル 31，32） L L H BA X VID X L X X X L H 22h X 53h（ボトムブート） 50h（トップブート） デバイス ID （モデル 41，42） L L H BA X VID X L X X X L H 22h X 5Fh（ボトムブート） 5Ch（トップブート） セクタプロテクトの 検証 L L H SA X VID X L X L L H L X X 01h（保護設定） 00h（保護解除） SecSi インジケータ ビット （DQ6，DQ7） L L H BA X VID X L X L L H H X X 82h（工場にてロック 設定）， 42h（ユーザによる ロック設定），02h （工場 / ユーザによる ロック設定以外） 凡例：L = 論理 Low = VIL，H = 論理 High = VIH，BA = バンクアドレス，SA = セクタアドレス，X = 任意。 22 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N セクタ / セクタブロック プロテクト設定 / プロテクト解除 注 : 下記の説明では， 「セクタ」は，セクタおよびセクタブロックの両方を意味します。セ クタブロックとは，同時にプロテクト設定または解除される，隣り合ったセクタ 2 個以上 で構成されます（表 6 を参照してください）。 ハードウェアセクタプロテクト機能は，メモリ内の任意のセクタの組合せに対して，プロ グラムとイレーズ動作を禁止することができます。ハードウェアセクタプロテクト解除機 能は，保護を設定されているセクタに対して，プログラムとイレーズ動作を実行できるよ うにします。セクタのプロテクト設定 / プロテクト解除を行なう方法は 2 通りあります。 表 6. S29JL032H ブートセクタ / セクタブロックアドレス（プロテクト設定 / プロテクト解除） A20–A12 ࠢ࠲ ࠢ࠲ࡉࡠ࠶ࠢࠨࠗ࠭ SA0 000000XXX 64 K ࡃࠗ࠻ SA1-SA3 000001XXX, 000010XXX 000011XXX 192 (3x64) K ࡃࠗ࠻ SA4-SA7 0001XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ ࠢ࠲ 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 SA8-SA11 0010XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA12-SA15 0011XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA16-SA19 0100XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA20-SA23 0101XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA24-SA27 0110XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA28-SA31 0111XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA32-SA35 1000XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA36-SA39 1001XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA40-SA43 1010XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA44-SA47 1011XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA48-SA51 1100XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA52-SA55 1101XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA56-SA59 1110XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA60-SA62 111100XXX, 111101XXX, 111110XXX 192 (3x64) K ࡃࠗ࠻ SA63 111111000 8 K ࡃࠗ࠻ SA64 111111001 8 K ࡃࠗ࠻ SA65 111111010 8 K ࡃࠗ࠻ SA66 111111011 8 K ࡃࠗ࠻ SA67 111111100 8 K ࡃࠗ࠻ SA68 111111101 8 K ࡃࠗ࠻ SA69 111111110 8 K ࡃࠗ࠻ SA70 111111111 8 K ࡃࠗ࠻ S29JL032H 23 A D V A N C E 表 7. I N F O R M A T I O N S29JL032H ボトムブートセクタ / セクタブロックアドレス（プロテクト設定 / プロテクト解除） ࠢ࠲ A20–A12 ࠢ࠲ ࠢ࠲ࡉࡠ࠶ࠢࠨࠗ࠭ SA70 111111XXX SA69-SA67 111110XXX, 111101XXX, 111100XXX 192 (3x64) K ࡃࠗ࠻ SA66-SA63 1110XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA62-SA59 1101XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA58-SA55 1100XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA54-SA51 1011XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA50-SA47 1010XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA46-SA43 1001XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA42-SA39 1000XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA38-SA35 0111XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA34-SA31 0110XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA30-SA27 0101XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA26-SA23 0100XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA22–SA19 0011XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA18-SA15 0010XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA14-SA11 0001XXXXX 256 (4x64) K ࡃࠗ࠻ SA10-SA8 000011XXX, 000010XXX, 000001XXX 192 (3x64) K ࡃࠗ࠻ SA7 000000111 8K ࡃࠗ࠻ SA6 000000110 8K ࡃࠗ࠻ SA5 000000101 8K ࡃࠗ࠻ SA4 000000100 8K ࡃࠗ࠻ SA3 000000011 8K ࡃࠗ࠻ SA2 000000010 8K ࡃࠗ࠻ SA1 000000001 8K ࡃࠗ࠻ SA0 000000000 8K ࡃࠗ࠻ 64 Kby セクタのプロテクト設定 / プロテクト解除に必要な条件は RESET# 端子に VID を印加す るだけですので，システムに実装中でも，プログラミング装置からでも実行できます。そ のアルゴリズムを図 2 に，また，タイミング図を図 25 に示します。セクタのプロテクト 解除では，セクタプロテクト解除ライトサイクルの前に，まず，プロテクト解除されてい るセクタをすべて保護設定してください。セクタプロテクト解除アルゴリズムは，すべて のセクタを一度にプロテクト解除しますので注意してください。したがって，プロテクト されていたセクタはすべて，プロテクトを個別に再設定しなければなりません。プロテク トされたセクタ内のデータを効率よく変更するには，一時的セクタプロテクト解除機能を 使用します。「一時的セクタプロテクト解除」を参照してください。 出荷時，デバイスの全セクタはプロテクトされていません。Spansion プログラミングサー ビス（オプション）では，デバイスのセクタのプログラミングおよびプロテクトを工場に て設定して出荷することができます。詳しくは，担当営業までお問い合わせください。 セクタがプロテクトされているかどうかを調べることができます。詳しくは， 「オートセレ クトモード」を参照してください。 24 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N ライトプロテクト（WP#） ライトプロテクト機能は，VID を印加することなく，特定のブートセクタを保護するハー ドウェア的な方法です。これは，WP# / ACC 端子により実現される 2 種類の機能の一つ です。 システムが WP# / ACC 端子に VIL をアサートすると，「セクタ / セクタブロック プロテ クト設定 / プロテクト解除」で説明した方法に従って一番外側のブートセクタ（8K バイ ト× 2 個）を保護しているかどうかに関わらず，デバイスはこれらのセクタへのプログラ ムおよびイレーズ機能を禁止します。一番外側のブートセクタ（8K バイト× 2 個）とは， 最下位アドレス（ボトムブート構成時）を含むセクタ（2 個） ，または最上位アドレス（トッ プブート構成時）を含むセクタ（2 個）のことです。 システムが WP# / ACC 端子に VIH をアサートすると，一番外側のブートセクタ（8K バ イト× 2 個）は以前の状態（プロテクト状態，またはプロテクト解除状態）に戻ります。 「セクタ / セ すなわち，これら 2 個のセクタのセクタプロテクトまたはプロテクト解除は， クタブロック プロテクト設定 / プロテクト解除」で説明した方式によりプロテクトまたは プロテクト解除されていたかどうかによって決まります。 ただし，デバイスの動作が不安定になりますので，WP# / ACC 端子をフローティングま たは未接続のままにしないでください。 表 8. WP# / ACC モード デバイス モード WP# 入力電圧 VIL 一番外側のブートセクタ 2 個に対するプログラムおよびイレーズ動作を禁止します。 VIH 一番外側のブートセクタ 2 個に対するプログラムおよびイレーズ動作は，直前のプロテクト状 態に従って許可 / 禁止します。 VHH アクセラレーションプログラミング（ACC）を可能にします。15 ページの「アクセラレーショ ンプログラム動作」を参照してください。 一時的セクタプロテクト解除 （注：下記の説明では， 「セクタ」は，セクタおよびセクタブロックの両方を意味します。 セクタブロックとは，同時にプロテクト設定または解除される，隣り合ったセクタ 2 個以 上で構成されます（表 6 および表 7 を参照してください）。 この機能を使うと，保護設定されているセクタを一時的に保護解除し，システムに実装し たままデータを変更することができます。RESET# 端子を VID にセットすると，一時的セ クタプロテクト解除モードになります。このモードでは，プロテクトされていたセクタの セクタアドレスを選択すれば，そのセクタをプログラムまたはイレーズすることができま す。RESET# 端子から VID を解除すると，前にプロテクトされていたセクタはすべて，再 度，プロテクトされます。この機能のアルゴリズムを図 2 に，タイミング図を図 24 に示 します。WP# / ACC 端子に VIL を印加すると，一時的セクタプロテクト解除モード時でも，一 番外側のブートセクタ 2 個はプロテクトされたままになります。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 25 A D V A N C E I N F O R M A T I O N . 開始 RESET# = VID （注 1） イレーズ動作または プログラム動作を実行 RESET# = VIH 一時的セクタ プロテクト解除完了 （注 2） 注: 1. プロテクト設定されていたセクタがすべてプロテクト解 除されます（WP# / ACC = VIL を印加していると，一番 外側のブートセクタ 2 個はプロテクトされたままとなり ます）。 2. 前にプロテクトされていたセクタはすべて，再プロテク トされます。 図 1. 26 一時的セクタプロテクト解除動作 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 㐿ᆎ 㐿ᆎ ోࠢ࠲ࠍ⼔㧦 ⼔⸳ቯߐࠇߡߥ ࠢ࠲ߩߔߴߡߦኻߒߡޔ ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻⸳ቯ ࠕ࡞ࠧ࠭ࡓߩ ࿑␜ߐࠇߚㇱಽࠍታⴕޕ ߘߩᓟޔ ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻⸃㒰 ࠕ࠼ࠬࠍᜰቯޕ PLSCNT = 1 RESET# = VID 1 ms ᓙᯏ ৻ᤨ⊛ ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻ ⸃㒰ࡕ࠼ No PLSCNT = 1 RESET# = VID 1 ms ᓙᯏ ᦨೋߩࠗ࠻ No ࠨࠗࠢ࡞= 60h? ᦨೋߩࠗ࠻ ࠨࠗࠢ࡞ = 60h? Yes Yes ࠢ࠲ࠕ࠼ࠬࠍ ࠶࠻ࠕ࠶ࡊ No ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻㧦 A6 = 0, A1 = 1, A0 = 0 ߩࠢ࠲ࠕ࠼ࠬߦ 60hࠍࠗ࠻ ోࠢ࠲ࠍ ⼔⸳ቯ㧫 Yes ᦨೋߩࠢ࠲ࠕ࠼ࠬࠍ ࠶࠻ࠕ࠶ࡊ ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻⸃㒰㧦 A6 = 1, A1 = 1, A0 = 0 ߩࠢ࠲ࠕ࠼ࠬߦ 60hࠍࠗ࠻ 150 µs ᓙᯏ ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻ ߩᬌ⸽㧦 A6 = 0, A1 = 1, A0 = 0 ߩࠢ࠲ࠕ࠼ࠬߦ 40hࠍࠗ࠻ PLSCNTࠍ Ⴧട ৻ᤨ⊛ ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻ ⸃㒰ࡕ࠼ PLSCNT = 1ߦ ࠶࠻ 15 ms ᓙᯏ A6 = 0, A1 = 1, A0 = 0ߩ ࠢ࠲ࠕ࠼ࠬ߆ࠄ ࠼ ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻⸃㒰 ߩᬌ⸽㧦 A6 = 1, A1 = 1, A0 = 0 ߩࠢ࠲ࠕ࠼ࠬ߆ࠄ 40hࠍࠗ࠻ PLSCNTࠍ Ⴧട No No PLSCNT = 25? A6 = 1, A1 = 1, A0 = 0ߩ ࠢ࠲ࠕ࠼ࠬ߆ࠄ ࠼ ࠺࠲ = 01h? Yes Yes No Yes PLSCNT = 1000? ߩࠢ࠲ࠍ ⼔㧫 ࠺ࡃࠗࠬ㓚 No Yes RESET# ߆ࠄVID ߩ ශടࠍ⸃㒰 ࠺ࡃࠗࠬ㓚 ࠶࠻ࠦࡑࡦ࠼ࠍ ࠗ࠻ ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻ ࠕ࡞ࠧ࠭ࡓ ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻ ቢੌ ᰴߩ ࠢ࠲ࠕ࠼ࠬࠍ ࠶࠻ࠕ࠶ࡊ No ࠺࠲ = 00h? Yes ᦨᓟߩࠢ࠲ ࠍᬌ⸽㧫 No Yes ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻⸃㒰 ࠕ࡞ࠧ࠭ࡓ RESET# ߆ࠄVIDߩ ශടࠍ⸃㒰 ࠶࠻ࠦࡑࡦ࠼ࠍ ࠗ࠻ ࠢ࠲ࡊࡠ࠹ࠢ࠻ ⸃㒰ቢੌ 図 2. 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 セクタプロテクト設定 / プロテクト解除アルゴリズム（システム実装時） S29JL032H 27 A D V A N C E I N F O R M A T I O N SecSi™（セキュアドシリコン）セクタ フラッシュメモリ領域 SecSi（セキュアドシリコン）セクタ機能は，エレクトリックシリアル番号（ESN）によ る永久パーツ ID を可能にするフラッシュメモリ領域を提供します。SecSi セクタは 256 バイト長で，工場出荷時に SecSi セクタがロックされているか否かを SecSi セクタインジ ケータビット（DQ7）から出力します。このビットは工場にて恒久的に設定されるもので， 変更することはできません。これにより，工場にてロックされたパーツを模造できないよ うにしています。また，製品出荷後の ESN のセキュリティを高めています。 本製品の SecSi セクタは，工場によるロック設定と，ユーザによるロック設定のいずれか となります。工場によるロック設定バージョンは工場出荷時に必ずプロテクト設定され， SecSi（セキュアドシリコン）セクタ インジケータビットは恒久的に「1」にセットされ ます。また，ユーザによるロック設定バージョンの SecSi セクタはプロテクトされずに出 荷され，ユーザの仕様に合わせてこのセクタを使用できるようにしています。ユーザによ るロック設定バージョンの SecSi（セキュアドシリコン）セクタ インジケータビットは恒 久的に「0」にセットされます。したがって，この SecSi セクタインジケータビットによ り，工場にてロック設定されたデバイスの代わりとして，ユーザロック可能なバージョン が使用できないようになっています。このセクタがユーザによりロックされると，SecSi ユーザインジケータビット（DQ6）が恒久的に「1」にセットされます。また，工場にて ロックされると恒久的に「0」にセットされます。ユーザによるロックを可能にする場合は 「0」のまま出荷されます。 システムに実装した状態での SecSi™ セクタセキュアへのアクセスは，コマンドシーケン スにより行ないます（「Enter SecSi Sector / Exit SecSi Sector コマンドシーケンス」を 参照してください）。システムが「Enter SecSi Sector」 （SecSi セクタ開始）コマンド シーケンスをライトすると，通常，ブートセクタが占有しているアドレスを使用して SecSi セクタをリードできるようになります。このモードの動作は，システムが「Exit SecSi Sector」（SecSi セクタ終了）コマンドシーケンスを実行するか，デバイスの電源を切断 するまで継続されます。電源投入時，またはハードウェアリセット時，セクタ 0 の最初の 256 バイトへコマンドを送信する状態に復帰します。ただし，SecSi セクタがイネーブル の場合，ACC 機能およびアンロックバイパスモードは使用できません。 工場にてロック：SecSi セクタは工場にてプログラム，プロテクトされています 工場にてロックされたデバイスの SecSi セクタ は，工場出荷時にプロテクトされます。こ の SecSi セクタを変更することはできません。ランダムな番号とセキュアな ESN の両方で プリプログラムされます。ランダムな番号（8 ワード）のアドレスは，ワードモード時， 000000h ～ 000007h となります（バイトモード時は 000000h ～ 00000Fh となりま す）。セキュアな ESN は次の 8 ワード（アドレス 000008h ～ 00000Fh）内にプログラ ムされます（バイトモード時は，000010h ～ 00001Fh）。次のいずれかの条件でプリプ ログラムすることができます。 ランダムかつセキュアな ESN のみ ユーザコード（Spansion プログラミングサービス利用時） ランダムかつセキュアな ESN と，ユーザコードの両方（Spansion プログラミングサー ビス利用時） Spansionプログラミングサービスについて詳しくは，担当営業までお問い合わせください。 お客様にてロック可能：SecSi セクタは工場にてプログラムもしくはプロテクトされていません セキュア機能を要求しない場合は，SecSi セクタを通常のフラッシュメモリ空間として使 用することができます。SecSi セクタは何回でもリードできますが，そのプログラムとロッ ク設定は 1 回のみとなります。SecSi セクタをプログラムしている間，アクセラレーショ ンプログラミング（ACC）とアンロックバイパス機能は使用できません。 28 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N SecSi セクタ領域は，下記のいずれかの方法により，プロテクトを設定できます。 「Enter SecSi Sector Region」 （SecSi セクタ領域開始）コマンドシーケンス（3 サイ クル）をライトした後，図 2 に示すセクタプロテクト設定アルゴリズム（システム実 装時）に従います（ただし，RESET# を VID にセットする必要があります） 。この方 法では，いずれの端子電圧も高電圧にすることなく，デバイスを実装したまま SecSi セクタ領域をプロテクトすることができます。ただし，この方法が適用できるのは SecSi セクタのみとなります。 「Enter SecSi Sector Region」 （SecSi セクタ領域開始）コマンドシーケンス（3 サイ クル）をライトした後， 「セクタ / セクタブロック プロテクト設定 / プロテクト解除」 セクションで説明されているセクタ保護方法を使用します。 SecSi セクタをロックして検証したら，システム側から「Exit SecSi Sector Region」 （SecSi セクタ領域終了）コマンドシーケンスをライトして，アレイの残りのリード，ライ トに戻ります。 いったん SecSi セクタをプロテクトすると，SecSi セクタ領域のプロテクトを解除する方 法はありませんし，SecSi セクタメモリ空間のいずれのビットも変更することはできませ んので，SecSi セクタのロックは十分注意して行なってください。 ハードウェアデータプロテクト プログラム動作およびイレーズ動作に対するアンロックコマンドシーケンス条件により， 誤ったライト動作からデータを保護しています（コマンドについては，表 13 を参照して ください）。また，VCC 電圧の投入および切断による変動時に発生する誤ったシステムレベ ル信号，あるいはシステムノイズにより，不慮のイレーズやプログラミングが行なわれな いようにするため，下記のハードウェアデータプロテクト機能が備えられており，障害を 回避しています。 低 VCC 時のライト禁止 VCC が VLKO 未満になると，デバイスはすべてのライトサイクルを受けつけません。これ により，VCC 電圧の投入および切断時に，データをプロテクトします。コマンドレジスタ および内部プログラム / イレーズ回路はすべてディセーブルされ，デバイスはリードモー ドにリセットされます。VCC が VLKO 以上に復帰するまで，ライトはすべて無視されます。 VCC が VLKO 以上の場合は，意図しないライトを回避するため，システム側は正しい信号 を制御ピンに供給しなければなりません。 ライトパルス「グリッチ」プロテクト OE#，CE# または WE# に 5 ns（標準）未満のノイズパルスが発生しても，ライトサイ クルは開始されません。 論理的禁止 OE# = VIL，CE# = VIH，または WE# = VIH のいずれかに保持されると，ライトサイク ルが禁止されます。ライトサイクルを開始するには，CE# および WE# を論理「0」に， OE# を論理「1」にセットしなければなりません。 電源投入時のライト禁止 電源投入時，WE# = CE# = VIL，OE# = VIH になると，デバイスは WE# の立上りにお けるコマンドを無視します。内部のステートマシンは，電源投入時，自動的にリードモー ドにリセットされます。 共通フラッシュメモリ・インタフェース（CFI） 共通フラッシュメモリ・インタフェース（CFI）仕様は，デバイスとホストシステム間のソ フトウェア呼び出しハンドシェークに関する骨子を定めており，デバイスファミリのどの デバイスでも，ベンダ独自のソフトウェアアルゴリズムを使用できるようにしています。 したがって，指定されたフラッシュデバイスファミリでは，デバイスや JEDEC ID に関係 なく，上位および下位互換性のあるソフトウェアサポートが可能になっています。また， 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 29 A D V A N C E I N F O R M A T I O N フラッシュ製造ベンダは，長期的な互換性を確保するため，各社のインタフェースを標準 化しています。 このデバイスは，データアレイをリードできる状態のとき，システムがアドレス 55h（ワー ドモード時）またはアドレス AAh（バイトモード時）に CFI クエリコマンド（98h）をラ イトすると，CFI クエリモードになります。システムは，表 9 ～表 12 に示すアドレスか ら，CFI 情報をリードすることができます。CFI データのリードを終了するには，リセッ トコマンドをライトしなければなりません。なお，自動プログラムまたは自動イレーズア ルゴリズムの実行中は，CFI クエリモードに移行できません。 また，デバイスがオートセレクトモードのときも，システムは CFI クエリコマンドをライ トできます。デバイスは CFI クエリモードに入りますので，システムは表 9 ～表 12 に示 すアドレスから CFI データをリードできます。データアレイのリードを終了するには，リ セットコマンドをライトしなければなりません。 表 9. アドレス アドレス （ワードモード） （バイトモード） データ 説明 10h 11h 12h 20h 22h 24h 0051h 0052h 0059h 固有 ASCII 文字列「QRY」のクエリ 13h 14h 26h 28h 0002h 0000h プライマリ OEM コマンドセット 15h 16h 2Ah 2Ch 0040h 0000h プライマリ拡張テーブルのアドレス 17h 18h 2Eh 30h 0000h 0000h 代替 OEM コマンドセット（00h = 未使用） 19h 1Ah 32h 34h 0000h 0000h 代替 OEM 拡張テーブルのアドレス（00h = 未使用） 表 10. アドレス アドレス （ワードモード） （バイトモード） 30 CFI クエリ識別用文字列 システムインタフェース文字列 データ 説明 1Bh 36h 0027h 最小 VCC（ライト / イレーズ） D7 ～ D4：V，D3 ～ D0：100 mV 1Ch 38h 0036h 最大 VCC（ライト / イレーズ） D7 ～ D4：V，D3 ～ D0：100 mV 1Dh 3Ah 0000h 最小 VPP 電圧（00h = 端子上に VPP がないこと） 1Eh 3Ch 0000h 最大 VPP 電圧（00h = 端子上に VPP がないこと） 1Fh 3Eh 0003h 単一プログラム（バイト / ワード）に対する標準タイムアウト値（2N µs） 20h 40h 0000h 最小サイズバッファのプログラムに対する標準タイムアウト値 （2N µs，00h = 未対応） 21h 42h 0009h 単一ブロックイレーズに対する標準タイムアウト値（2N ms） 22h 44h 0000h チップイレーズに対する標準タイムアウト値（2N ms，00h = 未対応） 23h 46h 0005h バイト / ワードプログラムに対する最大タイムアウト値（標準時間× 2N） 24h 48h 0000h バッファプログラムに対する最大タイムアウト値（標準時間× 2N） 25h 4Ah 0004h 単一ブロックイレーズに対する最大タイムアウト値（標準時間× 2N） 26h 4Ch 0000h チップイレーズ最大タイムアウト値（標準時間× 2N，00h = 未対応） S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E 表 11. アドレス アドレス （ワードモード） （バイトモード） I N F O R M A T I O N デバイスロケーションの定義 データ 説明 27h 4Eh 0016h デバイスサイズ = 2N バイト 28h 29h 50h 52h 0002h 0000h フラッシュデバイスインタフェースの説明（『CFI publication 100』を参照） 2Ah 2Bh 54h 56h 0000h 0000h 2Ch 58h 0002h 2Dh 2Eh 2Fh 30h 5Ah 5Ch 5Eh 60h 0007h 0000h 0020h 0000h イレーズブロック 1 の情報 （「CFI specification」または「CFI publication 100」を参照） 31h 32h 33h 34h 62h 64h 66h 68h 003Eh 0000h 0000h 0001h イレーズブロック 2 の情報 （「CFI specification」または「CFI publication 100」を参照） 35h 36h 37h 38h 6Ah 6Ch 6Eh 70h 0000h 0000h 0000h 0000h イレーズブロック 3 の情報 （「CFI specification」または「CFI publication 100」を参照） 39h 3Ah 3Bh 3Ch 72h 74h 76h 78h 0000h 0000h 0000h 0000h イレーズブロック 4 の情報 （「CFI specification」または「CFI publication 100」を参照） 表 12. アドレス アドレス （ワードモード） （バイトモード） 複数バイトプログラム時の最大バイト数 = 2N （00h = 未対応） デバイス内のイレーズブロック数 プライマリベンダ固有拡張クエリ データ 説明 40h 41h 42h 80h 82h 84h 0050h 0052h 0049h 固有 ASCII 文字列「PRI」のクエリ 43h 86h 0031h メジャーバージョン番号（ASCII）（シリコン素子への変更を反映） 44h 88h 0033h マイナーバージョン番号（ASCII）（CFI テーブルへの変更を反映） 45h 8Ah 000Ch アドレス感知アンロック（ビット 1 ～ 0） 0 = 必要，1 = 不要 シリコン改訂番号（ビット 7 ～ 2） 46h 8Ch 0002h イレーズサスペンド 0 = 未対応，1 = リードオンリ，2 = リード / ライト 47h 8Eh 0001h セクタプロテクト 0 = 未対応，X = 同時プロテクトするセクタ数 48h 90h 0001h 一時的セクタプロテクト解除 00 = 未対応，01 = 対応可 49h 92h 0004h セクタプロテクト設定 / 解除方式 01 = 29F040 モード，02 = 29F016 モード，03 = 29F400 モード， 04 = 29LV800 モード 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 31 A D V A N C E アドレス アドレス （ワードモード） （バイトモード） I N F O R M A T I O N データ 説明（続き） セクタ数（バンク 1 を除く） 4Ah 94h 00XXh XX = 38（モデル 01，02，21，22） XX = 30（モデル 31，32） XX = 20（モデル 41，42） 4Bh 96h 0000h バーストモードタイプ 00 = 未対応，01 = 対応可 4Ch 98h 0000h ページモードタイプ 00 = 未対応，01 = 4 ワードページ，02 = 8 ワードページ 4Dh 9Ah 0085h 4Eh 9Ch 0095h 4Fh 9Eh 000Xh 50h A0h 0001h ACC（アクセラレーション）最小電源電圧 00h = 未対応，D7 ～ D4：V，D3 ～ D0：100 mV ACC（アクセラレーション）最大電源電圧 00h = 未対応，D7 ～ D4：V，D3 ～ D0：100 mV トップ / ボトムブートセクタフラグ 02h = ボトムブートデバイス，03h = トップブートデバイス プログラムサスペンド 0 = 未対応，1 = 対応可 バンク構成 57h AEh 000Xh 00 = アドレス 4Ah のデータは「0」（ゼロ）です。 X = 4（4 バンク構成，モデル 01，02） X = 2（2 バンク構成，その他のモデルすべて） バンク 1 の領域情報 － バンク 1 のセクタ数 58h B0h 00XXh XX = 0F（モデル 01，02，21，22） XX = 17（モデル 31，32） XX = 27（モデル 41，42） バンク 2 の領域情報 － バンク 2 のセクタ数 XX = 18（モデル 01，02） 59h B2h 00XXh XX = 38（モデル 21，22） XX = 30（モデル 31，32） XX = 20（モデル 41，42） バンク 3 の領域情報 － バンク 3 のセクタ数 5Ah B4h 00XXh XX = 18（モデル 01，02） XX = 00（その他のモデルすべて） バンク 4 の領域情報 － バンク 4 のセクタ数 5Bh B6h 00XXh XX = 08（モデル 01，02） XX = 00（その他のモデルすべて） 32 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N コマンドの定義 あるアドレスまたはデータコマンド（またはコマンドシーケンス）をコマンドレジスタに ライトすると，デバイスの動作が始まります。有効なレジスタコマンドシーケンスを表 13 にまとめます。誤ったアドレス値やデータ値をライトしたり，誤ったシーケンスでライト すると，デバイスは未知の状態になります。この場合，デバイスをデータアレイのリード 状態に復帰させるには，リセットコマンドを実行しなければなりません。 アドレスはすべて，WE# または CE# の立下り（いずれか遅い方）でラッチされます。ま た，データはすべて，WE# または CE# の立上り（いずれか早い方）でラッチされます。 タイミング図については， 「AC 特性」のセクションを参照してください。 データアレイのリード 電源投入時，デバイスは自動的にデータアレイのリード状態に設定されます。このため， データをリードするにはコマンドは必要ありません。自動プログラムアルゴリズム，また は自動イレーズアルゴリズムが終了すると，各バンクはデータアレイのリード状態になり ます。 イレーズサスペンドコマンドを実行すると， 対応するバンクはイレーズ - サスペンド - リー ドモードになり，システムは，同じバンク内のセクタのうち，イレーズサスペンドを指定 されていないセクタからデータをリードすることができます。標準のリードタイミングで データアレイをリードすることができますが，イレーズサスペンドされたセクタ内のアド レスをリードすると，ステータスデータが出力されます。イレーズサスペンドモードにお けるプログラミング動作が完了すると，システムは同じ例外中でデータアレイのリードを 再実行することができます。詳しくは， 「イレーズサスペンド / イレーズレジュームコマン ド」のセクションを参照してください。 ただし，プログラム動作中，またはイレーズ動作中に DQ5 が High になったり，バンクが オートセレクトモードにある場合，バンクをリードモード（またはイレーズ - サスペンド - リードモード）に復帰させるには，システムはリセットコマンドを実行しなければなり ません。詳しくは，「リセットコマンド」のセクションを参照してください。 また，「デバイス バス動作」のセクションのアレイデータをリードするための要件も参照 してください。 「リードオンリ動作」の表にリードパラメータを，また，図 13 にタイミン グ図を示します。 リセットコマンド リセットコマンドをライトすると，バンクはリードモードまたはイレーズ - サスペンド リードモードにリセットされます。このコマンドのアドレスビットは任意です。 リセットコマンドは，実際にイレーズ動作が開始される前の，イレーズコマンドシーケン スにおけるシーケンスサイクルの間にライトすることができます。これにより，システム がライトしていたバンクがリードモードにリセットされます。ただし，イレーズ動作が開 始された後は，デバイスはその動作が完了するまで，リセットコマンドを無視します。 リセットコマンドは，実際にプログラミング動作が開始される前の，プログラムコマンド シーケンスサイクルの間にライトすることができます。これにより，システムがライトし ていたバンクがリードモードにリセットされます。バンクがイレーズサスペンドモードの 時にプログラムコマンドシーケンスがライトされた場合，リセットコマンドをライトする と，バンクはイレーズ - サスペンド - リードモードにリセットされます。ただし，プログ ラミング動作が開始された後は，その動作が完了するまでリセットコマンドを無視します。 リセットコマンドは，オートセレクトコマンドシーケンスにおけるシーケンスサイクルの 間にライトすることができます。オートセレクトモードに移行した後にリードモードに戻 るには，リセットコマンドをライトしなければなりません。バンクがイレーズサスペンド モードの時にオートセレクトモードに移行した場合，リセットコマンドをライトすると， バンクはイレーズ - サスペンド - リードモードにリセットされます。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 33 A D V A N C E I N F O R M A T I O N ただし，プログラム動作中，またはイレーズ動作中に DQ5 が High になった場合，リセッ トコマンドをライトすると，バンクはリードモード（または，そのバンクがイレーズサス ペンドモードであった場合は，イレーズ - サスペンド - リードモード）にリセットされます。 オートセレクトコマンドシーケンス ホストシステムからオートセレクトコマンドシーケンスを実行すると，製造メーカコード やデバイスコードにアクセスしたり，セクタがプロテクトされているかを調べることがで きます。オートセレクトコマンドシーケンスは，リードモード，またはイレーズ - サスペ ンド - リードモードとなっているバンク内のアドレスにライトすることができます。ただ し，別のバンクのプログラム動作中またはイレーズ動作中は，オートセレクトコマンドを ライトしないでください。 アンロックサイクルを 2 回ライトして，オートセレクトコマンドシーケンスを開始します。 次に，バンクアドレスとオートセレクトコマンドを指定する 3 回目のライトサイクルを実 行します。これにより，バンクはオートセレクトモードになります。システムは，コマン ドシーケンスを再実行しなくても，任意の回数，オートセレクトコードをリードすること ができます。 アドレスおよびデータ条件を表 13 に示します。セクタプロテクトに関する情報を調べる には，正しいバンクアドレス（BA）とセクタアドレス（SA）をライトする必要がありま す。アドレス範囲，およびバンク番号とそのセクタを表 3 および表 4 に示します。 リードモード（または，バンクがイレーズサスペンドモードであった場合は，イレーズ サスペンド - リードモード）に戻るには，リセットコマンドをライトする必要があります。 Enter SecSi Sector / Exit SecSi Sector コマンドシーケンス SecSi セクタ領域は，16 バイト構成のランダムなエレクトロニックシリアル番号（ESN） を格納するセキュアなデータ領域です。Enter SecSi Sector コマンドシーケンス（サイク ル 3 回）を実行すると，SecSi セクタ領域にアクセスできます。Exit SecSi Sector コマ ンドシーケンス（サイクル 4 回）を実行するまで，SecSi セクタ領域へのアクセスが継続 されます。Exit SecSi Sector コマンドシーケンスを実行すると，デバイスは通常の動作 に戻ります。デバイスが自動プログラムアルゴリズム，または自動イレーズアルゴリズム を実行している場合，SecSi セクタにはアクセスできません。両コマンドシーケンスのア ドレスおよびデータ条件を表 13 に示します。また，「SecSi™（セキュアドシリコン）セ クタ フラッシュメモリ領域」も参照してください。ただし，SecSi セクタがイネーブルさ れていると，ACC 機能とアンロックバイパスモードは使用できません。 バイト / ワードプログラムコマンドシーケンス デバイスは，BYTE# 端子の状態により，ワードまたはバイト単位でプログラムされます。 プログラミングは，4 バスサイクル動作となります。アンロックライトサイクル（2 回）の 後に，プログラムセットアップコマンドをライトして，プログラムコマンドシーケンスを 開始します。次に，プログラムアドレスとデータがライトされると，自動プログラムアル ゴリズムがスタートします。この後，システム側からは制御やタイミングを取る必要はあ りません。デバイスは，自動的に，プログラムパルスを内部生成し，プログラムされたセ ルマージンを検証します。バイトプログラムコマンドシーケンスのアドレスおよびデータ 条件を表 13 に示します。 自動プログラムアルゴリズムが完了すると，バンクはリードモードに戻り，アドレスはラッ チされなくなります。システムは，DQ7，DQ6 または RY / BY# により，プログラム動作 の状態を調べることができます。これらのステータスビットについては，ライト動作ステー タスのセクションを参照してください。 34 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 自動プログラムアルゴリズムの実行中は，デバイスにライトされるコマンドはすべて無視 されます。ただし，ハードウェアリセットを実行すると，直ちにプログラム動作が終了し ます。バンクがリードモードに戻った場合は，プログラムコマンドシーケンスを再実行し て，データの完全性を確保してください。また，プログラム動作中は，SecSi セクタ機能， オートセレクト機能，および CFI 機能は使用できません。 プログラミングは，いずれの順番でも，また，セクタ境界を越えて実行することもできま す。ビットをプログラムして「0」から「1」に戻すことはできません。このようにすると， バンクは DQ5 = 1 にセットされてしまうか，DQ7 および DQ6 ステータスビットの情報 が正常動作を示すものになってしまいます。ただし，続けてリードを行なうと，データが 「0」のままであることがわかります。 「0」を「1」に変更できるのは，イレーズ動作のみ となります。 アンロックバイパスコマンドシーケンス アンロックバイパス機能を使用すると，通常のプログラムコマンドシーケンスを使用する 場合よりも，バイトまたはワードをバンクへプログラムするスピードが速くなります。ま ず，アンロックサイクルを 2 回ライトして，アンロックバイパスコマンドシーケンスを開 始します。この後，アンロックバイパスコマンド（20h）を入れたライトサイクル（3 回 目）が続きます。この後，そのバンクはアンロックバイパスモードになります。このモー ドでプログラムする必要があるのは，サイクル 2 回のアンロックバイパスプログラムコマ ンドシーケンスのみとなります。このシーケンスの最初のサイクルでは，アンロックバイ パスプログラムコマンド（A0h）を実行します。2 番目のサイクルでは，プログラムアド レスとデータを指定します。この後，データは同じ方法でプログラムします。このモード では，通常のプログラムコマンドシーケンスで必要な最初のアンロックサイクル 2 回が不 要になりますので，トータルのプログラミング時間が短縮されます。このコマンドシーケ ンスの条件を表 13 に示します。 アンロックバイパスモードで使用できるコマンドは，アンロックバイパスプログラムコマ ンドと，アンロックバイパスリセットコマンドのみとなります。アンロックバイパスモー ドを終了するには，サイクル 2 回のアンロックバイパスリセットコマンドシーケンスを実 行します。（表 12 を参照してください）。 本デバイスは，WP# / ACC 端子を使用したアクセラレーションプログラム動作が可能で す。システムが WP# / ACC 端子に VHH をアサートすると，デバイスは自動的にアンロッ クバイパスモードになります。そして，システムはサイクル 2 回のアンロックバイパスプ ログラムコマンドシーケンスをライトできます。デバイスは WP# / ACC 端子に高電圧を 与えられることによりプログラム動作を高速化します。ただし，アクセラレーションプロ グラミング以外の動作を行なう場合は，WP# / ACC 端子を VHH にセットしないでくださ い。他の動作時の場合，デバイスに損傷を与えます。また，デバイスの動作が不安定にな りますので，WP# / ACC 端子をフローティングまたは未接続のままにしないでください。 プログラム動作のアルゴリズムを図 3 に示します。パラメータについては， 「AC 特性」の セクションの「イレーズおよびプログラム動作」の表を，タイミング図については，図 17 を参照してください。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 35 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 㐿ᆎ ࡊࡠࠣࡓࠦࡑࡦ࠼ ࠪࠤࡦࠬࠗ࠻ ࠪࠬ࠹ࡓ߆ࠄߩ ࠺࠲ࡐࡦࠣ ⥄േ ࡊࡠࠣࡓ ࠕ࡞ࠧ࠭ࡓ ታⴕਛ ࡌࡈࠔࠗ࠺࠲㧫 No Yes ᰴࠕ࠼ࠬ No ࠬ࠻ࠕ࠼ࠬ㧫 Yes ࡊࡠࠣࡓ ቢੌ 注 : プログラムコマンドシーケンスについては，表 13 を参照してください。 図 3. プログラム動作 チップイレーズコマンドシーケンス チップイレーズは，6 バスサイクル動作になります。アンロックサイクル（2 回）の後に， プログラムセットアップコマンドをライトして，チップイレーズコマンドシーケンスを開 始します。さらに，アンロックライトサイクル（2 回）の後にチップイレーズコマンドを ライトすると，自動イレーズアルゴリズムがスタートします。イレーズの前にプリプログ ラムする必要はありません。自動イレーズアルゴリズムが自動的にプリプログラムし，電 気的な消去を行なう前に，メモリ全体がすべてゼロになっているかが検証されます。これ らの動作中，システム側からは制御やタイミングを取る必要はありません。チップイレー ズコマンドシーケンスのアドレスおよびデータ条件を表 13 に示します。 自動イレーズアルゴリズムが完了すると，バンクはリードモードに戻り，アドレスはラッ チされなくなります。システムは，DQ7，DQ6，DQ2 または RY / BY# により，イレー ズ動作の状態を調べることができます。これらのステータスビットについては， 「ライト動 作ステータス」のセクションを参照してください。 チップイレーズ動作中にライトされるコマンドはすべて無視されます。ただし，ハードウェ アリセットを実行すると，直ちにイレーズ動作が終了します。このような場合，バンクが データアレイのリード状態に戻ったら，チップイレーズコマンドシーケンスを再度実行し て，データの完全性を確保してください。また，イレーズ動作中は，SecSi セクタ機能， オートセレクト機能，および CFI 機能は使用できません。 36 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N イレーズ動作のアルゴリズムを図 4 に示します。パラメータについては， 「AC 特性」のセ クションの「イレーズおよびプログラム動作」の表を，タイミング図については，図 19 を 参照してください。 セクタイレーズコマンドシーケンス セクタイレーズは，6 バスサイクル動作になります。アンロックサイクル（2 回）の後に， プログラムセットアップコマンドをライトして，セクタイレーズコマンドシーケンスを開 始します。さらに，アンロックサイクル（2 回）の後に，消去するセクタアドレスとセク タイレーズコマンドを続けます。セクタイレーズコマンドシーケンスのアドレスおよび データ条件を表 13 に示します。 イレーズの前にプリプログラムする必要はありません。自動イレーズアルゴリズムが自動 的にプログラムし，電気的な消去を行なう前に，セクタ全体がすべてゼロのデータパター ンになっているかが検証されます。これらの動作中，システム側からは制御やタイミング を取る必要はありません。 コマンドシーケンスをライトすると，80 µs のセクタイレーズタイムアウトがスタートし ます。このタイムアウト時間の間に，別のセクタアドレスとセクタイレーズコマンドをラ イトすることができます。セクタイレーズバッファはどのシーケンスでもロードすること ができ，セクタ数の範囲は 1 セクタから全セクタまでの間となります。これらのサイクル を追加する時間は 80 µs 未満でなければなりません。この時間を超えると，イレーズ動作 が開始されます。タイムアウト時間を過ぎた後にライトされたセクタイレーズアドレスお よびコマンドは，無視される場合があります。したがって，この時間の間はプロセッサの 割り込みを禁止して，コマンドをすべてライトできるようにしてください。最後のセクタ イレーズコマンドをライトしたら，割り込みをイネーブルしてかまいません。タイムアウ ト時間内にセクタイレーズまたはイレーズサスペンド以外のコマンドをライトすると，バ ンクはリードモードに戻ります。したがって，システムはコマンドシーケンスと，他のア ドレスやコマンドを再度ライトしなければなりません。 システムは DQ3 をモニタし，セクタイレーズタイマがタイムアウトしたかどうかを調べる ことができます（「DQ3：セクタイレーズタイマ」のセクションを参照してください）。タ イムアウトは，コマンドシーケンスの最後の WE# の立上り，または CE# パルス（の最初 の立上り）から始まります。 自動イレーズアルゴリズムが完了すると，バンクはデータアレイのリード状態に戻り，ア ドレスはラッチされなくなります。自動イレーズ動作の実行中でも，システムはイレーズ の対象となっていないバンクからデータをリードすることができます。システムは，DQ7， DQ6，DQ2，または RY / BY# をリードすることにより，イレーズ対象バンクのイレーズ 動作の状態を調べることができます。これらのステータスビットについては， 「ライト動作 ステータス」のセクションを参照してください。 いったん，セクタイレーズ動作がスタートすると，実行可能なコマンドはイレーズサスペ ンドコマンドのみとなります。これ以外のコマンドはすべて無視されます。ただし，ハー ドウェアリセットを実行すると，直ちにイレーズ動作が終了します。このような場合，バ ンクがデータアレイのリード状態に戻ったら，セクタイレーズコマンドシーケンスを再度 実行して，データの完全性を確保してください。また，イレーズ動作中は，SecSi セクタ 機能，オートセレクト機能，および CFI 機能は使用できません。 イレーズ動作のアルゴリズムを図 4 に示します。パラメータについては， 「AC 特性」セク ションの「イレーズおよびプログラム動作」の表を，タイミング図については，図 19 を 参照してください。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 37 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 㐿ᆎ ࠗ࠭ࠦࡑࡦ࠼ ࠪࠤࡦࠬߩࠗ࠻ (ᵈ 1, 2) ࠪࠬ࠹ࡓ߆ࠄߩ ࠗ࠭ࡃࡦࠢ߳ߩ ࠺࠲ࡐࡦࠣ No ⥄േࠗ࠭ ࠕ࡞ࠧ࠭ࡓ ታⴕਛ ࠺࠲ = FFh? Yes ࠗ࠭ቢੌ 注: 1. イレーズコマンドシーケンスについては，表 13 を参照してください。 2. セクタイレーズタイマについては，DQ3 に関するセクションを参照し てください。 図 4. イレーズ動作 イレーズサスペンド / イレーズレジュームコマンド イレーズサスペンドコマンド（B0h）を実行すると，システムはセクタイレーズ動作を中 断して，消去の対象となっていない任意のセクタにおいてデータをリードしたり，データ をプログラムすることができます。このコマンドをライトする場合は，バンクアドレスが 必要になります。ただし，このコマンドが有効となるのは，セクタイレーズコマンドシー ケンス内における（80 µs のタイムアウト時間を含めた）セクタイレーズ動作中のみとな ります。イレーズサスペンドコマンドをチップイレーズ動作中や，自動プログラムアルゴ リズムの実行中にライトしても無視されます。バンクアドレスには，イレーズ動作の対象 として現在，選択しているセクタのいずれかを指定しなければなりません。 セクタイレーズ動作中にイレーズサスペンドコマンドをライトすると，このイレーズ動作 を中断するまでの遅延時間は最大 20 µs となります。ただし，セクタイレーズタイムアウ ト時間内にイレーズサスペンドコマンドをライトすると，デバイスは直ちにタイムアウト 時間を停止して，イレーズ動作を中断します。 イレーズ動作が中断されると，バンクはイレーズ- サスペンド- リードモードに入ります。こ のとき，システムは，消去の対象となっていない任意のセクタのデータをリードしたり， データをプログラムすることができます（ 「イレーズサスペンド」は，消去の対象として指 定されたすべてのセクタに適用されます）。イレーズサスペンドの対象セクタ内のいずれか のアドレスからリードすると，DQ7 ～ DQ0 のステータス情報が変化します。システムは， DQ7（または DQ6）と DQ2 から，セクタのイレーズ動作中か，イレーズサスペンド中か を調べることができます。これらのステータスビットについては，「ライト動作ステータ ス」のセクションを参照してください。 38 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N イレーズサスペンド中のプログラム動作が完了すると，バンクはイレーズ - サスペンド リードモードに戻ります。通常のバイトプログラム動作のときと同じように，システムは， DQ7 または DQ6 ステータスビットにより，プログラム動作の状態を調べることができま す。詳しくは，「ライト動作ステータス」を参照してください。 イレーズ - サスペンド - リードモードのとき，システムはオートセレクトコマンドシーケ ンスを実行することもできます。オートセレクトコードはメモリアレイ内には格納されま せんので，消去対象のセクタ内のアドレスを使用してもコードをリードすることができま す。オートセレクトモードを終了すると，イレーズサスペンドモードに戻り，他の有効な 動作を行なえるようになります。詳しくは， 「オートセレクトモード」および「オートセレ クトコマンドシーケンス」を参照してください。 セクタイレーズ動作を再開させるには，イレーズレジュームコマンドをライトする必要が あります。このコマンドをライトする際，イレーズサスペンドされているバンクのバンク アドレスが必要です。また，この後にレジュームコマンドをライトしても無視されます。 デバイスがイレーズ動作を再開すると，イレーズサスペンドコマンドを再度，ライトでき ます。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 39 A D V A N C E サイクル 表 13. オートセレクト（注 8） コマンド シーケンス （注 1） リード（注 6） リセット（注 7） 製造メーカ ID デバイス ID（注 9） SecSi セクタプロテクト （工場設定）（注 10） 1 1 ワード バイト ワード バイト ワード バイト ワード セクタ / セクタブロック プロテクト検証（注 11） バイト ワード SecSi セクタエントリ バイト ワード SecSi セクタイクシィット バイト ワード プログラム バイト ワード アンロックバイパス バイト アンロックバイパスプログラム （注 12） アンロックバイパスリセット（注 13） ワード チップイレーズ バイト ワード セクタイレーズ バイト イレーズサスペンド（注 14） イレーズレジューム（注 15） ワード CFI クエリ（注 16） バイト 4 6 4 4 3 4 4 3 1 回目 アド レス データ RA RD XXX F0 555 AA AAA 555 AA AAA 555 AA AAA 555 AA AAA 555 AAA 555 AAA 555 AAA 555 AAA 2 XXX 2 XXX 555 AAA 555 AAA BA BA 55 AA 6 6 1 1 1 AA AA AA AA S29JL032H コマンドの定義 2 回目 アド レス データ 2AA 555 2AA 555 2AA 555 2AA 555 2AA 555 2AA 555 2AA 555 2AA 555 A0 PA 90 XXX 2AA 555 2AA 555 AA AA I N F O R M A T I O N 55 55 55 55 55 55 55 55 バスサイクル（注 2 ～注 5） 3 回目 4 回目 アドレス (BA)555 (BA)AAA (BA)555 (BA)AAA (BA)555 (BA)AAA (BA)555 (BA)AAA 555 AAA 555 AAA 555 AAA 555 AAA データ 90 90 90 アドレス データ (BA)X00 01 (BA)X01 (BA)X02 (BA)X03 (BA)X06 (SA)X02 表5 参照 6 回目 アドレス データ アドレス データ (BA)X0E (BA)X1C 表5 参照 (BA)X0F (BA)X1E 表5 参照 55 555 AAA 10 55 SA 30 82/ 02 (SA)X04 00/ 01 90 XXX 00 A0 PA PD 90 5 回目 88 20 PD 00 55 55 555 AAA 555 AAA 80 80 555 AAA 555 AAA AA AA 2AA 555 2AA 555 B0 30 98 凡例 : X = 任意 PD = アドレス PA にプログラムされるデータ。データはすべて，WE# また は CE# パルスの立上り（いずれか早い方）でラッチされます。 RA = 読出しメモリアドレス RD = リード動作時にロケーション RA からリードされるデータ PA = プログラムされるメモリロケーションアドレス。アドレスはすべて， WE# または CE# パルスの立下り（いずれか遅い方）でラッチされます。 SA = 検証（オートセレクトモード時） ，または消去されるセクタアドレス。 セクタは，アドレスビット A20 ～ A12 により，一意的に選択されます。セク タアドレスについては，表 3 および表 4 を参照してください。 BA = 現行のバイパスモードからオートセレクトモードに切替えるバンクのア ドレス，またはイレーズされているバンクのアドレス。アドレス A20 ～ A18 により，バンクは一意的に選択されます。 注: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 40 バス動作については，表 1 を参照してください。 数値はすべて 16 進表記です。 リードサイクル，ならびにオートセレクトコマンドシーケンスの 4 回目 ～ 6 回目のサイクルを除き，バスサイクルはすべてライトサイクルです。 RD および PD を除くコマンドシーケンス内のデータビット DQ15 ～ DQ8 は任意です。 特に明記しない限り，アンロックおよびコマンドサイクルのアドレス ビット A20 ～ A11 は任意です（ただし，SA または PA が必要な場合を 除きます）。 バンクがデータアレイをリードしている場合，アンロックサイクル，お よびコマンドサイクルを必要としません。 オートセレクトモード時，またはステータス情報を出力中に DQ5 が High になった場合，リードモードに戻るには（または，イレーズサスペ ンドであった場合にイレーズ - サスペンド - リードモードに戻るには）， リセットコマンドが必要です。 オートセレクトコマンドシーケンスの 4 回目のサイクルはリードサイク ルです。製造メーカ ID，デバイス ID 情報，または SecSi セクタのプロ テクト（工場設定）情報を得るには，システムからバンクアドレスを指定 する必要があります。データビット DQ15 ～ DQ8 は任意となります。リ セットコマンドを実行するまでは，オートセレクトアドレスをリードして いる間のバンクアドレスは同じものでなければなりません。詳しくは， オートセレクトコマンドシーケンス のセクションを参照してください。 9. モデル 01 および 02 の場合，デバイス ID は，4 回目～ 6 回目のサイク ル内にリードする必要があります。 10. データは， 「82h」（工場にてロック設定），「40h」（カスタマーによる ロック設定），または「02h」（工場 / カスタマーによるロック設定以外） となります。 11. データは，プロテクト未設定のセクタ / セクタブロックの場合は 「00h」，プロテクト設定したセクタ / セクタブロックの場合は「01h」 となります。 12. アンロックバイパスコマンドは，アンロックバイパスプログラムコマン ドよりも先に実行しなければなりません。 13. アンロックバイパスモードからリードモードに戻るには，アンロックバ イパスリセットコマンドを実行しなければなりません。 14. イレーズサスペンドモードのとき，システムは，消去対象のセクタ以外 のセクタに対して，リードおよびプログラムを実行したり，オートセレ クトモードに移行させることができます。イレーズサスペンドコマンド はセクタイレーズ動作時のみ有効で，バンクアドレスが必要になります。 15. イレーズレジュームコマンドはイレーズサスペンドモード時のみ有効で， バンクアドレスが必要になります。 16. データアレイをリードできる状態の場合，またはオートセレクトモード のとき，コマンドが有効になります。 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N ライト動作ステータス デバイスは，プログラムまたはイレーズ動作の状態を調べるビット（DQ2，DQ3，DQ5， DQ6 および DQ7）を用意しています。これらのビットの機能について，表 14 および下記 のサブセクションで説明します。DQ7 と DQ6 は，それぞれ，プログラムまたはイレーズ 動作が完了しているか，実行中であるかを調べる手段となります。また，デバイスはハー ドウェアによる出力信号（RY / BY#）を生成します。これにより，自動プログラムまたは イレーズ動作が実行中であるか，完了しているかを調べることができます。 DQ7：Data# ポーリング Data# ポーリングビット（DQ7）は，自動プログラムまたはイレーズアルゴリズムが実行 中であるか，完了しているか，あるいは，バンクがイレーズサスペンドモードになってい るかをホストシステムに示します。Data# ポーリングは，コマンドシーケンスの最後の WE# パルスの立上りの後に有効になります。 自動プログラムアルゴリズムが実行されている間，デバイスは DQ7 にプログラムされた データの補数を DQ7 に出力します。この DQ7 状態は，イレーズサスペンドモード時のプ ログラミングにも当てはまります。自動プログラムアルゴリズムが完了すると，デバイス は DQ7 にプログラムされたデータを出力します。有効なステータス情報を DQ7 からリー ドするため，システムはプログラムアドレスを指定する必要があります。プログラムアド レスがプロテクトされたセクタ内のアドレスである場合，DQ7 の Data# ポーリングは約 1 µs の間アクティブになり，その後，バンクはリードモードに戻ります。 自動イレーズアルゴリズムを実行している間，Data# ポーリングの DQ7 は「0」を出力 します。自動イレーズアルゴリズムが完了するか，バンクがイレーズサスペンドモードに 入ると，Data# ポーリングの DQ7 は「1」を出力します。有効なステータス情報を DQ7 からリードするため，システムは，消去の対象として選択されたいずれかのセクタ内にあ るアドレスを指定する必要があります。 イレーズコマンドシーケンスをライトした後，消去用として選択されたセクタがすべてプ ロテクトされていると，DQ7 の Data# ポーリングは約 100 µs の間アクティブとなり， その後，バンクはリードモードに戻ります。選択されたセクタのすべてがプロテクトされ ているわけではない場合，自動イレーズアルゴリズムはプロテクトされていないセクタの みを消去し，プロテクトされているセクタは無視します。ただし，プロテクトされたセク タ内にあるアドレスの DQ7 をシステムがリードすると，ステータス情報が有効でない場合 があります。 DQ7 が補数から真のデータに変わったことを検出したら， 次のリードサイクルで DQ15 ～ DQ0（× 8 専用デバイスの場合は，DQ7 ～ DQ0）から有効なデータをリードすることが できます。出力イネーブル（OE#）が Low にアサートされていると，自動プログラムま たはイレーズ動作が完了する直前に，DQ7 が DQ15 ～ DQ0（× 8 専用デバイスの場合は， DQ7 ～ DQ0）と非同期的に変化することがあります。つまり，DQ7 への出力がステータ ス情報ではなく，有効なデータの出力に切り替わる場合があります。システムが DQ7 出力 をサンプリングするタイミングによっては，ステータス情報または有効なデータのいずれ かをリードすることになります。また，デバイスがプログラムまたはイレーズ動作を完了 し，DQ7 に有効なデータが出力されている場合でも，DQ15 ～ DQ0 から出力されるデー タが無効のままである場合があります。ただし，次のリードサイクル時に，有効なデータ が DQ15 ～ DQ0（× 8 専用デバイスの場合は DQ7 ～ DQ0）に出力されます。 Data# ポーリングの出力（DQ7）を表 14 に示します。また，図 5 は Data# ポーリング のアルゴリズムを示します。Data# ポーリングのタイミング図については， 「AC 特性」の セクションの図 21 を参照してください。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 41 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 㐿ᆎ ࠼ DQ7㨪DQ0 Addr = VA DQ7 = ࠺࠲? Yes No No DQ5 = 1? Yes ࠼ DQ7㨪DQ0 Addr = VA DQ7 = ࠺࠲? Yes No FAIL PASS 注: 1. VA = プログラミングの有効アドレス。セクタイレーズ動作 時の有効なアドレスは，消去の対象となるセクタ内にある任 意のセクタアドレスとなります。また，チップイレーズ動作 時の有効なアドレスは，プロテクトされていないセクタアド レスの有効なアドレスとなります。 2. DQ7 は DQ5 と同時に変化する場合がありますので，DQ5 = 「1」の場合でも，DQ7 を再チェックする必要があります。 図 5. 42 Data# ポーリングアルゴリズム S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N RY/BY#: Ready/Busy# RY / BY# は，自動アルゴリズムが実行中であるか，完了しているかを示す専用のオープ ンドレイン型の出力端子です。RY / BY# ステータス情報は，コマンドシーケンスの最後 の WE# パルスの立上りの後に有効になります。RY / BY# はオープンドレイン出力であ るため，数本の RY / BY# ピンを VCC のプルアップ抵抗と並列にまとめることができます。 出力が Low（Busy）ならば，デバイスはイレーズまたはプログラミングの実行中となりま す（これは，イレーズサスペンドモードにおけるプログラミングにも当てはまります） 。出 力が High（レディ）ならば，デバイスがリードモード，スタンバイモードのどちらかの状 態にあるか，いずれかのバンクがイレーズ - サスペンド - リードモードにあります。 RY / BY# の出力を表 14 に示します。 DQ6：トグルビットⅠ DQ6 に出力されるトグルビットⅠは，自動プログラムまたはイレーズアルゴリズムが実行 中であるか，完了しているか，あるいは，デバイスがイレーズサスペンドモードになって いるかを示します。トグルビットⅠは自動プログラムまたはイレーズアルゴリズムが実行 中のバンクのアドレスからリードすることができ，コマンドシーケンスの最後の WE# パ ルスの立上りの後（プログラムまたはイレーズ動作の前） ，あるいはセクタイレーズタイム アウト中に有効になります。 自動プログラムまたはイレーズアルゴリズム動作の実行中，自動プログラムまたはイレー ズアルゴリズムが実行中のバンクのアドレスから次のリードサイクルでDQ6がトグルしま す。システムは，OE# または CE# のいずれかにより，リードサイクルを制御できます。 動作が完了すると，DQ6 のトグルが停止します。 イレーズコマンドシーケンスをライトしても，消去の対象として選択したセクタがすべて プロテクトされていると，DQ6 は約 100 µs の間トグルし，その後，デバイスはデータア レイのリードモードに戻ります。選択されたセクタのすべてがプロテクトされているわけ ではない場合，自動イレーズアルゴリズムはプロテクトされていないセクタのみを消去し， プロテクトされているセクタは無視します。 システムは，DQ6 と DQ2 から，セクタがイレーズ動作中か，イレーズサスペンド中かを 調べることができます。デバイスがイレーズ実行中の場合（つまり，自動イレーズアルゴ リズムが実行中の場合），DQ6 はトグルします。デバイスがイレーズサスペンドモードに なると，DQ6 はトグルを停止します。ただし，システムは DQ2 を使用すれば，イレーズ 動作中またはイレーズサスペンド中のセクタを調べることができます。あるいは，DQ7 を 使用することもできます（DQ7：Data#ポーリングのサブセクションを参照してください）。 プログラムアドレスがプロテクトされたセクタ内のアドレスである場合，DQ6 は，プログ ラムコマンドシーケンスがライトされた後の約 1 µs の間アクティブになり，その後，デバ イスはリードモードに戻ります。 DQ6 は，イレーズ - サスペンド - プログラムモードの間もトグルしますが，自動プログラ ムアルゴリズムが完了すればトグルを停止します。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 43 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 㐿ᆎ ࠼ࡃࠗ࠻ (DQ7㨪DQ0) ࠕ࠼ࠬ =VA ࠼ࡃࠗ࠻ (DQ7㨪DQ0) ࠕ࠼ࠬ =VA ࠻ࠣ࡞ࡆ࠶࠻ = Toggle? No Yes No DQ5 = 1? Yes ࠼ࡃࠗ࠻ (DQ7㨪DQ0) 2࿁ ࠕ࠼ࠬ = VA ࠻ࠣ࡞ࡆ࠶࠻ = Toggle? No Yes ࡊࡠࠣࡓࠗ࠭ േᧂቢੌ ࠶࠻ࠦࡑࡦ࠼ ࠗ࠻ ࡊࡠࠣࡓࠗ࠭ േቢੌ 注 : DQ5 が「1」に変わると，トグルビットがトグルを停止する場合が ありますので，DQ5 = 「1」の場合も，トグルビットを再チェックす る必要があります。詳しくは，DQ6 および DQ2 のサブセクションを 参照してください。 図 6. トグルビットのアルゴリズム DQ2：トグルビットⅡ DQ2 から出力される「トグルビットⅡ」は，DQ6 と一緒に使用することにより，指定さ れたセクタがイレーズ動作中であるか（つまり，自動イレーズアルゴリズムの実行中であ るか），または，そのセクタがイレーズサスペンド中であるかを示します。トグルビットⅡ は，コマンドシーケンスの最後の WE# パルスの立上りの後に有効になります。 44 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 消去の対象として選択されたセクタ内のアドレスをシステムがリードすると，DQ2 はトグ ルします。 （システムは，OE# または CE# のいずれかにより，リードサイクルを制御でき ます。）ただし，DQ2 からは，セクタがイレーズ中であるか，イレーズサスペンド中であ るかを区別できません。これと対照的に，DQ6 はデバイスがイレーズ動作中か，イレーズ サスペンド中かを示しますが，消去の対象として選択されたセクタかを区別できません。 したがって，セクタならびにモード情報を得るには，これらのステータスビットが両方と も，必要となります。DQ2 と DQ6 の出力の相違については，表 14 を参照してください。 図 6 は，トグルビットのアルゴリズムをフローチャート形式で示したものです。なお，こ のアルゴリズムについては， 「DQ2：トグルビットⅡ」を参照してください。また， 「DQ6： トグルビットⅠ」のサブセクションも参照してください。トグルビットのタイミング図を 図 22 に示します。また，DQ2 と DQ6 の相違を図 23 に図示します。 トグルビット（DQ6 / DQ2）のリード 下記の説明では，図 6 を参照してください。システムがトグルビットの状態をリードし始 める場合は，トグルビットがトグルしているかを調べるため，少なくとも 2 回以上続けて DQ15 ～ DQ0（× 8 専用デバイスの場合は DQ7 ～ DQ0）をリードする必要があります。 通常，システムは 1 回目のリードの後，トグルビットの値を保存するようにします。2 回 目のリードの後，システムはトグルビットの新しい値と，1 回目の値を比較します。トグ ルビットがトグルしていない場合，デバイスはプログラムまたはイレーズ動作を完了して いることになります。この場合，システムは次のリードサイクルで DQ15 ～ DQ0（× 8 専用デバイスの場合は DQ7 ～ DQ0）から出力されるデータアレイをリードできます。 ただし，最初の 2 回のリードサイクルの後，トグルビットがトグルを継続していると判断 されるなら，システムは DQ5 の値が High となっているかを調べる必要があります（DQ5 のセクションを参照してください） 。High の場合，DQ5 が High になったときにトグル ビットがトグルを停止した可能性もあるため，システムはトグルビットがトグルしている かを再度調べなければなりません。トグルビットがトグルしていないなら，デバイスはプ ログラムまたはイレーズ動作を完了していることになります。トグルビットがトグルを継 続しているなら，デバイスは動作を正常に完了していないことになりますので，システム はリセットコマンドをライトして，データアレイのリードに戻る必要があります。 この他，システムからの調査の結果，トグルビットがトグルを継続していることが判明し， さらに，DQ5 が High になっていないケースがあります。この場合，システムは，次の リードサイクルからトグルビットと DQ5 のモニタを継続し，上記パラグラフで説明した状 態を調べます。あるいは，他のシステムタスクの実行を選択することもできます。この場 合，システムは復帰した時点でアルゴリズムの最初からスタートして，動作の状態を調べ る必要があります（図 6 の上部）。 DQ5: タイミングリミット超過 DQ5 は，プログラム時間またはイレーズ時間があらかじめ決められている内部パルスカ ウントの上限を超過したかを示します。超過していると，DQ5 は「1」を出力し，プログ ラムまたはイレーズサイクルが正常に完了していないことを示します。 以前に「0」をプログラムしたロケーションにシステムが「1」をプログラムしようとする と，デバイスの DQ5 は「1」を出力する場合があります。「0」を「1」に戻せるのは，イ レーズ動作のみとなります。このような場合，デバイスはその動作を停止し，タイムリミッ トが超過すると，DQ5 は「1」を出力します。 いずれの場合も，システムはリセットコマンドをライトしてリードモード（バンクがイレー ズ - サスペンド - プログラムモードであったならば，イレーズ - サスペンド - リードモー ド）に戻す必要があります。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 45 A D V A N C E I N F O R M A T I O N DQ3：セクタイレーズタイマ セクタイレーズコマンドシーケンスをライトしたら，システムは DQ3 をリードして，イ レーズ動作がスタートしたかを調べることができます（セクタイレーズタイマは，チップ イレーズコマンドには適用されません） 。消去の対象として他のセクタを選択する場合，セ クタイレーズコマンドをライトするたびに全タイムアウト時間が適用されます。タイムア ウト時間が満了すると，DQ3 は「0」から「1」に切り替わります。システムからのセクタ イレーズコマンドのライト間隔が必ず 50 µs 未満になる場合は，システムは DQ3 をモニ タする必要はありません。 「セクタイレーズコマンドシーケンス」のセクションも参照して ください。 セクタイレーズコマンドをライトしたら，システムは DQ7（Data# ポーリング），または DQ6（トグルビットⅠ）の状態をリードして，デバイスがコマンドシーケンスを受付けた ことを確認し，DQ3 をリードしなければなりません。DQ3 が「1」の場合は，自動イレー ズアルゴリズムがスタートしています。イレーズ動作が完了するまで，これ以降のコマン ドは（イレーズサスペンドコマンドを除き）無視されます。DQ3 が「0」ならば，デバイ スにセクタイレーズコマンドを追加することができます。コマンドが受付けられたことを 確認するため，それぞれのセクタイレーズコマンドをライトする前と後で，システムソフ トウェアは DQ3 の状態をチェックしなければなりません。2 回目の状態チェックで DQ3 が High となっている場合は，最後にライトしたコマンドを受付けていない可能性があり ます。 他のステータスビットと，DQ3 の状態との関連を表 14 に示します。 表 14. 状態 DQ7 （注 2） DQ6 DQ5 （注 1） DQ3 DQ2 （注 2） RY / BY# 自動プログラムアルゴリズム DQ7# トグル 0 該当せず トグル停止 0 自動イレーズアルゴリズム 0 トグル 0 1 トグル 0 1 トグル停止 0 該当せず トグル 1 データ データ データ データ データ 1 DQ7# トグル 0 該当せず 該当せず 0 通常モード イレーズ サスペンド モード ライト動作ステータス イレーズ サスペンド リード イレーズ セクタ内のリード イレーズ - サスペン ドされていない セクタ イレーズサスペンドプログラム 注: 1. 自動プログラムまたは自動イレーズ動作が最大タイミングリミットを超過すると，DQ5 は「1」に切り替わります。詳しくは， DQ5 のセクションを参照してください。 2. ステータス情報を読み出す場合，DQ7 および DQ2 には有効なアドレスが必要です。詳しくは，関連するサブセクションを参照 してください。 3. ライト動作ステータスビットをリードする場合は，自動アルゴリズムを実行しているバンクアドレスを必ず指定してください。 ビジー状態となっていないバンクのアドレスを指定すると，デバイスはデータアレイを出力します。 46 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 絶対最大定格 保管温度 保存温度（プラスチックパッケージ） . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C ～ +150°C 周囲温度 周囲温度（通電時）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C ～ +125°C 電圧（GND を基準） VCC（注 1） . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.5 V ～ +4.0 V A9，OE#，および RESET# ( 注 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.5 V ～ +12.5 V WP#/ACC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.5 V ～ +10.5 V その他の端子（注 1） . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.5 V ～ VCC +0.5 V 出力短絡電流（注 3） . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 mA 注: 1. 入力または入出力端子の DC 最小電圧は –0.5 V です。電圧変動時，継続時間が 20 ns 未満のオーバーシュートでは，VSS = –2.0 V まで 許容されます。入力端子または入出力端子の最大 DC 電圧は VCC +0.5 V です。図 7 を参照してください。電圧変動時，入力端子または 入出力端子に対する継続時間が 20 ns 未満のオーバーシュートでは，VCC+2.0 V まで許容されます。図 8 を参照してください。 2. A9，OE#，RESET#，および WP# / ACC の各端子の DC 最小入力電圧は –0.5 V です。電圧変動時，A9，OE#，WP# / ACC，および RESET# 端子に対する継続時間が 20 ns 未満のオーバーシュートでは，VSS = –2.0 V まで許容されます。図 7 を参照してください。 A9 端子の DC 最大入力電圧は +12.5 V ですが，継続時間が 20 ns 未満のオーバーシュートでは，+14.0 V まで許容されます。WP# / ACC 端子の DC 最大入力電圧は +9.5 V ですが，継続時間が 20 ns 未満のオーバーシュートでは， +12.0 V まで許容されます。 3. 複数の出力を同時に GND に短絡することはできません。短絡時間は 1 秒を超えることはできません。 「絶対最大定格」を越えるストレスの印加は，デバイスを完全に破壊する可能性があります。ただし，これはストレスのみに対する定格となり ます。上記の条件，あるいは本データシートの動作説明の各セクションに記載されている条件を超える条件におけるデバイスの機能動作は保 証されません。長時間にわたってデバイスを絶対最大定格条件に放置すると，デバイスの信頼性に影響を及ぼします。 20 ns 20 ns +0.8 V 20 ns VCC +2.0 V VCC +0.5 V –0.5 V –2.0 V 2.0 V 20 ns 図 7. 20 ns 図 8. 最大オーバーシュート波形（負） 20 ns 最大オーバーシュート波形（正） 動作範囲 インダストリアル（I）デバイス 周囲温度（TA）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40°C ～ +85°C VCC 電源電圧 VCC（標準電圧範囲）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.7 V ～ 3.6 V または 3.0 V ～ 3.6 V（注） 注 : スピードバージョンにより，動作 VCC 電源電圧範囲が異なります。 動作範囲は，デバイスの正常な機能が保証される範囲を定めたものです。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 47 A D V A N C E I N F O R M A T I O N DC 特性 CMOS 互換性（注 5） パラメータ シンボル パラメータの説明 テスト条件 最小値 ILI 入力負荷電流 VIN = VSS ～ VCC， VCC = VCC max ILIT A9，OE#，RESET# 入力負荷電流 VCC = VCC max，OE# = VIH，A9， OE# または RESET# = 12.5 V ILO 出力リーク電流 VOUT = VSS ～ VCC， VCC = VCC max, OE# = VIH ILR リセットリーク電流 VCC = VCC max; RESET# = 12.5 V ICC1 VCC アクティブリード電流 （注 1，2） ICC2 VCC アクティブライト電流（注 2，3） ICC3 VCC スタンバイ電流（注 2） ICC4 VCC リセット電流（注 2） ICC5 オートマチックスリープモード （注 2，4） 標準値 最大値 単位 ±1.0 µA 35 µA ±1.0 µA 35 µA CE# = VIL， OE# = VIH， バイトモード 5 MHz 10 16 1 MHz 2 4 CE# = VIL， OE# = VIH， ワードモード 5 MHz 10 16 1 MHz 2 4 CE# = VIL，OE# = VIH， WE# = VIL 15 30 mA CE#，RESET# = VCC ± 0.3 V RESET# = VSS ±0.3 V 0.2 10 µA 0.2 10 µA VIH = VCC ± 0.3 V， VIL = VSS ± 0.3 V 0.2 10 µA ICC6 VCC プログラム中のアクティブリード電 CE# = VIL， OE# = VIH 流（注 1，2） バイト 21 45 ワード 21 45 ICC7 VCC イレーズ中のアクティブリード電流 CE# = VIL， OE# = VIH （注 1，2） バイト 21 45 ワード 21 45 17 35 ICC8 VCC イレーズサスペンド中のアクティブ CE# = VIL，OE# = VIH プログラム電流（注 2） mA mA mA mA VIL 「L」レベル入力電圧 –0.5 0.8 V VIH 「H」レベル入力電圧 0.7 x VCC VCC + 0.3 V VHH WP# / ACC 電圧（セクタプロテクト / プロテクト解除およびプログラム アクセラレーション時） VCC = 3.0 V ± 10% 8.5 9.5 V VID オートセレクト / 一時的セクタ プロテクト解除電圧 VCC = 3.0 V ± 10% 8.5 12.5 V VOL VOH1 VOH2 VLKO 「L」レベル出力電圧 「H」レベル出力電圧 IOL = 2.0 mA，VCC = VCC min IOH = –2.0 mA, VCC = VCC min IOH = –100 µA, VCC = VCC min 0.45 0.85 x VCC VCC–0.4 2.3 「L」レベル VCC ロックアウト電圧 V V 2.4 2.5 V 注: 。 1. リストされている ICC 電流は，通常，2 mA / MHz 未満となります（OE# = VIH 時） 2. 最大 ICC 仕様は，VCC = VCCmax 時でテストしたものです。 3. 自動イレーズまたは自動プログラムの実行中は，ICC がアクティブになります。 4. オートマチックスリープモードにより，アドレスが tACC+30 ns の間，確定になると，低電力モードとなります。スリープモード電流 （標準）は 200 nA です。 5. 各パラメータの詳細なタイミングについてはタイミング図を参照してください。 48 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N DC 特性 ゼロパワーフラッシュ 25 供給電流（mA） 20 15 10 5 0 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 時間（ns） 注 : アドレスは 1 MHz で切替 図 9. ICC1 電流と時間（アクティブ電流とオートマチックスリープ電流を図示） 12 3.6 V 10 2.7 V 供給電流（mA） 8 6 4 2 0 1 2 3 周波数（MHz） 4 5 注 : T = 25 °C 図 10. 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 標準 ICC1 と周波数 S29JL032H 49 A D V A N C E I N F O R M A T I O N テスト条件 3.3 V 2.7 kW テスト中 の デバイス CL 6.2 kW 注：ダイオードは，IN3064 または相当品とします。 図 11. 表 15. 測定条件 テスト仕様 60 テスト条件 70, 90 単位 TTL ゲート 1 個 出力負荷 出力負荷容量，CL （冶具容量を含む） 30 100 pF 5 ns 0.0 または Vcc V 入力タイミング測定基準レベル 0.5 Vcc V 出力タイミング測定基準レベル 0.5 Vcc V 入力パルス立上り時間 / 立下り時間 入力パルスレベル 波形切替えのポイント 波形 入力 出力 確定 H ⇒ L 変化点 L ⇒ H 変化点 Vcc ജ 任意，変化を許容 変化，状態未確定 適用せず 中心線は高インピーダンス状態（High Z） 0.5 Vcc ᷹ቯࡌ࡞ 0.5 Vcc ജ 0.0 V 図 12. 50 入力波形と測定レベル S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 リードオンリ動作（注 1） スピードバージョン パラメータ JEDEC 標準 説明 tAVAV tRC リードサイクルタイム tAVQV tACC アドレスから出力までの遅延 tELQV tCE チップイネーブルからデータ出力までの遅延 tGLQV tOE 出力イネーブルから出力までの遅延 tEHQZ tDF チップイネーブルから出力高インピーダンスまで （注 3） 最大値 16 ns tGHQZ tDF 出力イネーブルから出力高インピーダンスまで （注 3） 最大値 16 ns tAXQX tOH 前サイクルデータ出力保持時間，CE# または OE# （いずれか早い方） 最小値 0 ns リード 最小値 0 ns トグルおよび Data# ポーリング 最小値 tOEH 60 70 90 単位 最小値 60 70 90 ns CE#, OE# = VIL 最大値 60 70 90 ns OE# = VIL 最大値 60 70 90 ns 最大値 25 30 35 ns 測定条件 出力イネーブル保持時間 5 10 ns 注: 1. 各パラメータの詳細なタイミングについてはタイミング図を参照してください。 2. テスト仕様については，図 11 および表 15 を参照してください。 3. データ端子に 50Ω の終端抵抗を接続し，バイアス電圧 VCC / 2 の条件で測定。OE# High から VCC / 2 駆動のデータバスまでの 時間を tDF と想定。 . tRC ࠕ࠼ࠬ⏕ቯ ࠕ࠼ࠬ tACC CE# tRH tRH tDF tOE OE# tOEH WE# tCE tOH HIGH Z HIGH Z ജ⏕ቯ ജ RESET# RY/BY# 0V 図 13. 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 リード動作タイミング S29JL032H 51 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 ハードウェアリセット（RESET#） （注） パラメータ JEDEC 標準 説明 全スピードバージョン 単位 tReady RESET# 端子 Low（自動アルゴリズム実行中）から リードモードまで 最大値 20 µs tReady RESET# 端子 Low（自動アルゴリズム未実行時）から リードモードまで 最大値 500 ns tRP RESET# パルス幅 最小値 500 ns tRH リード前のリセット High 時間 最小値 50 ns tRPD RESET# Low からスタンバイモードまで 最小値 20 µs tRB RY / BY# 復帰時間 最小値 0 ns 注 : 各パラメータの詳細なタイミングについてはタイミング図を参照してください。 RY/BY# CE#, OE# tRH RESET# tRP tReady ⥄േࠕ࡞ࠧ࠭ࡓᧂታⴕᤨߩ࠶࠻࠲ࠗࡒࡦࠣ ⥄േࠕ࡞ࠧ࠭ࡓታⴕᤨߩ࠶࠻࠲ࠗࡒࡦࠣ tReady RY/BY# tRB CE#, OE# RESET# tRP 図 14. 52 リセットタイミング S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 ワード / バイト構成（BYTE#） パラメータ JEDEC 標準 スピードバージョン 60 説明 70 90 単位 tELFL/tELFH CE# から BYTE# 端子 Low または High まで 最大値 5 ns tFLQZ BYTE#Low スイッチング時出力 High Z 移行 時間 最大値 16 ns tFHQV BYTE#High スイッチング時出力 Active 移行 時間 最小値 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 60 70 90 ns 53 A D V A N C E I N F O R M A T I O N CE# OE# BYTE# ワード⇒ バイトモード 移行時の BYTE# 切替え時間 tELFL DQ14 ～ DQ0 データ出力 （DQ14 ～ DQ0） データ出力 （DQ7 ～ DQ0） DQ15 出力 DQ15 / A-1 アドレス 入力 tFLQZ tELFH BYTE# バイト⇒ ワードモード 移行時の BYTE# DQ14 ～ DQ0 データ出力 （DQ7 ～ データ出力 （DQ14 ～ DQ0） アドレス 入力 DQ15 出力 DQ15 / A-1 tFHQV 図 15. リード動作時の BYTE# タイミング CE# 最後のライトパルスの立下りエッジ WE# BYTE# tSET （tAS） tHOLD（tAH） 注 :tAS および tAH の仕様については，イレーズ / プログラム動作表を参照してください。 図 16. 54 ライト動作時の BYTE# タイミング S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 イレーズおよびプログラム動作（注 1） スピードバージョン パラメータ JEDEC 標準 説明 tAVAV tWC ライトサイクルタイム 最小値 tAVWL tAS アドレスセットアップ時間 最小値 0 ns 最小値 12 ns tASO tWLAX アドレスセットアップ時間から OE# Low まで （トグルビットのポーリング時） tAH tAHT アドレス保持時間 最小値 CE# または OE# High からアドレス保持時間まで （トグルビットのポーリング時） 60 70 90 単位 60 70 90 ns 35 40 45 0 最小値 35 40 ns ns tDVWH tDS データセットアップ時間 最小値 45 ns tWHDX tDH データ保持時間 最小値 0 ns tOEPH 出力イネーブル High（トグルビットのポーリング時） 最小値 20 ns tGHWL tGHWL ライト前のリード復帰時間 (OE# High から WE# Low まで） 最小値 0 ns tELWL tCS CE# セットアップ時間 最小値 0 ns tWHEH tCH CE# 保持時間 最小値 0 ns tWLWH tWP ライトパルス幅 最小値 25 30 35 ns tWHDL tWPH ライトパルス幅（High） 最小値 25 30 30 ns tSR/W リード / ライト動作間の遅延時間 最小値 0 バイト 標準値 4 ワード 標準値 6 ns tWHWH1 tWHWH1 プログラム動作（注 2） tWHWH1 tWHWH1 アクセラレーションプログラム動作， バイトまたはワード（注 2） 標準値 4 µs tWHWH2 tWHWH2 セクタイレーズ動作（注 2） 標準値 0.4 s tVCS VCC セットアップ時間 最小値 50 µs tRB RY / BY# からのライト復帰時間 最小値 0 ns プログラム / イレーズが有効になるまでの RY / BY# の 遅延時間 最大値 90 ns tBUSY µs 注: 1. 各パラメータの詳細なタイミングについてはタイミング図を参照してください。 2. 詳しくは，「イレーズ / プログラミング性能」のセクションを参照してください。 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 55 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 ࡊࡠࠣࡓࠦࡑࡦ࠼ࠪࠤࡦࠬ㧔ᦨᓟߩࠨࠗࠢ࡞࿁㧕 ࠬ࠹࠲ࠬᖱႎߩ࠼㧔ᦨᓟߩࠨࠗࠢ࡞࿁㧕 tAS tWC ࠕ࠼ࠬ 555h PA PA PA tAH CE# tCH OE# tWHWH1 tWP WE# tWPH tCS tDS tDH A0h ࠺࠲ ࠬ࠹࠲ࠬ ᖱႎ PD DOUT tBUSY tRB RY/BY# VCC tVCS 注: 1. PA = プログラムアドレス，PD = プログラムデータ，DOUT は，プログラムアドレスにおける真のデータです。 2. 図はワードモードのデバイスを示しています。 図 17. プログラム動作タイミング VHH WP#/ACC VIL߹ߚߪVIH VIL߹ߚߪVIH tVHH 図 18. 56 tVHH アクセラレーションプログラムタイミングチャート S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 ࠗ࠭ࠦࡑࡦ࠼ࠪࠤࡦࠬ㧔ᦨᓟߩࠨࠗࠢ࡞࿁㧕 tAS tWC 2AAh ࠕ࠼ࠬ ࠬ࠹࠲ࠬᖱႎߩ࠼ VA SA 555h㧦࠴࠶ࡊࠗ࠭ VA tAH CE# tCH OE# tWP WE tWP tCS tWHWH2 tDS tDH ࠺࠲ 55h 30h ታⴕਛ ቢੌ 10㧦࠴࠶ࡊࠗ࠭ tBUSY tRB RY/BY# tVCS VCC 注: ，VA = ステータスデータをリードできる有効なアドレス（「ライト動作ステータ 1. SA = セクタアドレス（セクタイレーズの場合） ス」を参照してください）。 2. これらの波形はワードモードにおける波形です。 図 19. 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 チップ / セクタイレーズ動作タイミング S29JL032H 57 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 ࠕ࠼ࠬ tWC tWC tRC ലߥPA ലߥRA tWC ലߥPA ലߥPA tAH tCPH tACC tCE CE# tCP tOE OE# tOEH tGHWL tWP WE# tDF tWP tDS tOH tDH ലߥ ജ ലߥ ജ ࠺࠲ ലߥ ജ ലߥ ജ tSR/W ࠗ࠻ࠨࠗࠢ࡞㧔WE#ᓮᤨ㧕 図 20. ࠼ࠨࠗࠢ࡞ ࠗ࠻ࠨࠗࠢ࡞(CE#߹ߚߪCE2#ᓮᤨ) 連続リード / ライトサイクルタイミング tRC ࠕ࠼ࠬ VA VA VA tACC tCE CE# tCH tOE OE tDF tOEH WE# tOH DQ7 DQ0–DQ6 ᢙ ᢙ ࠬ࠹࠲ࠬᖱႎ ࠬ࠹࠲ࠬᖱႎ True ജ⏕ቯ ജ⏕ቯ True High Z High Z tBUSY RY/BY# 注： VA = 有効なアドレス。図は，コマンドシーケンス後の最初の状態サイクル，最後の状態リードサイクル，データアレイのリー ドサイクルを示しています。 図 21. 58 Data# ポーリングのタイミング（自動アルゴリズム実行時） S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 tAHT tAS ࠕ࠼ࠬ tAHT tASO CE# tCEPH tOEH WE# tOEPH OE# tDH DQ6/DQ2 tOE ജ⏕ቯ ലߥ ലߥ ലߥ ࠬ࠹࠲ࠬᖱႎ ࠬ࠹࠲ࠬᖱႎ ࠬ࠹࠲ࠬᖱႎ 㧔࿁⋡ߩ࠼㧕 㧔࿁⋡ߩ࠼㧕 ജ⏕ቯ 㧔࠻ࠣ࡞ᱛ㧕 RY/BY# 注 : VA = 有効なアドレス（DQ6 の場合は自動プログラム、またはイレーズ動作中のバンクのアドレス）。図は，コマンドシーケンス後の最初の 2 回の状 態サイクル，最後の状態リードサイクル，データアレイのリードサイクルを示しています。 図 22. 自動 イレーズ 開始 WE# トグルビットのタイミング（自動アルゴリズム実行時） イレーズ サスペンド イレーズ開始 サスペンドプログラム イレーズ イレーズサスペンド リード イレーズ 復帰 イレーズ イレーズサスペンド サスペンド リード プログラム イレーズ イレーズ 完了 DQ6 DQ2 注：DQ2 がトグルするのは，イレーズがサスペンドされたセクタ内のアドレスをリードするときのみとなります。システムは， OE# または CE# を使用して，DQ2 と DQ6 をトグルすることができます。 図 23. 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 DQ2 と DQ6 の比較 S29JL032H 59 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 一時的セクタプロテクト解除 パラメータ JEDEC 標準 説明 全スピードバージョン 単位 tVIDR VID 立上り / 立下り時間 最小値 500 ns tVHH VHH 立上り / 立下り時間 最小値 250 ns tRSP 一時的セクタプロテクト解除時の RESET# セットアップ時間 最小値 4 µs tRRB 一時的セクタプロテクト解除時の RY / BY# High ⇒ RESET# 保持時間 最小値 4 µs 注：各パラメータの詳細なタイミングについてはタイミング図を参照してください。 VID RESET# VID VSS, VIL, ߹ߚߪ VIH VSS, VIL, ߹ߚߪ VIH tVIDR tVIDR ࡊࡠࠣࡓ߹ߚߪࠗ࠭ࠦࡑࡦ࠼ࠪࠤࡦࠬ CE# WE# tRRB tRSP RY/BY# 図 24. 60 一時的セクタプロテクト解除のタイミング図 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 VID VIH RESET# SA, A6, A1, A0 ല* ല* ࠢ࠲ࠣ࡞ࡊࡊࡠ࠹ࠢ࠻ࡊࡠ࠹ࠢ࠻⸃㒰 ࠺࠲ 60h 60h ല* ᬌ⸽ 40h ⁁ᘒ 1 µs CE# ࠢ࠲ࠣ࡞ࡊࡊࡠ࠹ࠢ࠻⸳ቯᤨ㑆㧦150 µs ࠢ࠲ࠣ࡞ࡊࡊࡠ࠹ࠢ࠻⸃㒰ᤨ㑆㧦15 ms WE# OE# * A6 = 0，A1 = 1，A0 = 0（セクタプロテクト設定時） ，A6 = 1，A1 = 1，A0 = 0（セクタプロテクト解除時） 図 25. 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 セクタ / セクタブロックプロテクトおよび プロテクト解除のタイミング図 S29JL032H 61 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 イレーズおよびプログラム動作（CE# 制御時）（注 1） パラメータ スピードバージョン JEDEC 標準 説明 60 70 90 単位 tAVAV tWC ライトサイクルタイム 最小値 55 70 90 ns tAVWL tAS アドレスセットアップ時間 最小値 tELAX tAH アドレス保持時間 最小値 35 40 45 ns tDVEH tDS データセットアップ時間 最小値 35 40 45 ns tEHDX tDH データ保持時間 最小値 0 ns tGHEL tGHEL ライト前のリード復帰時間 (OE# High から WE# Low まで） 最小値 0 ns tWLEL tWS WE# セットアップ時間 最小値 0 ns tEHWH tWH WE# 保持時間 最小値 0 ns tELEH tCP CE# パルス幅 最小値 25 30 35 ns tEHEL tCPH CE# パルス幅（High） 最小値 25 30 30 ns tWHWH1 tWHWH1 プログラム動作（注 2） tWHWH1 tWHWH1 tWHWH2 tWHWH2 0 ns バイト 標準値 4 ワード 標準値 6 アクセラレーションプログラム動作， バイトまたはワード（注 2） 標準値 4 µs セクタイレーズ動作（注 2） 標準値 0.4 s µs 注: 1. 各パラメータの詳細なタイミングについてはタイミング図を参照してください。 2. 詳しくは，「イレーズ / プログラミング性能」のセクションを参照してください。 62 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N AC 特性 555㧦ࡊࡠࠣࡓ 2AA㧦ࠗ࠭ PA㧦ࡊࡠࠣࡓ SA㧦ࠢ࠲ࠗ࠭ 555㧦࠴࠶ࡊࠗ࠭ Data# ࡐࡦࠣ PA ࠕ࠼ࠬ tWC tAS tAH tWH WE# tGHEL OE# tWHWH1 ߹ߚߪ 2 tCP CE# tWS tCPH tBUSY tDS tDH DQ7# ࠺࠲ tRH A0㧦ࡊࡠࠣࡓ 55㧦ࠗ࠭ DDOUT OUT PD㧦ࡊࡠࠣࡓ 30㧦ࠢ࠲ࠗ࠭ 10㧦࠴࠶ࡊࠗ࠭ RESET# RY/BY# 注: 1. 図は，プログラムまたはイレーズ動作の最後のバスサイクル 2 回を示しています。 2. PA = プログラムアドレス，SA = セクタアドレス，PD = プログラムデータ 3. DQ7# は，デバイスにライトされたデータの補数を表します。DOUT は，デバイスにライトされたデータを表します。 4. 波形はワードモードにおける波形です。 図 26. 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 ライト（イレーズ / プログラム）動作（CE# 制御時）のタイミング S29JL032H 63 A D V A N C E I N F O R M A T I O N イレーズ / プログラミング性能 パラメータ 標準値（注 1） 最大値（注 2） 単位 2 s セクタイレーズ時間 0.4 チップイレーズ時間 28 バイトプログラム時間 4 80 ワードプログラム時間 6 100 µs アクセラレーションバイト / ワードプログラム時間 4 70 µs バイトモード 12.6 50 ワードモード 12 35 アクセラレーションモード 10 30 チッププログラム時間 （注 3） s 備考 消去前の「00h」プログラミングを 除く（注 4） µs システムレベルのオーバーヘッドを 除く（注 5） s 注: 1. プログラム / イレーズ時間の標準値は下記の条件を想定したものです。25°C，VCC = 3.0 V； 100,000 回，チェッカーボードデータパ ターン 2. 最悪条件（ 90°C，VCC = 2.7 V，1,000,000 回）の場合。 3. ほとんどのバイトプログラムは上記の最大プログラム時間よりも速いため，チッププログラミング時間の標準値は，上記の最大チッププ ログラミング時間よりもかなり短くなります。 4. 自動イレーズアルゴリズムのプリプログラミングでは，消去前にすべてのバイトが「00h」にプログラムされます。 5. システムレベルのオーバーヘッドとは，プログラムコマンドのバスサイクルシーケンス（2 回または 4 回）を実行するのに要する時間を いいます。コマンドの定義については，表 13 を参照してください。 6. デバイスの最小サイクル許容値は，セクタ当たり 100,000 回となっています。 TSOP 端子容量 パラメータシンボル パラメータの説明 測定条件 標準値 最大値 単位 CIN 入力端子容量 VIN = 0 TSOP 6 7.5 pF COUT 出力端子容量 VOUT = 0 TSOP 8.5 12 pF CIN2 制御端子容量 VIN = 0 TSOP 7.5 9 pF 注: 1. 抽出したサンプル。 2. 測定条件：TA = 25°C，f = 1.0 MHz 64 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 外形寸法 TS 048：48 ピン スタンダード TSOP 2X 0.10 ࠬ࠲ࡦ࠳࠼ࡇࡦജ㧔㕙࿑㧕 2X (N/2 TIPS) 2X 2 0.10 0.10 1 A2 N ⚦࿑㧮ࠍෳᾖ A ࡃࠬࡇࡦജ㧔㕙࿑㧕 3 B 1 N E 5 N +1 2 N 2 D1 D 0.25 2X (N/2 TIPS) e 9 5 A1 4 N +1 2 N 2 C B A B ࠪ࠹ࠖࡦࠣ ࡊࡦ ⚦࿑㧭ࠍෳᾖ 0.08MM (0.0031") b M C A-B 6 S 7 ࡔ࠶ࠠ 7 (c) c1 b1 ࡌࠬࡔ࠲࡞ ࡚ࠢࠪࡦ㧮㧮 R (c) ° C ࠪ࠹ࠖࡦࠣ ࡊࡦߣᐔⴕ 0.25MM (0.0098") BSC L TS/TSR 048 Jedec MO-142 (D) DD ࠪࡦࡏ࡞ A A1 A2 b1 b c1 c D D1 E e L 0 R N ᦨዊ୯ ᮡḰ୯ ᦨᄢ୯ 1.20 0.15 0.05 0.95 1.00 1.05 0.17 0.20 0.23 0.17 0.22 0.27 0.16 0.10 0.21 0.10 19.80 20.00 20.20 18.30 18.40 18.50 11.90 12.00 12.10 0.50 BASIC 0.50 0.60 0.70 8° 0° 0.20 0.08 48 X X = A ߹ߚߪ B ⚦࿑㧭 Package e/2 ࠥࠫ ࡊࡦ ⚦࿑㧮 ᵈ㧦 1 ↪ኸᴺනߪࡒ㧔mm㧕 㧔ኸᴺ⸥߅ࠃ߮Ꮕ⸥ߪANSI Y14.5M-1982ߦḰ㧕 2 ࡃࠬ࠲ࠗࡊߩࡇࡦജ㧔࠳ࠗࠕ࠶ࡊ㧕ߩ႐วࡇࡦ⼂⸥ภޕ 3 ࡃࠬ࠲ࠗࡊߩࡇࡦജ㧔࠲ࠗ࠳࠙ࡦ㧕ߩ႐วߩࡇࡦ⼂⸥ภ㧘 ࠗࡦࠢ߹ߚߪࠩࡑࠢ 4 ࠪ࠹ࠖࡦࠣࡊࡦ-C-ߦߡቯߒ߹ߔޕ ࠪ࠹ࠖࡦࠣࡊࡦߣߪ㧘ࡄ࠶ࠤࠫ࠼߇ᐔࠄߥ᳓ᐔ㕙ߦ ᡰ㓚ߥߊ㈩⟎ߢ߈ࠆߣ߈ߦ↢ߓࠆធว㕙ߢߔޕ 5 ኸᴺD1߅ࠃ߮Eߦߪࡕ࡞࠼⓭ㇱࠍߺ߹ߖࠎޕ ⸵ኈน⢻ߥࡕ࡞࠼⓭ㇱߪฦ㕙ߣ߽0.15mmޕ 6 ኸᴺbߦߪ࠳ࡓࡃ⓭ㇱࠍߺ߹ߖࠎޕ ⸵ኈน⢻ߥ࠳ࡓࡃ⓭ㇱኸᴺߪ㧘ኸᴺbએ ᦨᄢታ⁁ᘒߦ߅ߡోߢ0.08mm߹ߢߣߒ߹ߔޕ ⓭ㇱߣ㓞ធ࠼ߣߩ㑆㓒ߪ0.07mmએߣߒ߹ߔޕ 7 ኸᴺߪ㧘࠼వ┵ࠃࠅ0.10mm߆ࠄ0.25mm߹ߢߩ࠼ᐔᢿ㕙ߦㆡ↪ߒ߹ߔޕ 8 ࠼㑆ᲑᏅߪ㧘ࠪ࠹ࠖࡦࠣࡊࡦ߆ࠄ᷹ቯߒߚߣ߈ߦ0.10mm߹ߢߣߒ߹ߔޕ 9 ኸᴺޟeߪޠ㧘࠼ߩਛᔃ✢ߦߡ᷹ቯߒ߹ߔޕ 3355 \ 16-038.10c 2005 年 3 月 9 日 S29JL032HA11 S29JL032H 65 A D V A N C E I N F O R M A T I O N 改訂履歴 改訂 A（2004 年 5 月 21 日） 初版 改訂 A+1（2004 年 8 月 5 日） SecSi セクタフラッシュメモリ領域 SecSi セクタ領域の保護方法についての説明を改良 CMOS 互換性 VOL を変更 イレーズ／プログラム性能 ワードおよびバイトモードのチッププログラム時間を変更 改訂 A+11（2005 年 3 月 9 日） スピードバージョン 55ns 製品の削除。 スピードバージョン 60ns 製品の Vcc 電源電圧範囲を変更。 スタンバイ電流（Icc3、Icc4、Icc5）の変更。 RESET ＃＝ VIH による SecSi セクタプロテクションの機能を削除。 商標および注記 このドキュメントは断りなく変更される場合があります。さらに開発途上の Spansion 製品に関する情報も含まれており、Spansion LLC は断り なく、それらの製品に対する作業に関して変更を行い、又は中断する権利を有しています。このドキュメントに含まれる情報は、現状のま ま、保証なしに提供されるものであり、その正確性、完全さ、および特定の目的に対する適合性やその市場性および他者の権利を阻害しない 事を保証するものではありません。この保証の否定の範囲は明らかに述べられている事、言外の述べられている事、および法的に訴求される 事を含みます。Spansion LLC は、このドキュメントに含まれる情報を使用することにより発生したいかなる被害に対しても責任を負いませ ん。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造され ています。 極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性 を伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医 療機器 , 兵器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使 用されるよう設計・製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業担当部門まで ご相談ください。ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせな いよう , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品が , 「外国為替および外国貿易法」に基づき規制されている貨物または技術に該当する場合には , 本製品を輸出する に際して , 同法に基づく許可が必要となります。 Copyright © 2004-2005 Spansion LLC. All rights reserved Spansion、Spansion のロゴ、MirrorBit、およびその組み合わせと ExpressFlash は、Spansion LLC の商標です。このドキュメントにおいて使用され ている他の会社名および製品名は識別の為にのみ使用されているものであり、それぞれの会社の商標も含まれています。 66 S29JL032H S29JL032HA11 2005 年 3 月 9 日