注文コード No. N 7 5 5 6 FW360 No. N7556 31504 新 FW360 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング モータドライブ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッ ケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・オン抵抗特性が優れている。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 VDSS ゲート・ソース電圧 ドレイン電流（DC） N-channel 100 P-channel − 100 ± 20 2 ± 20 −2 V A 5 8 −5 −8 A A 1.8 2.0 W W 150 − 55 ∼＋ 150 ℃ ℃ VGSS ID ドレイン電流（PW ≦ 100ms） ID ドレイン電流（PW ≦ 10µs） IDP 許容損失 PD 全損失 PT チャネル温度 Tch 保存周囲温度 Tstg duty cycle ≦ 1% duty cycle ≦ 1% セラミック基板(1200mm2 × 0.8mm)装着時 1unit(PW ≦ 10s) 1.4 セラミック基板(1200mm2 × 0.8mm)装着時(PW ≦ 10s) unit V 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ [N-channel] ドレイン・ソース降伏電圧 min 100 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 IDSS IGSS VDS=100V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 ゲート・ソースしゃ断電圧 VGS(off) VDS=10V, ID=1mA typ 1.2 max unit V 1 ± 10 µA µA 2.6 V 次ページへ続く。 単体品名表示： W360 電気的接続図 6 5 8 2 3 4 4.4 1 4 5.0 (Top view) 0.595 1.27 0.43 0.1 1.5 1 5 0.3 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 6.0 7 1.8max 8 外形図 2129 (unit : mm) 0.2 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 SANYO : SOP8 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 31504 TS IM ◎佐藤 TA-100617 No.7556-1/6 FW360 前ページより続く。 min typ max unit 1.8 3 175 220 S mΩ 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 yfs RDS(on)1 VDS=10V, ID=1A ID=1A, VGS=10V 入力容量 RDS(on)2 Ciss ID=1A, VGS=4V VDS=20V, f=1MHz 220 530 出力容量 帰還容量 Coss Crss VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz 45 35 pF pF ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 指定回路において 〃 9 4 ns ns ターンオフ遅延時間 下降時間 td(on) tr td(off) tf 〃 〃 58 25 ns ns 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 Qg Qgs VDS=10V, VGS=10V, ID=2A 13 2.1 nC nC ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qd VSD 2.8 0.82 1.2 nC V typ max unit −1 V µA ± 10 − 2.6 µA V 315 S mΩ IS=2A, VGS=0 [P-channel] min ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 310 mΩ pF ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 100V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS= − 10V, ID= − 1mA − 100 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 yfs RDS(on)1 VDS= − 10V, ID= − 1A ID= − 1A, VGS= − 10V 入力容量 RDS(on)2 Ciss ID= − 1A, VGS= − 4V VDS= − 20V, f=1MHz 320 935 出力容量 帰還容量 Coss Crss VDS= − 20V, f=1MHz VDS= − 20V, f=1MHz 71 48 pF pF ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 td(on) tr 指定回路において 〃 12 50 ns ns ターンオフ遅延時間 下降時間 td(off) tf 〃 〃 92 52 ns ns 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 Qg Qgs VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A 20 4.5 nC nC ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qgd VSD IS= − 2A, VGS=0 − 1.2 1.8 3 240 450 4.5 0.83 1.2 mΩ pF nC V スイッチングタイム測定回路図 [N-channel] [P-channel] VDD=50V VIN VDD= --50V VIN 10V 0V 0V --10V ID=1A RL=50Ω VIN D ID= --1A RL=50Ω VIN D VOUT PW=10µs D.C.≦1% VOUT PW=10µs D.C.≦1% G G FW360 P.G 50Ω S FW360 P.G 50Ω S No.7556-2/6 FW360 ID -- VDS 0.8 0.6 --1.2 --1.0 --0.8 --0.6 0.4 --0.4 0.2 --0.2 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT05950 ID -- VGS 6 VGS= --3.0V 0 0 2.0 --3. 5V --1.4 [Pch] --4. --5.0 V 0V V 1.0 0 0 --6.0 --1.6 ドレイン電流, ID -- A 1.2 --10V --8.0V 4.5 --1.8 3.5V 1.4 ID -- VDS --2.0 VGS=3.0V 10V ドレイン電流, ID -- A 1.6 V 4.0 6.0V 8.0V 1.8 [Nch] V 2.0 [Nch] --2.0 IT05951 ID -- VGS --4.0 VDS=10V --1.8 [Pch] VDS= --10V --3.5 --2.5 --1.5 --25°C --2.0 5°C 75°C --25°C 2 75°C 25°C 3 --3.0 Ta=2 ドレイン電流, ID -- A 4 Ta= ドレイン電流, ID -- A 5 --1.0 1 --0.5 0 0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ゲート・ソース電圧, VGS -- V [Nch] Ta=25°C ID=1A 350 300 250 200 150 100 50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ゲート・ソース電圧, VGS -- V RDS(on) -- Ta 400 18 20 [Nch] 300 V ,V 250 = A S =1 VG ID , A =1 ID 200 V 10 150 100 50 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 周囲温度, Ta -- °C 100 120 140 160 IT05956 --2.0 --3.0 --4.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V --5.0 IT05953 RDS(on) -- VGS 600 [Pch] Ta=25°C ID= --1A 550 500 450 400 350 300 250 200 150 100 0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT05954 350 =4 GS --1.0 IT05952 RDS(on) -- VGS 400 0 4.0 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0.5 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 RDS(on) -- Ta 600 --18 --20 IT05955 [Pch] 550 500 450 4V -S= , VG 400 1A = -ID 350 300 A, --1 I D= 250 0V = --1 V GS 200 150 100 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 周囲温度, Ta -- °C 100 120 140 IT05957 No.7556-3/6 FW360 5 3 2 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 IF -- VSD 2 [Nch] --1.0 7 5 25°C 順電流, IF -- A 1.0 7 5 5°C 25°C 3 2 0.1 7 5 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 IT05959 IF -- VSD --10 7 5 3 2 3 2 2 ドレイン電流, ID -- A [Pch] VGS=0 3 2 --0.1 7 5 3 2 2 --0.01 --0.3 0.01 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 ダイオード順電圧, VSD -- V SW Time -- ID 3 1.2 100 td(off) 7 5 tf 3 2 td(on) 10 7 5 tr 3 2 1.0 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 5 3 ドレイン電流, ID -- A Ciss, Coss, Crss -- VDS 1000 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 [Pch] VDD= --50V VGS= --10V 3 2 td(off) 100 7 tf 5 tr 3 2 td(on) 10 --0.1 7 --10 IT05962 2 3 5 7 --1.0 2 5 3 ドレイン電流, ID -- A [Nch] Ciss, Coss, Crss -- VDS 5 7 --10 IT05963 [Pch] f=1MHz 3 Ciss --1.0 IT05961 SW Time -- ID 5 f=1MHz 7 --0.5 ダイオード順電圧, VSD -- V [Nch] VDD=50V VGS=10V 2 --0.4 IT05960 スイッチングタイム, SW Time -- ns 0 スイッチングタイム, SW Time -- ns 3 0.1 --0.01 3 2 Ciss, Coss, Crss -- pF 5 Ciss, Coss, Crss -- pF 5 VGS=0 Ta= 7 順電流, IF -- A 10 7 5 7 5 7 10 IT05958 ドレイン電流, ID -- A =2 Ta °C 7 °C C 5° - 25 °C 75 1.0 --25 1.0 2 °C C °C 5° - 25 2 = °C Ta 75 3 =7 5 2 5 Ta 3 [Pch] VDS= --10V 7 5 0.1 0.01 yfs -- ID 10 順伝達アドミタンス, yfs -- S 7 順伝達アドミタンス, yfs -- S [Nch] VDS=10V 25° C yfs -- ID 10 3 2 100 7 Coss 5 Crss 3 Ciss 1000 7 5 3 2 Coss 100 7 5 Crss 3 2 2 10 10 0 5 10 15 20 25 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 30 IT05964 0 --5 --10 --15 --20 --25 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V --30 IT05965 No.7556-4/6 FW360 VGS -- Qg 10 8 7 6 5 4 3 2 --7 --6 --5 --4 --3 --2 0 2 4 6 8 10 12 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT05966 ASO [Nch] 2 IDP=8A 10 7 5 IDP=2A 3 2 Operation in this area is limited by RDS(on). 0.1 7 5 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時 1unit 3 2 0.01 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 ドレイン・ソース電圧, VDS PD -- Ta 2.5 6 8 10 12 14 [Pch] ≦100µs 1m s 10 m s 10 0m op s er at io Operation in this area is limited by RDS(on). n( PW ≦ 10 s) Ta=25°C 1パルス セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時 1unit --0.01 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7--100 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V [Nch] PD -- Ta 2.5 セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時, PW≦10s 2.0 20 ASO DC --0.1 7 5 18 IT05967 --1.0 7 5 3 2 16 総ゲート電荷量, Qg -- nC IDP= --2A 3 2 3 2 2 3 5 7100 2 -- V IT05968 4 IDP= --8A --10 7 5 C D 1.0 7 5 2 2 ≦100µs s 1m s s) m 10 10 ≦ s 0m PW 10 n( io at er op 3 2 0 14 ドレイン電流, ID -- A 0 ドレイン電流, ID -- A --8 --1 0 2 IT05969 [Pch] セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時, PW≦10s 2.0 1.5 1.4 許容損失, PD -- W 許容損失, PD -- W [Pch] VDS= --50V ID= --2A --9 1 全 損 失 1u 1.0 nit 0.5 1.8 1.5 全 損 失 1u 1.0 nit 0.5 0 0 0 20 40 60 80 100 140 120 周囲温度, Ta -- °C 160 IT05970 PD(FET1) -- PD(FET2) 1.6 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 IT05971 [Nch, Pch共通] セ ク ッ ミ ラ 1.4 1.2 (1 板 基 20 1.0 0m 2× m 0.8 mm 0.8 )装 0.6 着 時 ,P 0.4 W ≦ 10 許容損失(FET 1), PD -- W VGS -- Qg --10 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 9 ゲート・ソース電圧, VGS -- V [Nch] VDS=50V ID=2A s 0.2 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 許容損失(FET 2), PD -- W 1.6 1.8 2.0 IT05972 No.7556-5/6 FW360 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7556-6/6