S1A ... S1Y S1A ... S1Y Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2011-05-31 Nominal current – Nennstrom 2.2± 0.2 2.1± 0.1 5± 0.2 0.15 Type Typ 4.5 1.5 2.7± 0.2 1± 0.3 1A Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMA ~ DO-214AC Weight approx. – Gewicht ca. 0.07 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle ± 0.3 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics 1) Type Typ Grenz- und Kennwerte 1) (Repetitive) Peak reverse voltage (Periodische-)Spitzensperrspannung Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom VRRM [V] / VRSM [V] VF [V] @ IF = 1A IR [µA] @ VRRM IR [µA] @ VRRM S1A 50 < 1.1 <5 < 50 S1B 100 < 1.1 <5 < 50 S1D 200 < 1.1 <5 < 50 S1G 400 < 1.1 <5 < 50 S1J 600 < 1.1 <5 < 50 S1K 800 < 1.1 <5 < 50 S1M 1000 < 1.1 <5 < 50 S1T 1300 < 1.1 <5 < 50 S1W 1600 < 1.1 <5 < 50 S1X 1800 < 1.1 <5 < 50 S1Y 2000 < 1.1 <5 < 50 Tj = 100°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 30/32 A Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapzität VR = 4 V Cj typ. 12 pF Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Thermal resistance junction-ambient − Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthA RthT < 70 K/W 2) < 30 K/W 1 2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 S1A ... S1Y 102 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TT 100 50 150 10-2 0.4 [°C] 30a-(1a-1.1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 10 2 100 [µA] Tj = 125°C 10 1 [%] Tj = 100°C 1 10 10-1 ZthA RthA Tj = 25°C IR 10 -2 0 VRRM 40 60 80 100 [%] 1 0.01 [s] 0.1 1 10 102 [tp] Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical) Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch) 103 Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 25 102 [pF] 20 [A] 15 10 10 îF 5 1 Cj 0 VR [V] 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG