SANYO 4AM01MH5

注文コード No. N 7 4 3 0
4AM01MH5
No. N 7 4 3 0
D2503
新
半導体ニューズ No.N6481 とさしかえてください。
4AM01MH5
特長
エクセレントパワーデバイス
ハイサイドスイッチ
真理値表
・ハイサイドスイッチ。
（インバータ入力）
・25V 動作が可能。
IN
L
OUT
Z
・低電力損失。
・Pch MOSFET オープンドレイン出力。
H
H
H： 高レベル電圧
L ： 低レベル電圧
Z ： 高インピーダンス
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
unit
DC 電源電圧
入力電圧
VDD
VIN
− 0.3 ∼＋ 25
− 0.3 ∼ VDD ＋ 0.3
出力電圧
入力電流
VOUT
IIN
出力電流
許容損失
IOUT
PD
セラミック基板(600mm2 ×0.8mm)装着時
保存周囲温度
Tstg
VDD − 25 ∼ VDD ＋ 0.3
± 10
VIN
VOUT
入力上昇・下降時間
∆t / ∆v VDD ＜ 5V
VDD ≧ 5V
動作周囲温度
Topr
V
mA
75
0.8
mA
W
− 55 ∼＋ 150
℃
推奨動作条件 Recommended Operating Conditions / Ta=25℃
DC 電源電圧
VDD
入力電圧
出力電圧
V
V
unit
V
3 ∼＋ 25
0 ∼ VDD
VDD − 25 ∼ VDD
≦ 100
20
V
V
ns / V
ns / V
− 40 ∼＋ 85
℃
単体品名表示：XG
0.25
外形図 2217
(unit : mm)
2
1
0.07
1.6
0.25
3
0.65
5
2.0
4
(Bottom view)
0.85
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
2.1
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
0.15
0.3
5
4
1
2
1 : NC
2 : IN
3 : GND
4 : OUT
5 : VDD
3
(Top view)
SANYO : MCPH5
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
D2503 TS IM ◎佐藤 TA-3909 No.7430-1/4
4AM01MH5
DC 特性 DC Characteristics / Ta=25℃
高レベル入力電圧
VIH
低レベル入力電圧
VDD=25V
VDD=5V
VIL
入力もれ電流
IIN
高レベル出力電圧
VOH
電源電流
min
3.5
VDD=5V
VDD=10V
VDD=15V
IDD
AC 特性 AC Characteristics / Ta=25℃
伝播遅延時間
tPZH
typ
V
V
18.0
1.5
V
V
VDD=10V
VDD=15V
3.0
4.0
V
V
VDD=25V
VDD=25V, VIN=25V
VDD=25V, VIN=0
VDD=5V, IO=1mA
7.0
0.1
V
µA
0.1
4.5
µA
V
VDD=10V, IO=2.5mA
VDD=15V, IO=5.0mA
9.0
13.5
V
V
VDD=25V, IO=10mA
VDD=5V, VIN=VDD, GND
22.5
0.25
V
µA
VDD=10V, VIN=VDD, GND
VDD=15V, VIN=VDD, GND
0.5
1.0
µA
µA
VDD=25V, VIN=VDD, GND
2.0
µA
max
unit
ns
VDD=5V, RL=1.5kΩ
VDD=10V, RL=1kΩ
VDD=15V, RL=750Ω
typ
40
VDD=25V, RL=500Ω
VDD=5V, RL=1.5kΩ
VDD=10V, RL=1kΩ
VDD=15V, RL=750Ω
VDD=25V, RL=500Ω
入力容量
unit
V
7.0
11.0
min
tPHZ
max
CIN
20
15
ns
ns
12
30
ns
ns
20
15
ns
ns
12
8
ns
pF
ブロック図
VDD
OUT
5
4
1
2
3
NC
IN
GND
スイッチングタイム測定回路図
スイッチングタイム波形図
10ns
VDD
IN
CL=10pF
VDD
90%
50%
10%
Input
OUT
10ns
tPZH
GND
tPHZ
RL
90%
Output
VOH
50%
GND
No.7430-2/4
4AM01MH5
IOUT -- VOUT
20
IOUT -- VOUT
80
VDD=5V
18
VDD=10V
70
出力電流, IOUT -- mA
出力電流, IOUT -- mA
16
14
Ta=
12
--25
°C
25°
C
75°C
10
8
6
60
50
Ta=
--25
°C
25°
C
75°C
40
30
20
4
10
2
0
0
0
1
2
3
4
0
5
出力電圧, VOUT -- V
3
4
5
70
=
出力電流, IOUT -- mA
50
25
°C
出力電流, IOUT -- mA
5
-2
75
°C
°C
40
30
20
10
0
7
8
9
10
IT05770
°C
--25
Ta= 25°C
°C
75
VDD=25V
Ta
60
6
IOUT -- VOUT
80
VDD=15V
70
2
出力電圧, VOUT -- V
IOUT -- VOUT
80
1
IT05769
60
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25
10 11 12 13 14 15
出力電圧, VOUT -- V
出力電圧, VOUT -- V
IT05771
IOUT -- VDD
60
IT05772
IOUT -- VDD
80
VOUT=0.9✕VDD
VOUT=0.8✕VDD
70
C
5°
-2 C
=
°
25 °C
Ta
75
30
20
=-25
°
25 C
°C
60
°C
75
Ta
40
出力電流, IOUT -- mA
出力電流, IOUT -- mA
50
50
40
30
20
10
10
0
0
10
5
15
20
25
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
電源電圧, VDD -- V
30
RDS(on) -- VDD
400
Ta=25°C
350
300
250
200
10mA
IOUT=1mA
150
100
50
0
0
5
10
15
電源電圧, VDD -- V
0
5
10
20
25
IT05775
15
20
25
電源電圧, VDD -- V
IT05773
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
0
30
IT05774
RDS(on) -- Ta
300
250
5V /
1mA
200
150
.5mA
10V / 2
A
15V / 5m
25V / 10mA
100
50
0
--60
--40
--20
0
20
40
周囲温度, Ta -- °C
60
80
100
IT05776
No.7430-3/4
RDS(on) -- IOUT
500
PD -- Ta
1.0
Ta=25°C
450
セラミック基板(600mm2✕0.8mm)装着時
0.9
VDD=5V
350
0.8
許容損失, PD -- W
400
300
250
10V
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
4AM01MH5
200
15V
150
100
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
25V
0.1
50
0
0
0
10
20
30
40
50
出力電流, IOUT -- mA
60
70
80
IT05777
0
10
20
30
40
50
60
70
80
周囲温度, Ta -- °C
90
100
IT05778
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.7430-4/4