CPH3143 / CPH3243 注文コード No. N 8 2 1 2 CPH3143 / CPH3243 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ DC / DC コンバータ用 用途 ・リレードライブ , ランプドライブ , モータドライブ , フラッシュ。 特長 ・MBIT プロセス採用。 ・電流容量が大きい。 ・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い。 ・スイッチングスピードが速い。 ・超小型パッケージのため、セットの小型化 , 薄型化が可能である （実装高 0.9mm） 。 ・許容損失が大きい。 （ ）内は CPH3143 の場合を示す。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 記号 条件 定格値 unit コレクタ・ベース電圧 コレクタ・エミッタ電圧 VCBO VCEO (−)15 (− 12)15 V V エミッタ・ベース電圧 コレクタ電流 VEBO IC (−)5 (−)2.5 V A コレクタ電流 （パルス） ベース電流 ICP IB (−)5 (−)500 A mA コレクタ損失 接合部温度 PC Tj 0.9 150 W ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼＋ 150 ℃ セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 記号 条件 定格値 min typ max (−)0.1 unit コレクタしゃ断電流 ICBO エミッタしゃ断電流 直流電流増幅率 IEBO hFE VCB=(−)12V, IE=0 VEB=(−)4V, IC=0 VCE=(−)2V, IC=(−)100mA 利得帯域幅積 出力容量 fT Cob VCE=(−)2V, IC=(−)300mA VCB=(−)10V, f=1MHz 370 (22)16 コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) IC=(−)1A, IB=(−)50mA (− 90) (− 135) 100 150 mV mV ベース・エミッタ飽和電圧 VBE(sat) IC=(−)1A, IB=(−)50mA (−)0.89 (−)1.2 V 単体品名表示 CPH3143 : BC, CPH3243 : DN (−)0.1 560 200 µA µA MHz pF 次ページへ続く。 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 13105EA TS IM ◎川浦 TB-00000996 No.8212-1/4 CPH3143 / CPH3243 前ページより続く。 項目 記号 定格値 条件 コレクタ・ベース降伏電圧 V(BR)CBO IC=(−)10µA, IE=0 コレクタ・エミッタ降伏電圧 エミッタ・ベース降伏電圧 V(BR)CEO V(BR)EBO IC=(−)1mA, RBE=∞ IE=(−)10µA, IC=0 (− 12)15 (−)5 ターンオン時間 蓄積時間 ton tstg 指定回路において 指定回路において (35)30 (110)180 ns ns 下降時間 tf 指定回路において (15)13 ns 外形図 unit : mm typ unit min (− 15) max V V V スイッチングタイム測定回路図 2150A 2.9 0.6 0.4 3 IB1 PW=20µs D.C.≦1% 0.2 0.15 OUTPUT IB2 INPUT RL 2.8 1.6 RB=1kΩ VR 0.05 0.6 50Ω 1 : Base 2 : Emitter 3 : Collector VBE= --5V IC=20IB1= --20IB2=1A PNPの場合極性逆 SANYO : CPH3 IC -- VCE --2.0 0 --2 --1.4 1.8 1.6 --10mA mA --30 --8mA --1.2 --6mA --1.0 --4mA --0.8 --0.6 --2mA --0.4 コレクタ電流, IC -- A --50mA 1.4 8mA 6mA A m 20 1.2 4mA 1.0 0.8 2mA 0.6 0.4 --0.2 0.2 IB=0 CPH3143 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V --2.50 --2.25 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V IT09046 IC -- VBE 2.50 CPH3143 VCE= --2V 2.25 2.0 IT09047 IC -- VBE CPH3243 VCE=2V 2.00 コレクタ電流, IC -- A コレクタ電流, IC -- A --2.00 --1.75 --1.50 --0.75 --25°C Ta=7 5 --1.00 25°C °C --1.25 1.75 1.50 1.25 1.00 0.75 --0.50 0.50 --0.25 0.25 0 0 IB=0 CPH3243 0 --2.0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 ベース・エミッタ電圧, VBE -- V --1.0 IT09048 0 0 0.2 0.4 0.6 25°C --0.2 --25°C 0 5°C 0 Ta=7 コレクタ電流, IC -- A --1.6 IC -- VCE 2.0 mA mA --15 --40mA --1.8 VCC=5V 10 m A 0.7 0.9 0.2 1.9 + 470µF + 220µF 40mA 30mA 2 1 0.8 ベース・エミッタ電圧, VBE -- V 1.0 IT09049 No.8212-2/4 CPH3143 / CPH3243 hFE -- IC 1000 5 Ta=75°C 3 25°C 2 CPH3243 VCE=2V 7 直流電流増幅率, hFE 直流電流増幅率, hFE 7 hFE -- IC 1000 CPH3143 VCE= --2V --25°C 5 Ta=75°C 25°C 3 --25°C 2 100 100 7 5 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 コレクタ電流, IC -- A 7 0.01 5 2 3 5 7 0.1 3 5 7 1.0 CPH3143 VCE= --2V 利得帯域幅積, f T -- MHz 3 2 100 5 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 コレクタ電流, IC -- A CPH3243 VCE=2V 5 3 2 100 7 3 0.01 3 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 Cob -- VCB 7 CPH3243 f=1MHz 5 出力容量, Cob -- pF 5 3 2 10 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 コレクタ・ベース電圧, VCB -- V CPH3143 IC / IB=20 --0.1 7 °C 75 = Ta 3 25 C 5° -2 °C 2 --0.01 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 コレクタ電流, IC -- A 2 2 2 3 5 IT09056 3 5 7 1.0 2 3 5 7 2 10 コレクタ・ベース電圧, VCB -- V IT09054 VCE(sat) -- IC 5 3 10 0.1 3 コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V 出力容量, Cob -- pF 3 IT09053 CPH3143 f=1MHz コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V 2 コレクタ電流, IC -- A IT09052 Cob -- VCB 7 2 5 5 7 3 3 IT09051 7 5 2 f T -- IC 1000 7 2 コレクタ電流, IC -- A IT09050 f T -- IC 1000 利得帯域幅積, f T -- MHz 3 VCE(sat) -- IC 5 3 3 IT09055 CPH3243 IC / IB=20 2 0.1 7 5 75 = Ta 3 °C °C --25 2 5 °C 2 0.01 7 5 3 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 コレクタ電流, IC -- A 2 3 5 IT09057 No.8212-3/4 CPH3143 IC / IB=20 2 --1.0 Ta= --25°C 7 75°C 25°C 5 3 2 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 コレクタ電流, IC -- A 3 5 2 --0.01 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 2 3 5 7 --1.0 2 3 ICP=5A 3 2 3 IT09060 PC -- Ta 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 IT09059 IC=2.5A ＜10µs 2 10 D C 1.0 7 5 0m s op er at io n 3 2 0.1 7 5 2 5 7 --10 5 ASO 10 7 5 3 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V 1.0 2 0.01 100µs CPH3143 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(600mm2×0.8mm)装着時 3 3 ms n 25°C 10 io 3 2 --0.1 7 5 75°C 5 s s at 7 s er s op 0m 1m --1.0 7 5 s s C 100µs 0µ m 10 D Ta= --25°C 0µ IC= --2.5A ＜10µs 10 2 1.0 1m 3 2 50 ICP= --5A CPH3243 IC / IB=20 コレクタ電流, IC -- A ASO --10 7 5 VBE(sat) -- IC 3 IT09058 50 コレクタ電流, IC -- A ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V VBE(sat) -- IC 3 コレクタ電流, IC -- A ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V CPH3143 / CPH3243 CPH3243 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(600mm2×0.8mm)装着時 0.01 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V 2 3 IT09061 CPH3143 / CPH3243 0.9 セ コレクタ損失, PC -- W 0.8 0.7 ラ ミ ッ ク 0.6 0.5 基 板 (6 00 0.4 m m2 × 0. 0.3 8m m )装 0.2 着 時 0.1 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 IT09062 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8212-4/4