MCH6632 注文コード No. N 7 7 1 1 MCH6632 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・オン抵抗特性が優れている。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流 （DC） 記号 VDSS VGSS ID ドレイン電流 （パルス） 許容損失 IDP PD チャネル温度 保存周囲温度 Tch Tstg 条件 N-channel 20 P-channel − 12 ± 10 1.6 ± 10 − 1.5 V A 6.4 − 6.0 0.8 A W 150 − 55 ∼＋ 150 ℃ ℃ PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit unit V 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 記号 条件 [N-channel] ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 IDSS IGSS VDS=20V, VGS=0 VGS= ± 8V, VDS=0 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス VGS(off) yfs ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 RDS(on)2 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=0.8A ID=0.8A, VGS=4V ID=0.4A, VGS=2.5V 入力容量 RDS(on)3 Ciss 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 定格値 typ min max 20 unit V 1 ± 10 µA µA 1.3 V S 195 235 245 325 mΩ mΩ ID=0.1A, VGS=1.8V VDS=10V, f=1MHz 315 105 465 mΩ pF Coss Crss VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 23 15 pF pF td(on) tr td(off) tf 指定回路において 指定回路において 6 16 ns ns 指定回路において 指定回路において 19 8 ns ns 単体品名表示：WG 0.4 1.6 2.4 次ページへ続く。 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 81004 TS IM ◎ 川浦 TB-00000042 No.7711-1/6 MCH6632 前ページより続く。 項目 記号 条件 定格値 typ 1.4 min 総ゲート電荷量 Qg ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd VDS=10V, VGS=4V, ID=1.6A VDS=10V, VGS=4V, ID=1.6A VDS=10V, VGS=4V, ID=1.6A ダイオード順電圧 [P-channel] VSD IS=1.6A, VGS=0 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 V(BR)DSS IDSS ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 12V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 IGSS VGS(off) 順伝達アドミタンス yfs RDS(on)1 VGS= ± 8V, VDS=0 VDS= − 6V, ID= − 1mA VDS= − 6V, ID= − 800mA ID= − 800mA, VGS= − 4.5V ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)2 RDS(on)3 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 Crss td(on) tr td(off) 下降時間 総ゲート電荷量 max unit nC 0.3 0.3 nC nC 1.2 V − 10 V µA ± 10 − 1.0 µA V 1.8 235 305 S mΩ ID= − 400mA, VGS= − 2.5V ID= − 100mA, VGS= − 1.8V 335 445 465 665 mΩ mΩ VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz 指定回路において 160 45 pF pF 35 11 pF ns 指定回路において 指定回路において 45 29 ns ns tf Qg 指定回路において VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 1.5A 30 2.6 ns nC ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 1.5A VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 1.5A 0.25 0.65 nC nC ダイオード順電圧 VSD IS= − 1.5A, VGS=0 外形図 unit : mm 0.92 − 12 − 0.3 1.3 − 0.92 − 1.5 V 電気的接続図 0.25 2173A 0.3 5 6 3 2 0.65 1 5 4 1 2 3 0.15 0.07 1.6 2.0 6 5 4 1 2 3 (Bottom view) 0.85 0.25 2.1 4 6 (Top view) 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Drain2 4 : Source2 5 : Gate2 6 : Drain1 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Drain2 4 : Source2 5 : Gate2 6 : Drain1 Top view SANYO : MCPH6 No.7711-2/6 MCH6632 スイッチングタイム測定回路図 [N-channel] [P-channel] VDD= --6V VDD=10V VIN ID=800mA RL=12.5Ω VOUT D VIN VIN ID= --800mA RL=7.5Ω PW=10µs D.C.≦1% G G [Nch] 0.8 Ta = ドレイン電流, ID -- A V 1.5 1.2 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 Ta =7 0.4 0.2 0 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V [Nch] Ta=25°C 350 300 1.0A 250 ID=0.3A 200 150 100 0 2 4 6 8 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 10 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 IT06876 [Nch] 450 400 8V 350 =1. GS A, V 1 0. I D= 300 2.5V S= A, VG 3 . 0 I D= 4.0V S= .0A, V G 1 = ID 250 200 150 100 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 IT06878 IF -- VSD [Nch] VGS=0 3 2 2 0.1 7 5 3 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 2 0.01 0.001 2 3 0.8 RDS(on) -- Ta 500 10 7 5 順電流, IF -- A 3 0.6 周囲温度, Ta -- °C [Nch] °C 25 °C -25 =a °C T 75 1.0 7 5 0.4 ゲート・ソース電圧, VGS -- V VDS=10V 3 2 0.2 IT06877 yfs -- ID 10 7 5 0 1.0 IT06875 RDS(on) -- VGS 400 0.9 5°C 25 °C --25 °C 0.3 =7 0.2 Ta 0.1 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 0 [Nch] VDS=10V 1.6 VGS=1.0V ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ID -- VGS 1.8 0.4 順伝達アドミタンス, yfs -- S S 2.0 3.0 V 2.5 V 4.0V 6.0V 10.0V 1.6 MCH6632 50Ω S ID -- VDS 2.0 ドレイン電流, ID -- A P.G MCH6632 50Ω 5° C 25° C --25°C P.G VOUT D VIN 25 ° 7 C 5° C PW=10µs D.C.≦1% 0V --4.5V --25 °C 4V 0V 5 7 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 ドレイン電流, ID -- A 2 3 5 IT06879 0.01 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 10 ダイオード順電圧, VSD -- V 11 12 IT06880 No.7711-3/6 MCH6632 SW Time -- ID [Nch] f=1MHz 2 Ciss, Coss, Crss -- pF 3 td(off) 2 10 tf 7 td(on) 5 Ciss 100 7 5 3 Coss 2 Crss 3 10 2 3 5 7 2 1.0 3 5 ドレイン電流, ID -- A 0 4 6 8 10 12 14 16 [Nch] 10 7 5 ASO ドレイン電流, ID -- A 8 6 5 4 3 2 2 IDP=6.4A 1.0 7 5 0 1 2 セ 4 IT06883 PD -- Ta [Nch] ラ 0.6 ミ ッ ク 基 板 (9 00 m 0.4 s op at io Operation in this area is limited by RDS(on). 0.1 7 5 s 0m er n Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit 0.01 0.01 5 総ゲート電荷量, Qg -- nC 1.0 0.8 3 C 2 2 0 D m 10 3 3 1 10 ID=1.6A 20 IT06882 [Nch] ＜10µs 10 1m 0µs s 3 7 18 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V VDS=10V ID=1.6A 9 2 IT06881 VGS -- Qg 10 ゲート・ソース電圧, VGS -- V [Nch] 5 2 0.1 許容損失, PD -- W Ciss, Coss, Crss -- VDS 3 VDD=10V VGS= 4V 7 tr スイッチングタイム, SW Time -- ns 100 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT06800 ID -- VGS [Pch] m2 × 0.8 m m )装 着 時 0.2 1u ni t 0 80 100 120 140 160 IT03293 ID -- VDS [Pch] -4 .5 V --1.5 60 周囲温度, Ta -- °C --2.0 V V .5 .0 2.5V - 3 -3 -- --0.6 --1.0 °C --1.5V --0.5 --0.3 VGS= --1.0V 0 0 0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V --0.5 IT04353 0 --0.5 --1.0 25° --25 °C C V --1.8 --0.9 --1.5 Ta =75 ドレイン電流, ID -- A ドレイン電流, ID -- A --1.2 VDS= --6V 25° C 40 25° C 75° C 20 Ta= -- 0 --1.5 --2.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V --2.5 --3.0 IT04354 No.7711-4/6 RDS(on) -- VGS 800 [Pch] Ta=25°C 700 600 --0.8A 500 ID= --0.4A 400 300 200 100 0 0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 700 600 V = --1.8 A, V GS 1 . 0 -I D= V = --2.5 A, V GS .4 0 -I D= = --4.5V A, V GS I D= --0.8 500 400 300 200 100 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 3 160 IT06795 IF -- VSD 5 [Pch] VGS=0 3 2 2 C 5° --2 °C 75 5 --1.0 7 5 3 3 2 2 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 --0.8 --1.0 --1.2 ダイオード順電圧, VSD -- V [Pch] --1.4 IT04358 Ciss, Coss, Crss -- VDS 5 VDD= --6V VGS= --4.5V 2 --0.6 IT04357 SW Time -- ID 3 --0.1 --0.4 3 25°C --25°C = Ta 7 5°C 1.0 Ta=7 °C 25 順電流, IF -- A 順伝達アドミタンス, yfs -- S [Pch] ドレイン電流, ID -- A [Pch] f=1MHz 3 100 7 Ciss, Coss, Crss -- pF スイッチングタイム, SW Time -- ns [Pch] 周囲温度, Ta -- °C VDS= --6V 0.1 --0.01 tr 5 td(off) tf 3 2 td(on) 10 7 5 2 Ciss 100 7 5 Coss 3 Crss 2 3 10 2 --0.1 2 3 5 7 2 --1.0 ドレイン電流, ID -- A 3 0 [Pch] --10 7 5 ドレイン電流, ID -- A --3.5 --3.0 --2.5 --2.0 --1.5 3 2 --0.5 3 2 0.5 1.0 1.5 2.0 総ゲート電荷量, Qg -- nC 2.5 3.0 IT04361 --8 --10 ASO 1m 10 ID= --1.5A DC --12 IT04360 [Pch] ＜100µs IDP= --6.0A 3 2 --1.0 0 --6 --1.0 7 5 --0.1 7 5 0 --4 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V VDS= --6V ID= --1.5A --4.0 --2 IT04359 VGS -- Qg --4.5 ゲート・ソース電圧, VGS -- V RDS(on) -- Ta 800 IT06794 yfs -- ID 5 --8 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ MCH6632 s ms 10 0m s op Operation in this area is limited by RDS(on). era tio n Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit --0.01 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 IT06799 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V No.7711-5/6 MCH6632 PD -- Ta 1.0 許容損失, PD -- W 0.8 [Pch] セ ラ ミ ッ ク 基 板 (9 00 m m2 × 0.6 0.4 0.8 m m )装 着 時 0.2 1u ni t 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 IT03293 取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7711-6/6