U8600B Laser Controller Description The U8600B is a monolithic integrated circuit using TEMIC’s advanced UHF technology. The IC is a very high-speed, mixed–signal laser driver circuit for re-writable optical systems. It comprises a servo amplifier to drive the laser diode, a high-frequency modulator for noise reduction, power and pulse-width generators as well as several operation control and safety functions. Features D Single + 5 V power supply D Data transfer rates up to 16 Mb/s D Servo system D On-chip generation of power levels for read, erase, – High bandwidth: 100 MHz – High dc gain: 110 dB – High LD drive current: typ. 100 mA, max. 180 mA – High slew rate: 5 ns rise/ fall time – Servo gain adjustable D Noise reduction by servo loop and weak highfrequency modulation and write operations D On-chip generation of write and off-pulse widths: 15 to 90 ns, 5 ns steps D Digital control of power and pulse parameters via a serial 3-wire interface D Basic power level adjustable D Supervision of power supply, laser current and laser power D Laser shutdown to prevent laser damage and data loss Package: 44-lead shrinked small-outline IC (SSO44) Thermal resistance: RthJC = 22°C/W Block Diagram 40 41 GND GADJ 38 39 44 43 19 18 4 23 16 11657 PDK LDK Servo amplifier IRef VMON error signal iref Buffer EXTM WDATA VDM WGATE EXTC PFAIL control Pulse-width LPFAIL unit VRef generators LDENB DCLK DCLK ISET HFE Operation WGATE OPEENB current limit HFV HF Mod. LD off read 1 30 CC 42 FSC erase write Power generators VCCA SDATA Serial interface SENB VCCL 37 SCLOCK 29 GND VCCD 9–14, 15 31–36 T2 T1 VCCS 8 3 27, 28 26 25 24 21 22 2 17 7 6 5 digital signals 20 analog signals Figure 1. TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96 1 (12) Preliminary Information U8600B General Description U8600B is a very high-speed, mixed-signal laser driver circuit for re-writable optical disk systems. It comprises servo amplifier, high-frequency modulator, power generators, pulse-width generators, serial interface, and operation control unit. The wideband and high-gain servo amplifier drives the laser diode up to 180 mA. It performs noise reduction of the laser by a feedback loop via an optical path and a monitor diode. The reference input current for the servo loop is digitally-controlled by power and pulse-width generators. For reduction of laser mode hopping noise during read mode, the high-frequency modulator adds a weak modulation current of 300 MHz and a maximum swing of 5 mA. Pin Description ISET 1 44 VMON VREF 2 43 EXTM T1 3 42 FSC OPENB 4 41 GADJ SENB 5 40 GND SDATA 6 39 IREF SCLOCK 7 38 PDK VCCS 8 37 VCCA GND 9 36 GND GND 10 35 GND GND 11 34 GND GND 12 33 GND GND 13 32 GND GND 14 31 GND GND 15 30 CC VCCD 16 29 VCCL DCLK 17 28 LDK LDENB 18 27 LDK WGATE 19 26 HFV WDATA 20 25 HFE T2 21 24 EXTC PFAIL 22 23 VDM 96 11658 Figure 2. Three power generators define read, erase, and write power levels with a 4-bit resolution each. In write mode, two pulse-width generators generate the widths of write pulse and off pulse in the range between 15 and 90 ns with 5-ns resolution. Read and write actions are controlled by write gate (WGATE), write data (WDATA), and off-pulse enable (OPENB) signals. The pulse-width and power parameters are programmed via the serial interface. Data packets of 16-bit length can be received with a maximum clock rate of 10 MHz. The information is stored within five 4-bit registers. The operation control unit supervises the power supply voltage, servo amplifier error signal, current limiter status, and manages the laser shutdown and slow start. ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Pin 1 2 3 4 5 6 7 8 9–14, 31–36, 40 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27, 28 29 30 37 38 39 40 41 42 43 44 Symbol ISET VREF T1 OPENB SENB SDATA SCLOCK VCCS GND Function Set input for basic power level Reference voltage output Temperature test diode 1 Off-pulse enable input Serial port enable input Serial data input Serial clock input Power supply Ground VCCD DCLK LDENB WGATE WDATA T2 PFAIL LPFAIL VDM EXTC HFE HFV LDK VCCL CC VCCA PDK IREF GND GADJ FSC EXTM VMON Power supply Reference clock input LD control enable input Write mode gate input Write data pulse input Temperature test diode 2 Power supply fail signal Light power fail signal Monitor voltage, delay adjustment External slow starter capacitor HFM enable input HFM power-control input LD cathode, servo-amplifier output Power supply Connection to int. low-pass filter Power supply PD cathode, servo-amplifier input Connection to servo-reference input Analog ground Gain adjust for error amplifier Frequency slope-control input External modulation-signal input Monitor current, servo reference 2 (12) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96 U8600B Absolute Maximum Ratings ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Recommended Operating Conditions ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ DC Characteristics ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ D D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameter Symbol VCC VCC Vin I(LDK) Pmax Tj Tstg Value –0.5 to +6.0 ± 0.1 –0.5 to VCC +0.5 200 1 125 –65 to +125 Unit V V V mA W °C °C Parameter Symbol VCC Tamb Value 4.75 to 5.25 0 to +75 Unit V °C Supply voltage Supply voltage differences Input voltage at any input LD drive current Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Supply voltage range Operating temperature range VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified Parameter Test Conditions /Pin Symbol Power supply Test circuit VH = 5 V, VE = 0 V, WGATE = low, HFE = low, fDCLK = 2 MHz, rdata = 9 Supply current, VCCA Pin 37 I(VCCA) Supply current, VCCL Pin 29 I(VCCL) Supply current, VCCD & VCCS Pins 15 and 8 I(VCCDS) Typical parameters fDCLK = 9.83 MHz, RSET = 11.2 k Supply current, VCCA Pin 37 I(VCCA) Supply current, VCCL Pin 29, LDENB = low I(VCCL)off Supply current, VCCL Pin 29, ILDK = 100 mA I(VCCL)on Supply current, VCCD Pin 15 I(VCCD) Supply current, VCCS Pin 8 I(VCCS) Supply current vs. iset Pin 37 I(VCCA) Supply current vs. iset Pin 8 I(VCCS) Supply current vs. I(LDK) Pin 29, I(LDK) > 50 mA I(VCCL) Supply current vs. VDM Pin 15 I(VCCD) Servo amplifier Bias voltage Pin 38, figure 15 V(PDK) Bias voltage Pin 39 V(IRef) Offset voltage Pins 38 and 39 V(PDK)– V(IRef) Temperature drift Pin 38, IRef = 50 µA V(PDK) Temperature drift Pin 38, IRef = 1000 µA V(PDK) Bias voltage Pin 30 V(CC) Limiting current Pins 27 and 28 I(LDK)lim Voltage compliance Pins 27 and 28 V(LDK) Input voltage range Pin 41 V(GADJ) Input voltage range Pin 42 V(FSC) TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96 Min. Typ. 22 10 20 Max. Unit 42 25 38 mA mA mA 37 11 24 26 12 4.4 11 0,04 4.3 2.5 2.5 –5 mA mA mA mA mA mA/mA mA/mA mA/mA mA/V 4.0 4.0 5 V V mV 300 mV/°C mV/°C V mA V V V 0.8 2 2.5 220 1.0 1.5 1.5 3.0 3.0 3 (12) Preliminary Information U8600B DC Characteristics (continued) VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁÁ ÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁ Á ÁÁÁ ÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameter IRef buffer Voltage compliance Bias voltage Input current RF modulator Bias voltage Output current Current ratio, control input Pulse width generators Output voltage Power generators Offset voltage External resistor External resistor Gain error, read level Non-linearity error, read level Offset error, read level Gain error, erase level Non-linearity, erase level Offset, erase level Gain error, write level Non-linearity, write level Ratio, erase/ read level Ratio, write/ read level Reference voltage Output voltage Temperature drift Power supply rejection ratio Source resistance Limiting current Operation control unit Lower supply threshold voltage Upper supply threshold voltage Supply voltage for power supply fail detection Threshold for current limit switch-off Slow starter Bias voltage, high status Saturation voltage, low status Charge current Test Conditions /Pin Pin 44 Pin 43, I(EXTM) = 1 mA Pin 43 Pin 26 Pin 27 Symbol Min. V(VMON) V(EXTM) I(EXTM) 3.5 Typ. Max. Unit 2 V V mA 0.8 V(HFV) I(LDK)hfm I(LDK)hfm / I(HFV) 1.6 5 V mA – 6 Pin 23 V(VDM) 1.9 3.9 V Pins 1 and 2 –3 3 mV Pin 1, offset < 3 mV Pin 1, offset < 50 mV Pin 44 Pin 44 Pin 44 Pin 44 Pin 44 Pin 44 Pins 27 and 28 Pins 27 and 28 Pin 44, preset levels Pin 44, preset levels V(ISET)– V(VRef) RSET RSETmin GEr NLEr OEr GEe NLe OEe GEw NLw ie/ir iw/ir Pin 2 Pin 2, Tamb = 0 to 75°C Pin 2, VCC = 4.5 to 5.5 V Pin 2 Pin 2 V(VRef) TD(VRef) PSRR r(VRef) I(VRef)lim 2.37 –200 –20 Pin 24 Pin 24, Iload = 4 mA Pin 24 11.2 7 –1.5 –0.3 1.5 0.3 0.1 1.5 0.3 0.1 1.5 0.5 4.3 –1.5 –0.3 –1.5 –0.5 3.7 7 V µV/°C mV/V 3 2.63 200 20 10 10 VCCthl VCCthh VCCfail 4.5 5.3 1.5 4.7 5.5 7 V V V I(LDK)swoff 200 280 mA V(EXTC)hi V(EXTC)lo I(EXTC) 4 (12) Preliminary Information 2.1 9 2.5 k k LSB LSB LSB LSB LSB LSB LSB LSB – – 3.0 2.9 17 mA V V µA TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96 U8600B DC Characteristics (continued) VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ Á ÁÁÁ Á ÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameter Test Conditions /Pin Symbol Min. Typ. Digital inputs HFE, WDATA, WGATE, OPENB, DCLK, SENB, SDATA, SCLOCK, LDENB L-input voltage VIL H-input voltage VIH 3.5 Threshold voltage Vth 2.5 L-input current IIL –70 H-input current IIH Open collector outputs PFAIL, LPFAIL L-output voltage IOL = 2 mA VOL L-output current IOL Output leakage current IOH Temperature test diodes T1, T2 Diode voltage Id = 100 µA Vd 750 Temperature dependancy DVd/Dd 1.5 Bias current Id Max. Unit 0.8 70 V V V µA µA 0.4 2 10 V mA µA 300 mV mV/°C µA AC Characteristics VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25 C, unless otherwise specified ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Dö ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameter Servo amplifier Open loop parameters DC gain Low frequency pole High frequency pole High frequency gain Phase margin Gain adjust range Low frequency gain adjust range Shift range of low frequency slope TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96 Test Conditions /Pin without LD, I(LDK)sa = 100 mA V(GADJ) = V(FSC) = 2.5V V(FSC) = 2.5 V V(GADJ) = 2.5 V V(GADJ) = 2.5 V f = 100 MHz V(GADJ) = 2.5 V C(PDK) = CREF = 10 pF f = 100 MHz V(GADJ) = 1.5 to 2.5 V, figure 10 V(FSC) = 1.5 to 2.5 V, figure 11 V(FSC) = 1.5 to 2.5 V, figure 7 Symbol gDC fpLF fpHF gHF Min. Typ. Max. Unit 110 60 10 42 dB kHz MHz dB 75 ° g 14 dB gLF 10 dB fpLF 3 – 5 (12) Preliminary Information U8600B AC Characteristics (continued) VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25 C, unless otherwise specified Parameter Test Conditions /Pin Symbol Noise Output voltage Pins 27, 28; (*), vn1 VCC = 4.5 V Output voltage Pins 27, 28; (*), vn2 VCC = 5.5 V Circuit parameters Impedance Pin 30 r(CC) ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ W ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Series inductance Input dynamic range Optical pulse parameters Rise time Fall time Settling time to 5% Overshoot HF modulator Modulation frequency Output current swing Switch-off attenuation Attenuation of spurious LDENB Slow starter delay Switch-off delay Delay time WGATE Hold time WGATE WGATE Adjust time, 1st adjustment Adjust time, following adjustments Writing time WDATA Leading time of WGATE Hold time of WGATE WDATA pulse width, high WDATA pulse width, low WDATA period WDATA period Delay time erase level Delay time write pulse Jitter Pin 30 10% compression for max., figure 14 V(GADJ) and V(FSC) adjusted for optimal pulse shape 10%, 90% 90%, 10% I(HFV) = 833 µA l(CC) iref Min. Max. Unit 15 mVpp 20 mVpp 312 /50 6 //pF 15 Tr Tf Tset Aos fmod I(LDK)pp aoff aspur Typ. 1000 5 5 20 15 250 nH µA ns ns ns % 350 5 30 30 MHz mA dB dB Figure 1, CEXT = 10 nF Tpon Tpof Tdwg Thlde 1.5 200 0 ms ns ns ns Tadj1 Tadj2 7 1 µs µs 100 Figure 2 Twrt Figure 3 (1), fDCLK = 9.83 MHz, wpwdata = opwdata = 15 (2), fDCLK = 9.83 MHz, wpwdata = opwdata = 15 (3), wpwdata = opwdata = 5 (3), wpwdata = 2, opwdata = 0 980 µs Tdw 340 ns Thwg 200 ns Twph Twpl Twd 15 15 100 ns ns ns Twd 63 ns Te Tw Tw 6 (12) Preliminary Information 30 30 0.5 ns ns ns TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96 U8600B AC Characteristics (continued) VCCA = VCCL = VCCD = VCCS = 5 V, Tamb = 25°C, unless otherwise specified ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ D ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁÁ ÁÁ ÁÁÁÁ D Dd ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁÁ ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ Parameter Pulse widths Write pulse width, wpwdata = 0 Write pulse width, wpwdata = 5 Write pulse width, wpwdata = F Write pulse width increment Off pulse width, opwdata = 0 Off pulse width, opwdata = 5 Off pulse width, opwdata = F Off pulse width increment Temperature drift Operation control unit Fail period Serial interface SCLOCK pulse cycle SCLOCK pulse width high SCLOCK pulse width low SENB set up time SENB hold time SDATA set up time SDATA hold time Data change delay time Test Conditions /Pin 50% of pulse amplitude OPENB = 0 OPENB = 0 OPENB = 0 OPENB = 0 wpwdata = 0 wpwdata = 0 wpwdata = 0 wpwdata = 0 pulse width: 40 ns Figure 4 Symbol Min. Twp0 Twp5 Twp15 Twp Top0 Top5 Top15 Top Tp/ 13 36 81 3.5 13 36 81 3.5 Tfail 2.6 TcySCK TwhSCK TwlSCK TsSEN ThSEN TsDSA ThDSA Tdcha 100 40 40 20 20 15 15 Typ. Max. Unit 17 44 99 6 17 44 99 6 ns ns ns ns ns ns ns ns ps/°C 3.5 µs 1.5 ns ns ns ns ns ns ns µs 14 Figure 5 Figure 6 (*) Test circuit with electrical feedback on page 10. Measurement with sampling head with 300 ps sampling time. Peak-to-peak value of 1200 measurements, each measurement represents the average of 64 samples. These noise values ensure a stable operation of the servo amplifier for Tamb = 0 to 75°C. (1) Tdwd depends on DCLK frequency and write pulse width: Tdwd = 2/fDCLK + Twp + 38 ns (2) Tdwg depends on write pulse width and off pulse width: Tdwg = Twp + Top (3) Twd depends on write pulse width and off pulse width: Twd TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96 = Twp + Top + 12 ns 7 (12) Preliminary Information U8600B Timing Diagrams LDENB WGATE Tpon Tdwg Thlde Tpof Read level I(LDK) 12506 Figure 3. LDENB LDENB Tadj1 Twrt Tadj2 1st delay line adjustment Pulse generation Following adjustments WGATE Delay line operation System operation Reading Writing Header reading 12507 Figure 4. WGATE WGATE Ted Twpl Twph Tdw Thwg WDATA Te Tw Write level Erase level I(LDK) Read level Write pulse Off pulse 12508 Figure 5. WDATA 8 (12) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96 U8600B Failure Tfaul Tfail PFAIL, LPFAIL Tpof I(LDK) 0 12509 Figure 6. Power supply fail and laser power fail SENB TwhSCK TwlSCK TsSEN ThSEN SCLK TsSDA SDATA ThSDA TsySCK Bit 0 Bit 1 Bit 2 LSB Bit 15 MSB 12510 Figure 7. Serial interface SENB ÉÉÉÉÉÉÉ ÇÇÇ ÉÉÉÉÉÉÉ ÇÇÇ Tdcha I(LDK) Change of power level or pulse width 12511 Figure 8. Data change TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96 9 (12) Preliminary Information U8600B Typical Operating Circuit RSET 11.2k Serial interface VCC 0.1m 0.1m VCC 10 MHz 2 x 4.7k VCC 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 ISET VRef T1 OPENB SENB SDATA SCLK VCCS GND GND GND GND GND GND VCCD DCLK LDENB WGATE WDATA T2 PFAIL LPFAIL VMON EXTM FSC GADJ GND IRef PDK VCCA GND GND GND GND GND GND CC VCCL LDK LDK HFV HFE EXTC VDM U8600B 0.1m 0.1m VRef 44 RMON VCC 43 47k 0 to 47k 42 41 VRef 47k 40 47 0 to 47k 39 CRef PD 38 10p* 37 VCC 36 0.1m 35 34 33 32 31 30 0.1m 29 VCC 28 LD VCC 27 0.1m RHEV 4k 26 VCC 25 24 23 CEXT 100p Digital signals * Value of CREF should be approximately corresponding to total capacitance of PD 12512 Figure 9. Test Circuit (Electrical Feedback) VCCR 0.1m 0.1m 47k Serial interface VCC 0.1m 0.1m VCC VCCR VCCR 47k 2 x 4.7k 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 ISET VRef T1 OPENB SENB SDATA VMON EXTM FSC GADJ GND IRef SCLK VCCS GND GND GND GND GND GND VCCD DCLK LDENB WGATE WDATA T2 PFAIL LPFAIL PDK VCCA U8600B RSET 22k RMON 2k 44 VCC 43 VE 4k 42 VFSC 41 VGADJ 100k 40 39 10k 38 VOFF 100k 37 VCC 36 0.1m 35 1.8k 34 10 33 VCUL 32 47 VLD 0.1m 31 0.1m 30 100k GND GND GND GND GND GND CC VCCL 29 To high VCC LDK 28 impedance 27 LDK 470n oscilloscope 26 RHEV 4k HFV VH 50 25 HFE 24 EXTC 23 CEXT 100p VDM Digital signals Decoupled dc test points Figure 10. 10 (12) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96 U8600B Package Information Package: SSO44 Dimensions in mm 17.9 ± 0.1 0.25 ± 0.05 2.35 ± 0.05 0.1 max. 0.3 7.4 ± 0.1 0.8 ± 0.05 10.35 ± 0.1 Pin 1 TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96 11 (12) Preliminary Information U8600B Ozone Depleting Substances Policy Statement It is the policy of TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH to 1. Meet all present and future national and international statutory requirements. 2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating systems with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on the environment. It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as ozone depleting substances ( ODSs). The Montreal Protocol ( 1987) and its London Amendments ( 1990) intend to severely restrict the use of ODSs and forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban on these substances. TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH semiconductor division has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the use of ODSs listed in the following documents. 1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively 2 . Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental Protection Agency ( EPA) in the USA 3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C ( transitional substances ) respectively. TEMIC can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting substances and do not contain such substances. We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice. Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer application by the customer. Should the buyer use TEMIC products for any unintended or unauthorized application, the buyer shall indemnify TEMIC against all claims, costs, damages, and expenses, arising out of, directly or indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or unauthorized use. TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany Telephone: 49 ( 0 ) 7131 67 2831, Fax number: 49 ( 0 ) 7131 67 2423 12 (12) Preliminary Information TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 30-Aug-96