用代码 MC33206CH/D订 购本文件
安瘢 美半孚纩
MC33206
MC33207
带使能特 性 的干线 至干线 运 算放 大 器
低压
干线 至干线
运算放大器
MC33206/7运 算 放大器系列在 输 入端和输 出端都提供 干线
至干线 工 作 。输 入可用高 出电源干线 200毫 伏 的信号驱动 而
保持输 出相位不反转 ,输 出则可在每个 干线的 50毫 伏 内摆
动 。这 一 干线至千线操 作使用户 能充分利 用有效 的电源 电压
(±
范围 。它被设计为工作在很 低 的电源 电压卞 0.9伏 ),同 时
。
+12伏
和地之 间的电源 下 输 出电流提升技 术
能工 作在 高达
提供输 出大 电流能力 ,而 同时保持放大 器的消耗 电流最小 。
MC33⒛ G/7具 有 一 个 可由外部控 制 的使 能模式 。在 待机模
式 ,典 型 电源 电流 (1.0微 安 (VEnable=地 )。 使能功能的增
(仪 表和
加使 这 一 放大器成 为功率敏 感应用 、 电池供 电设备
-保
监视 )、 便携 式通信 和采样 持应用 的理想选择 。
待机模式 (lD≤ 1.0微 安 ,典 型值 )
低 电压 、单 电源 工作 (1.8伏 对地到 12伏 对 地 )
干线到干线共模 电压范围
输 出电压摆幅在两个 干线 的 sO毫 伏 以内
对过驱动 的输 入信号在输 出端不会反相
高输 出电流 (Isc=80毫 安 ,典 型值 )
低 电源 电流 (lD=0.9毫 安 ,典 型值 )
600Ω 输 出驱动能力
典型增 益带宽积 〓2.2兆 赫
ⅢC33206
P后 缀
塑料封装
夕卜
茹己646
D后 缀
t
i。
蒂
vcc鼢
}输
N,C、
N,C.
入懈眈
输出
塑料封装
外壳 751A
(Soˉ 14)
峪
・
・
・
・
・
・
・
・
・
半导体
技术数据
1
入
输
1{
使能
1
vEε
(双 运 放 ,俯 视 图 )
mc332o7
P后 缀
塑料 封 装
夕卜多
宅648
1
粝
1
D后 缀
塑 料封 装
夕卜
劈己751B
(so-16)
输出 1
入
镒
入
输
1{
订购信息
运放功能
双运放
四运 放
器件
MC33206D
MC33206P
MC33207D
MC33207P
工作
温度范围
2{
封装
输出 2
soo14
TA=-00° C至
+105°
C
严
塑料 DlP.
so-16
塑料 DIP
包胄邕2, 3
您
(四 运放 ,俯 视 图 )
◎半导体元件 工业 有限公司 ,2000
第 1次 修订版
ⅢC33206Ⅲ C33207
最大额定值
额定值
电源电压lV∞ 至 VEE)
菇 ’
任意管脚 上 的 EsD保 护 电压
人体模型
器件任意管脚 上的电压
输入差动 电压范 围
共模输 入 电压范 围 (注 2)
符号
值
单位
Vs
VEsD
13
2,000
V
V
VDP
Vs± 0.5
VlDR
(注 1)
V
V
VcM
V∞ +0.5至
V
VFFˉ 0.5
s
(注 3)
输 出短 路持 续 时 间 (注 3)
Tstq
+150
-65至 +150
PD
(注 3)
TJ
最大纬温
保存 温度范围
最大功耗
0c
0c
mW
在输入管脚处使用限流串联电阻。
一
超过任一 电源干线电压
入端的电压不能
,任
。
输
二
因此
极管
间的
入端与电源干线
2.每 个放大器的共模输入电压范围受限于连在输
500mV以 上。
3.必 须对功耗 加以考虑 ,以 保 证不超过最大结温
4.如 需要可提供
(TJ)。
EsD数 据 。
~曰 n``、
`~ˉ
=n````冖 ~_‘ 〓soV
图
⒈0至
MC33206:TA〓 25° C
5.OV)
C
ΔVI。 /ΔT
雨~cM=1。 0至
∞钔
・
51
|
ο
C
Vcc+0.2
~
4
5
5
5
dB
90
80
岬dB
'一
.一
50
ο
9nd
``〃
一
n`″ p~nd石 iQ∩
60
4.95
o.05
4.85
o.15
52
29
CMR
・
PsRR
PsR
至5.0V
一∞
' -仄
kVⅣ
:.
7一
比’
丙A
V
Vcc
〓
一
一 〓
ο
4
5
V。 H
V。 L
V。 H
V。
l
n司
nA
V
8一
输出电压摆动lVlD〓 ±0・ 2V)
RL〓 10kΩ
RL〓 10kΩ
RL〓 600Ω
RI〓 600Ω
ο 5
52
=瓦
RL〓 10kΩ
RI〓 600Ω
Av° L
C
VFFˉ 0.2
ο ο
ο 5
32
丐总信洱颢黾石彐罾孟可口兀 币可VEE=ˉ 5.OV)
Λ
uv/°
ο
|II°
VFF
`'
10
13
_
VlcR
电源抑制
11
5
⒈o
2.o
5.OV)
拉
mV
8.o
ο ο
ο 5
22
0。
1.0至 5.OV)
TA〓 +25°
5
o。
〓50Ω )
。
七
大值
⒈o
∞⑻
TA=砰 0° 至 +10扩 C
艮型催
Vl。
C
40° 至 +1
TA〓 ˉ
TΔ =彐 }0° :至 +105° C
输入偏置电流lVcM〓 0至
TA=25° C
七
小猩
符号
o。
TA=ˉ 40° 至 +105°
MC33207:TA=25°
T^〓 25° C除 非 力口有 规 定
500
mA
`矿
安森美 半导体模拟集 成 电路器件数据
ⅢC33206Ⅲ C33207
古 谛 由轩 蚌 惟 伯Θ fVρ 冖=5。 OVVFF=OVV
特性
oⅥ TA=25° C, 除彐F另 有规定
最小值
符号
图
典型值
最大值
电源电流
每个放大器)
MC3320⒍ VEnaue〓 5。 OVdC
VEna凵 疒Gndl+lL待 )
o。
MC3320⒎ VEnaue=5.OVdC
VEnaue=Gnd(待 机)
VEnaue〓 12V
VEnaue=5・ OV
VEnaue〓 1・ 8V
VFnn萨 地
0A
o
DVpP,RL=000Ω ,THDζ 1%
L=600Ω ,V° =1。 OVPP,Av〓 1.0)
入噪声电压(Rs〓 100Ω
)
OkHz
f=10Hz
f=1。
V
2.5
2.2
于 1⑴ 叭 的初使断开电流。
f=10Hz
f=1。
6.o
lEnabIe
~_
道隔离度 (f=1.OHz至 20kHz,Av=100
OkHz
o.5
oB
〓-2.0至 +2.OV,
s〓 ±2.5VV。
〓2.OkΩ ,Av=1。 o
f=1。
6.o
2.25
VEE+1.8
VFF+0.3
5)(每 个 放 大 器 )
。c=5.OVVEE〓 OV VE
OkHz
安森关半 导体模拟集 成 电路器件数据
1.125
1.5
VEnaue
个放大器 )
“ ”
使能一放大器 通 ”
(待 机 )
一
^使 禁 止 放大器 【断
能输 入 电流 (注
8
o.5
单位
Α
m灬
Α m讼
(V。 =2.5VTA〓 -40° 至+105° C,
oVTA=2s° C,除 非另有 规定 。
ⅢC33206Ⅲ C33207
图 1.电 路原理 图
(每 个放大器 )
本器件 包含 96个 有效晶体管
图 3。 输入失调电压分布图
图 2.最 大功耗与温度关系曲线
,Eˇ
3500
\
濯烬巛蹬
3000
\
6管 脚DlP
\
2500
2000 `
4管 脚汪
.畜
1500
°
亠
Eˇ
1000
500
0
-60
姐
⌒
￡ˇ
翌 心 陋 黑巅 滩巛揆 舶丶
4000
`
`
sO-1纠 so¨ 1
-30
0
`
`
`
`
宙
30
亠
`
60
ˉ
(每 个放大器 )
-X
40
DP封 装
l | |
25
20
15
i■
10
5、
■
0
o
■
工10 亮 、
o -6,0 -4.0 -2.0
Vl。 ,输
(°
,
VEE〓 Gnd
TA:25° C
30
g0
TA环 境温度 C)
测试 360个 放大器
取 自 3个 晶 片批 次
vCC=5・ 0v
■
35
0
2.0
4.0
6、 0
80
入失调电压(mV)
`￠
安森美半导体模拟集成电路器件数据
ⅢC33206"C33207
图 5。 输入偏置电流与温度关系曲线
图 4,榆 入失调电压温度系数分布 图
50
■
40
vCC〓
200
,
5・
VEE=Gnd
30
ˉ
■
20
TA〓
c
as°
DlP封 装
{||
10
-40
-30
-20
-10
5・
Ov
160
/`
VcM oV 0.5V
1⒛
80
vc缶
百ov
0O
二
■
■
0
-50
vCC礻
vEE=Gnd
.飞
■
⌒ <cˇ 瞑 型 嗣 嫘 <铒
姐
⌒
荃ˇ
彐乐 陋涩蟋粜 巛 揆 舶丶
测试 360个 放大器
取 自 3个 晶 片批 次
ˉ
0v
0
10
20
30
0
-s5 冖
40
40
-95
0
25
70
85
图 6.输 入偏置电流与共模电压关系曲线
图 7。 开环电压增益与温度关系曲线
⌒
之
5ο
<樨
娟磬囤型妆肽
>岜
厂
100・
ˇ 型嗣犟
岔 c嫘
钔 ⑼ ∞ ο 翎 ・ˉ 剖
J捌
TCⅥ 。
,输 入失调电压温度系数ωV`° C)
T宀 环境温度(° C)
.〓
VEE=Gnd
20
丨
5‘
Ov
|
vEE:Gnd
F、
Ξ
巨
拶￠
:∴
4甲
0
△ 0 -25
8・ o
6ˇ 0
40
|
vCC〓
~
TA=25° C
25
70
2ο
VcM,输 入 共模 电压 lV)
T灬 环境温度(° Cl
图 8.输 出电压摆动与电源电压关系曲线
图 9.输 出饱和电压与负载电流关系曲线
●
TA=^s5°
⌒>ˇ 以留 艮窭 钥樨
・
0・
∝>ˇ 吲 型 彐樨
⌒⒍
TA=125I’
-
Vccˉ
TA=25° C'
|||
||||
vCCˉ
0
L|
vCC〓
5・
丨||⒈
0v
VEE忄
ω
>
.°
±4,0
±o
5・
j铲
安森美半导体模拟集成 电路器件数据
TA=-s5° C
5,0
10
lL,负
Vcc扛 E爿 电 源 电 压 lV)
vEE忄
TA=罗 C\
VEE=ˉ5,OV
.安
>
±3.0
vCC
C
C~
媵
±2,0
`
/
.d扌
vCC=12v
`
/
载电流(mAl
15
vEE
20
ⅢC33206Ⅲ C33207
图 17.增 益带宽积与
温度关系曲线
・
ο
图 16.转 换速率与
温度关系曲线
L转 换速 率
ο
'
m0
・
.〓
ω
.∝
5
ο・
一
VEE=ˉ2.5V
f=100kHz
⒑
'
一
+转 换速率
vCC=25v
⒑
5
Vo〓 ±2。 0ˇ
⑷
>ˇ腓 蜊 蟋 撰
宙工Σˇ
婺 胭 靼娟 娶
ˉ・
玺
⌒
Vcc=2.5V
2.5V
VEE〓 ˉ
⒒5
・5
0L
-40 -25
70
25
85
1θ 5
25
-s5 △ 0 -25
125
T灬 环境温度(° Cl
T灬 环境温度(° C)
姆
∞
⒛㈨
∞
∞
奶
⒛
|
45
`
v
弼褶
Bo
`
100
0
增益
咱
|
里
氵
￠
安森美半导体模 拟集成 电路器件数据
125
|}|||‖
l}l旦
10s
60
\
I丨
.Σ
一
55
85
75
相位佘量
.Σ
孑°ˇ
喇巛娟璎 <
.Σ
70
飞 ∞纽ˇ
酃巛知长% ο
⒛
⌒
铡ˇ
酬巛掣巽 ⑩
25
⒛
1、 0M
100k
图 21‘ 增益和相位余量与
差动源 电阻关系曲线
T灬 环境温度(° C)
∞
uⅥ
`
图 20‘ 增益和相位
余量与温度关系
RL=sO0ζ 】
CL〓 100pF
o
|{
|||
丨 丨 丨丨丨丨
1Aˉ 相位 , Vs〓 ±6。 OV
1B丬旧位 , Vs± 6。 OV
2Aˉ 增益 ,V畦 1.OV
2B・ 增 益 , Vs〓 ±1。 OV
f,频 率(Hzl
VEE=-s,0V
o
`
f,频 率(Hzl
vCC=6・ Ov
艹
」
》
Ⅵ
10M
1,0M
田
H讯
240
|
10Ok
沁
△
:飙 FpF
I|Ill
10
t
`
・ 翊⒑
I
~
;营 ;∶ :∶
`
.d扌
∶
虐
酬
冽
§
200辽
160到
I
ll
l
f
长
`侣
似
~
:∶
i20:≡
l l I|
丨l
L止
.d扌
・
i¨
I | ll11丨 I
1A扌 目位 ,CL:0pF
刚
RL・ =GO0ζ )
⒑
`
uⅢ
|
W
`叩
N
I l|l
;曳
钕二
m⒛
【
岔°ˇ
羽璎呗型旨东
ζ
冫
|
l
⒛
E狭
⊥
叫+
nο
翁 °ˇ
娟 鄂型 型 鸶 肽
Ξ
毖罗
涂
RL=6∞
型
图 19.电 压增益和相位
频率关系曲线
⒛
硐
挺
图 18.电 压增益和相位
频率关系 曲线
1,Ok
RT,差 动源电阻(Ω )
10k
ⅢC33206"C33207
//
'`
⒉
∞
u巽
\
\
⒊
0⑾
|
8’
|
⒋
⒑
X{
|
vCC=5・ 0vdc
厂
⒈
钡卜
`
0
E∶
G、
CL,电 容负载(pF)
RL,负 载电阻
图 24。 通道隔离与
频率关系曲线
图 25。 总谐时失真
与频率关系曲线
叩
ˉ
ο
’
ο
f胛
.ˉ
.∞
⒛
vCC=6・ 0v
vEE〓 ˉ
6・ 0v
pp
ο
|
vEE〓 ˉ5・ Ov
RL・ 6∞ Ω
￡
蒡:v
晋
Vo=2.v√
1.0
`Av=10
∞
o
⌒
凑ˇ臧巛邯靼 舶丶d〓 卜
∞
贫已剿褪璺剩唰
Av o1∝
L∞
智
10k
1∞
100
|
—
0ρ F
-CL〓
o0
门
`
`
|
Vcc=2.0VdC
.。
4・
⒛
\
o2・
〓
Σ
Q
匕田型 钼缛 >
帘⒍
Σ
孑υˇ
<
喇巛娟罂〓
⒓
ˉ
ο北
ο
硐
勺 h`
RL=600ζ Σ
\
⒌
vEE=^s^Ov
图 23。 输出电压与
负载电阻关系曲线
⒕
0V
Vcc=6‘
—
ˉ
∞
⌒
趔ˇ
酬巛
∞
㈠
瞬
一
⒛
↓
〈
一本
目
余
亻
⒗
⒛
冖叫
—囗
图 22.增 益佘量稠相位余量与
电容负载关系曲线
⒈Ok
100
1.Ok
f,频 率(Hzl
f,频 率(Hzl
螟
25C
T—
J撖
||||||
冂—叫
<擤
垡昱枨粑
挂型‖
4
型 恨咪
l
TA〓
>cˇ
c遢 `s田
Vcc〓 6Ⅱ O V
VEE=1ρ ,0V
‖
|
贫≡
图 26。 等效输入噪声电压和电流
与频率关系曲线
丨
丨
丨
丨
}
‘
⒈0k
|
眦
.J
噪声 电流
I
<擤
—卟—
懋舯
||丨
f,频 率(Hzl
:矿
安森美半导体模拟集成龟路器件数据
MC33206Ⅲ C33207
图 28.‰ 响应
通用信息
MC33206/7运 算放大器 的系列在输 入端和 输 出端均
⌒
申
t>0.Ν
ˇ ￡ >.⌒啪
具有带完全双极性设计 的干线至干线摆动 能力 ,这
是它们所独有 的 。这 就提供 了低 噪声 、 高输 出电流
容量和 即使在低 电源 电压下也可 以具有 宽共模输 入
电压范围 。在扩展 的温度范 围内和 2.OV、 3.3V、 5.OV
对地 电源 电压下 ,工 作均得到保 证 。
由于共模输入 电压范 围扩展为从 Vcc至 VEE,因 而
在单 电源 或分离 电源下 ,它 均 能够 工 作 。在整个共
模范围内,MC3320s/7保 证不锁定或相位 反转 ,然
而 ,输 入仍不应该超过最大额定值 。
,
°
ˇ
>
问(2。 0us/,lg・
%n,盯 ⒈
图 29。
t。
)
竹响应
⌒
靼
>oΝ
￠>.憩
ˇ
⌒
>0rˇ
°
>
t。
t。
t>0.口
电路信 息
通过在放大器的输入端使用并联 NPN-PNP差 动输
入级 ,实 现 了干线至干线性能 。 当输 入处于负干线
的 800mV范 围 内 ,PNP级 导 通 。 当输 入 超 过
VEEBOOmV以 上 时 ,NPN级 导通 。输 入对 的如此切
换将导致输 入偏置 电流反 向 (见 图 6)。 而且 ,在 NPN
和 PNP对 间 ,可 以发现输 入失调 电压有微小差别 。
除 了它 的干线至干线性 能 ,输 出级具有 电流提升能
力 ,可 以提供高达 80mA的 输 出电流 ,从 而使放大
器 可以驱动 600Ω 的负载 。由于如此高的输 出电流容
量 ,应 该注意不要 让 结温超过 彳50° C的 最大结温 。
使能功能
MC33206/7的 使能管脚允许用户从 外部控制器件 。
(使 能管 脚 连 接请 参 见 本 数 据 表 第 一 页 上 的管脚
图 )。 如果使能管脚下拉到 地 ,MC33206的 每个放
大器或 MC33207的 每个放大器对都将被禁用 。当使
能管脚处于逻辑高 电平时 (VEnaue≥ VEE〓 1.8V),放
大器接通 。请参见数据表特 性 以了解 改变逻辑状态
所需要 的电平 。
改变状态 的时间 (从 器件 导通 到断开和从断开到导
通 )定 义为时延 。图 27所 示 电路用于测量 n和 %矸 。
典型的 吨n和 f测 量结果显示在 图 28和 图 ⒛ 中。
当器件被关断 (VEnabl疒 地 ),内 部 的一 个稳压器被关
断 ,从 而禁用放大器 。
%私
盯⒈
间(2.0us//lg.)
低压 工 作
v
当电源 电压低至 1.8V对 地时 ,MC33206/07仍 能工
作 。由于器件在输 入和 输 出端都是干线至干线的 ,因
而在 电池应用中 ,当 电池 电压低到很低 的电平 时 ,仍
能保证连 续 工作 。这个称为放 电结束 (见 图 30)。 现
在 ,根 据所选 的电池类型 ,用 户可 以选择最适于具体
设计的 。最少 电池数量 。这样 ,在 很多设计中 ,所 用
的元件数量将为最少 。
图 30.典 型电池特性
图 27,t。 n和
t。
仟的测试 电路
vEnabˉ
咖
∏
‰
v
2・
ο ⒒
类型
工作电压
放电结束
碱性
镍镉
・
镍氢
氧化银
锂离子
1.5V
1.2V
1.2V
1.6V
3.6V
o.9V
1.OV
1.OV
1.3V
2.5V
e〓
输 出电容补偿
器件 的输 出阻抗和递增 的 电容负载将 导致任 一 放大
器中的相位延迟 (减 少相位余量 )(图 22)。 如果负
载过量 ,响 应将为 电路振荡 。换而言之 ,如 果在开环
增益跌至单位增益之前相位就超过 了 180度 的话
放大器将变得不稳定 。 图 18和 19显 示 了在给定负
载 下 ,频 率 增加 所 对 应 的情 况 。在 单位 增 益 下
MC33206/7可 以驱动 300pF电 容而不引起振荡 。
,
,
9严
安森美半导体模拟集成 电路器件数据
MC33206Ⅲ C33207
图 31。 容性负载补偿
Rf
有几种 方法可 以补偿这种现象 。在输 出端加 串联 电
阻是 一 种方法 ,但 不是理想方案 。它将导致输 出端
产生直流 电压误差 。补偿更高 电容 负载 的一 个较好
的 设计方案是采用 图 31所 示 的电路 。这个设计通过
得到 高频输 出信号再将它反馈 至放大器反相输入端
以补偿相位 的损 失 。此技术帮助克服 了由于高 电容
负载造成 的振荡 。必须记住 ,补 偿将减小增 益带 宽
积 (GPW)。 Cx和 RO的 值 由实验确定 。典型的 Cx
和 CL值 是相等的 。
sPlCE模 型
如果需要 MC33206`07的 sPlCE宏 模型 ,用 户可 以
从 以下信 息中定义特性 。得到 MC33204干 线至干线
运算放大器 (器 件与 MC33207相 同 )的 sPICE宏
模型 。对于 MC33207的 使能特征 ,将 它模拟为双极
性开关 。在反相和 同相输 入端间 ,宏 模型不包括 一个
输入 电容 。这个 电容称为 Cm。 如果要做稳定性分 析
则增加此 电容 ,取 值为 3.0至 5.OpF之 间 。
,
⌒璁
⌒璁
图 33。 小信号瞬态响应
>E0e哎
>E0Ν
型 彐樨 δ
>
ˇ以 型 彐樨 δ
>
t,斌、
司(5.0us/格
t,时 间(10us/格 )
)
图 s0.大 信号瞬态 响应
⌒
瀵
`>0.巳
田韶 钼擤
.°
>
t,时 问(10us|谯)
`￠
安森美半导体模拟集成电路器件数据
ⅢC33206Ⅲ C33207
外形尺寸
尺 寸
在最大材料条件 阝,引 线在安装面上应位于
其确切位置的 0,1slO.00sl半 径 内。
尺寸 L为 平行引线中心 间距离 。
尺寸 B不 包括模压毛边 。
可选圆角 。
英寸
A
B
C
D
最小值
0.770
o.260
0.185
18.16
最 大值
19.56
015
0.021
0.38
0.53
0.040
o.070
彐.02
0.100BsC
052
0.095
日.32
o.015
0.135
0,20
2.92
o.240
0.145
0。
G
H
0。
0.008
0.115
K
L
毫米
最大值
最小值
0.7日 5
2.s0BsC
0.300BsC
3.43
7.62BsC
Ⅲ
N
塑料 封装
外 壳 751A-03
注
(soˉ 14)
:
尺寸与公差按 ANsl Y14.5M,v1982。
控制尺寸 :毫 米 。
尺寸 A和 B不 包括模压突起 。
最大模压突起为 0.15Ol0.006)每 边 。
尺寸 D不 包括挡块突出。在最大材料
条件下 ,允 许挡块突出超过尺寸 D,
1.
版本 F
2.
3.
4.
5.
尺 寸
p7p.
0,25⒑ 01⑴ ⑩|B⑩
◇丨
0.039
0.015
总 共 为 0.127(0.005
英寸
宅米
圾小值
圾大值
圾小值
8.55
8.75
o337
A
B
丬 G卜
o.157
C
D
o.054
o。
35
o.25
◇10'25⒃
⑩HB⑤ |A⑤
o.25
κ
塑料封装
夕卜
苈己648冖 08
版本 R
"
5.80
R
o.25
o049
o050BsC
o.008
o.004
o009
o.228
o.50
o.010
o.019
尺寸
尺寸与公差按 ANsI Y14.5M,1982∶
控制尺寸:英 寸。
尺寸 L为 平行引线中心 间距离 。
尺寸 B不 包括模压毛边 。
可选圆角 。
A
B
C
D
G
H
κ
宅米
英寸
最小值
0.740
0.250
0.145
0,015
0,040
最 大值
0.770
0.270
0.175
0,021
s
最 小值
18.80
3.69
0.39
最大值
19.55
6.85
4.44
0.53
⒈77
0.100BsC
0.050BsC
0,008
0.110
0.295
0.015
0.130
0.305
0.020
0.040
‘
Ⅲ
安森美 半导体模拟集成 电路器件 数据
016
1.27BsC
G
o.068
o.019
o。
,01⑼
圾大值
o。 344
2,54BsC
1,27BsC
2,80
7.50
7,74
"C33206mC332o7
外形尺寸
D后 缀
塑料封装
夕卜
茹己751B-05
(soˉ 16)
版本 J
注
:
尺寸与公差按 ANsIY14.5M,1982。
控制尺寸 :毫 米 。
尺寸 A和 B不 包括模压突起 。
最大模压突起为 0.150(0。 ∞ Gl每 边 。
尺寸 D不 包括挡块突出 。在最大材料条件 F,
允 许 挡 块 突 出 超 过 尺 寸 D,总 共 为
1.
2.
3.
4.
5.
尺 寸
◇|0,zs β01oΘ |B⑥
毛米
且 小值
A
B
C
D
3,80
英寸
I大 值
Ⅱ小值
10.00
4.00
o.386
o.150
o.054
o.014
o.016
o.35
o。
C
40
1.27BsC
Ⅱ大值
o157
o,068
o.019
o.049
o,050BsC
o。
008
o.009
o.004
κ
m
580
6.20
o.50
R
o.229
o.244
o.010
o。
019
φ10250.0l钭 ⑩|T|B⑤ |A⑤
安森美半导体及 铽
翻 为半 导 体 元 件 工 业 有 限 公 司 (sCILLC)的 注 册 商 标 。 sC丨 LLC有 权 不 经 通 知 变 更 其 产 品 。 sCILLC对 淇 产
品 是 否 适 合 特 定 用 途 不 作 任 何 保 证 、声 明 或 承 诺 ;sCILLC亦 不 承 担 囚 应 用 或 使 用 任 何 产 品 或 电 路 而 引 起 的 任 何 责 任 ,并 特 此
声 明 其 不 承 担 任 何 责 任 ,包 括 但 不 限 于 对 附 带 损 失 或 间 接 损 失 的 赔 偿 责 任 。「典 型 」参 数 会 因 不 同 的 应 用 而 变 化 。所 有 操 作 参 数
,
包 括 「典 型 」参 数 ,须 经 客 户 的 技 术 专 家 按 其 每 一 应 用 目的 鉴 定 核 准 方 可 生 效 。 sCILLC并 未 在 其 专 利 权 或 他 人 权 利 项 下 转 授 任
何 许 可证 。 sC丨 LLC产 品 的 设 计 、 应 用 和 使 用 授 权 不 含 以 下 日的 :将 其 产 品 用 于 植 入 人 体 的 任 何 物 体 或 维 持 生 命 的 其 他 器 仵
,
或 可 因 其 产 品 的 缺 陷 而 引 致 人 身 伤 害 或 死 亡 的 其 他 任 何 应 用 。 买 方 保 证 ,如 其 为 此 等 未 经 授 权 的 目的 购 买 或 使 用 sClLLC的
产 品 ,直 接 或 间 接 导 致 任 何 人 身 伤 害 或 死 亡 的 索 偿 要 求 ,并 从 而 引起 sC|LLC及 其 管 理 人 员 、 雇 员 、 子 公 司 、 关 联 方 和 分 销
商 的 责 任 ,则 买 方 将 对 该 等 公 司 和 人 员 进 行 赔 偿 ,使 该 等 公 司 和 人 员 免 于 由此 产 生 的 任 何 索 偿 、 损 失 、 开 支 、 费 用 及 合 理 的
律 师 费 ,即 使 该 索 偿 要 求 指 称 sC丨 LLC的 设 计 或 制 造 其 产 品 中 有 过 失 。 sClLLC是 一 家 乎 等 机 会 /无 歧 视 行 为 的 雇 主 。
出版物订购信息
中埔 芙洲
西班牙 电话:303ˉ 308ˉ 7143(星 期 七至星期五,上 午 ⒏00-下 午 ⒌00,MsT时 问
电子邮件 :0NⅡ t-spadsh@"bbe"c° ∞m
北美资料受理处
安森美半导体资料分发中心
:
:
)
R0.BOx5163,Denve1Colorado80217美 国
电话:303ˉ 67⒌ 217引 域 800ˉ s00ˉ 3860美 国/t日 拿大免费电话
拿大免费电话
传其:303ˉ 675⒓ 176或 800ˉ s04ˉ 3867美 国砌口
电子邮件:0Nl"@"bbe吐 ∞ ∞m
传其回复热线:30⒊67⒌ 2167或
。
亚渊 平洋地区:安 森美半导体资料分发中心 -亚 洲服务部
:303ˉ 675-2121(星 期二至星期五,上 午 ⒐00-下 午 ⒈00,香 港时间
电话`太
加坡免费电话
o01ˉ BO0ˉ 0022‘ 781:香 港
`新m
电子邮件:0NⅡ ada@"bbe吐 ∞ ∞
)
800ˉ 弼4-3810美
国砌口
拿大免费电话
tˉ
拿大免费电话
北荧技术支持:800ˉ 28⒉ gB55美 国砌口
日本:安 森美半导体
欧渊 g安 森美半导体资料分发中心 -欧 洲服务部
饪国 电话:(+1lsO⒊ 308ˉ 7140(星 期一至星期五,下 午 ⒉30ˉ 下午 ⒎00,CET时 间
电子邮件 :0N怔 german@hibbe"∞ .com
法国 电话:(+冂 lsO⒊ 308-7141(星 期一至星期五,下 午 ⒉00ˉ 下午 ⒎00,CET时 间
电子邮件 :0Nlitˉ frenCh@"bbe仗 ∞ ∞m
英田 电话:(+1laO⒊ 30⒏ 714⒉ 星期一至星期五,中 午 1⒉ 00ˉ 下午 ⒌00,GMT时 间
电子邮件:0Nm@Ⅲ bbertco∞ m
)
)
4ˉ
日本客户服务中心
32ˉ 1Nishi:Gotanda,shinagawa¨ ku,TOkyo,
电话:81ˉ sˉ 5740ˉ 2745
电子ms件 :r14525@onsem,∞
日9权
141ˉ
0031
m
安弈爽半导体冂址:hup∶ 〃onse雨 ,∞ m,cn
)
欧洲免贫电话Ⅱ00ogO0ˉ 0022ˉ s781
★可在德国、法国、意大利和英国使用。
若需要其他信息,请 与您当地的销售代表联系 。
:'
安糜关半孚萨
ⅢC83206CH'D