SB5311-H / SB5311-H(B) Semiconductor High Brightness LED Lamp Features • Colorless transparency lens type • φ5mm( T-1¾) all plastic mold type • High luminosity Outline Dimensions unit : STRAIGHT TYPE mm STOPPER TYPE 5.0±0.2 5.0±0.2 8.6±0.2 8.6±0.2 0.8±0.2 0.8±0.2 0.5 0.5 23.0 MIN 23.0 MIN 1.0MIN 1.0MIN 2.54NOM 1 2 2.54NOM 5.8±0.2 1 2 5.8±0.2 PIN Connections 1.Anode 2.Cathode KLB-0009-001 1 SB5311-H / SB5311-H(B) Absolute maximum ratings Characteristic Symbol Ratings Unit Power Dissipation PD 85 mW Forward Current IF 20 mA IFP 50 mA Reverse Voltage VR 4 V Operating Temperature Topr -25∼85 ℃ Storage Temperature Tstg -30∼100 ℃ 1 * Peak Forward Current 2 260℃ for 5 seconds * Soldering Temperature Tsol *1.Duty ratio = 1/16, Pulse width = 0.1ms *2.Keep the distance more than 2.0mm from PCB to the bottom of LED package ※ Recommend document -. LED is very sensitive to ESD. Electrical Characteristics Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit Forward Voltage VF IF= 20mA - 3.7 4.2 V Luminous Intensity IV IF= 20mA 200 400 - mcd λP Δλ IR IF= 20mA - 468 - nm IF= 20mA - 26 - nm VR=4V - - 40 uA θ½ IF= 20mA - ±11 - deg Peak Wavelength Spectrum Bandwidth Reverse Current 3 * Half angle *3. θ1/2 is the off-axis angle where the luminous intensity is 1/2 the peak intensity KLB-0009-001 2 SB5311-H / SB5311-H(B) Characteristic Diagrams Fig. 2 IV - IF Forward Current IF [mA] Luminous Intensity Iv [mcd] Fig. 1 IF - VF Forward Forward Voltage VF [V] Current IF [mA] Fig.4 Spectrum Distribution Forward Relative Intensity [%] Current IF [mA] Fig. 3 IF – Ta Wavelength λ [nm] Ambient Temperature Ta [℃] Fig. 5 Radiation Diagram Relative Luminous Intensity Iv [%] KLB-0009-001 3 ■ 정전기 관련에 따른 제품 사용상 주의 사항 1. ESD(Electro Static Discharge) 주의 : 되어 있어 Chip 재질은 Al2o3 (Sapphire: 절연체) 재질로 정전기에 취약한 재질이며 Chip이 정전기에 의해 Damage가 가해지면 제 특성을 발휘하지 못하며 또한 VF값이 현저히 Down 되면서 무 점등 현상 발생 2. ESD 발생 원리 및 대치 방법 2-1. ESD (Electro Static Discharge) 발생 원리 : 물질 구조의 분자설에 의하면 모든 물체는(+)로 대전 된 원자핵과 그 주위를 도는 (-)로 대전 된 전자로 구성되어 중성의 상태를 위지하게 되지만 외부의 조건( 마찰, 압력, 온도, 습도 등)에 의하여 중성 상태의 물질이(-)전하를 잃어 버리게 되면 (+)전하로 대전 되고 (+)양자를 잃게 되면 (-)로 대전하게 됨. ※ 대전의 원인 : 접촉, 박리, 마찰, 충돌, 변형, 이온흡착 등 ※ 대전의 크기 결정 요인 : 접촉 면적, 압력, 마찰 빈도, 속도, 온도차등 ※ 대전의 극성 결정 요인 : 물질의 종류, 표면 상태. 이력 등 2-2. 대전 방지 및 제거 방법 ① 가습 -. 가습에 의한 공기의 상대 습도를 높이면 물체 표면의 흡수량을 증가 시켜 표면 저항율을 저하시킴으로 물체는 대전성이 떨어진다. 상대 습도는 80%가 적당하다. ※ 습도에 따른 대전전위의 변화 대전물 상대습도 (10%~20%) 상대습도(65%~90%) Table 작업을 행하는 경우 6[KV] 0.1[KV] 비닐 포장 자재 7[KV] 0.6[KV] 폴리백을 작업대에서 손으로 드는 경우 20[KV] 1.2[KV] ② 대전 방지제 사용 -. 대전 방지제는 절연물의 표면에 도포하거나 혼입하여 표면에 흡수성을 증가 시킴으로 표면 저항을 저하시켜 대전을 방지하는 방법으로 제품에의 영향을 고려 ③ 대전 방지용품 착용 -. 인체를 접지 시켜 주거나 대전을 방지 시켜 주는 제품 : Wrist Strap (손목 띠), Heel Grounder, 대전 방지복, 제전화, 제전 장갑, 제전모 등 -. Conveyer 또는 통로의 바닥이나 Table 등에 설치하여 대전을 안전하게 접지 시키는 제품 : Conductive Floor Mat ※ 현 제품 취급 시 주의 사항을 인지하시고 ESD에 주의하여 작업을 하시면 정전기로 인한 불량 발생율을 감소 시킬 수 있습니다. KLB-0009-001 4