BR 100/03 LLD ... BR 100/04 LLD Surface mount bidirectional Silicon-Trigger-Diodes (DIAC) Bidirektionale Silizium-Trigger-Dioden für die Oberflächenmontage (DIAC) Breakover voltage Durchbruchsspannung 28 ... 45 V Plastic case MiniMELF Kunststoffgehäuse MiniMELF SOD-80 DO-213AA Weight approx. – Gewicht ca. 0.04 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße in mm Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle see page 18 siehe Seite 18 Maximum ratings Grenzwerte Power dissipation – Verlustleistung TA = 50 /C Ptot Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom t # 20 :s IFRM Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS Characteristics 150 mW 1) 2 A 1) – 50…+100/C – 50…+150/C Kennwerte dV/dt = 10V/:s BR 100/03 LLD BR 100/031 LLD BR 100/04 LLD VBO VBO VBO Breakdown current – Durchbruchstrom V = 98 % VBO IBO Asymmetry of breakdown voltage Unsymmetrie der Durchbruchspannug *V(BO)F - V(BO)R* )VBO < 3.8 V Foldback voltage – Spannungs-Rücksprung )I = IBO to/auf IF = 10 mA dV/dt = 10V/:s )VF/R >5V Breakdown voltage Durchbruchspannung Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA 28 ... 36 V 30 ... 34 V 35 ... 45 V < 50 :A < 300 K/W 1) 1 ) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 392 28.02.2002 BR 100/03 LLD ... BR 100/04 LLD Typical characteristic of a DIAC – Typische DIAC-Kennlinie Test circuit for a thyristor trigger – Meßschaltung für Thyristor-Zündschaltung 28.02.2002 393