BY 251 … BY 255, BY 1600 … BY 2000 Silicon Rectifiers Silizium Gleichrichter Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung ±0.1 200…2000 V ±0.1 Plastic case Kunststoffgehäuse 7.5 Type 62.5 ±0.5 Ø 4.5 3A ~ DO-201 Weight approx. – Gewicht ca. Ø 1.2 1g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ±0.05 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions / Maße in mm Maximum ratings Type Typ see page 16 siehe Seite 16 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] BY 251 BY 252 BY 253 BY 254 BY 255 BY 1600 BY 1800 BY 2000 higher voltages see page 191: BY 4...BY 16 200 400 600 800 1300 1600 1800 2000 4000...16000 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 200 400 600 800 1300 1600 1800 2000 höhere Spannungen siehe Seite 191: 4000...16000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50/C IFAV 3 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 1) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25/C IFSM 100 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25/C i2t 50 A2s 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 64 28.02.2002 BY 251…BY 255, BY 1600…BY 2000 Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS Characteristics – 50…+150/C – 50…+175/C Kennwerte Forward voltage – Durchlaßspannung Tj = 25/C IF = 3 A VF < 1.1 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25/C VR = VRRM IR < 20 :A Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 25 K/W 1) 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 28.02.2002 65