DA 811 A/K … DA 8110 A/K (1.2 W) Gleichrichter Sätze Rectifier Arrays Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 2.6 4.5 4.5 23±0.2 Ø 0.5 8 x 2.54 1.2 W Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 9 Pin-Plastic case 9 Pin-Kunststoffgehäuse 100...1000 V 23 x 2.6 x 4.5 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 0.6 g Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton "DA 811 A...8110 A": com. anodes / gem. Anoden "DA 811 K...8110 K" : com. cathodes / gem. Kathoden Maximum ratings Type Typ see page 22 s. Seite 22 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] DA 811 A/K 100 120 DA 814 A/K 400 480 DA 8110 A/K 1000 1200 Max. average forward rectified current, R-load, for one diode operation only per diode for simultaneous operation TA = 25/C Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, für eine einzelne Diode pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb TU = 25/C Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25/C IFAV IFAV 600 mA 1) 150 mA 1) IFAV IFAV 600 mA 1) 150 mA 1) IFSM 30 A 1 ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 368 28.02.2002 DA 811 A/K … DA 8110 A/K (1.2 W) TA = 25/C Max. power dissipation – Verlustleistung Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Ptot 1.2 W 1) Tj TS – 50…+150/C – 50…+150/C Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlaßspannung Tj = 25/C IF = 1 A VF < 1.1 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25/C Tj =100/C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 10 :A < 90 :A Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 85 K/W 1) 1 ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.02.2002 369