フォトトランジスタ PHOTOTRANSISTORS ST-1MLBR2 ST-1MLBR2は、メタルステムにエポキシ樹脂製可視光カットフィル ■外形寸法 DIMENSIONS（Unit : mm） ターレンズを装着した、赤外光のみに感度を持つ高感度シリコンフ φ4.2±0.2 ォトトランジスタです。 2±0.2 MAX 2 Epoxy Resin The ST-1MLBR2 are high-sensitivity NPN silicon phototransistors mounted on TO-18 type metal stems with epoxy encapsulation and with visible light cut-off filters, so that the 0.2 φ0.45 20.0±1 phototransistors are sensitive only to infrared rays. ベース端子あり：ST-１MLBR2／Three leads (Collector, Emitter, Base)：ST-1MLBR2 ■特長 FEATURES 2.54±0.2 ●TO-18可視光カッ ト樹脂ポッティングタイプ φ5.4±0.2 ② ●ベース端子付き ① ●広指向角 ●TO-18 visible ray cut off resin potting type 45゜ the base tarminal 1 ●With ③ angular response 1 ●Wide Base ② ① Emitter ■用途 APPLICATIONS ●光電スイッチ ③ Collector ●産業機器 ●ＯＡ機器 ■最大定格 MAXIMUM RATINGS ●Optical switches ●Industrial Item machines コ レ ク タ ・ C-E voltage エミッタ間電圧 エ ミ ッ タ ・ E-C voltage コレクタ間電圧 ●ＯＡ （Ta＝25℃） Symbol Rating Unit VCEO 40 V VECO 4 V IC 30 mA コレクタ電流 Collector current power コレクタ損失 Collector dissipation PC 100 mW 動 作 温 度 Operating temp. Topr. −25∼＋90 ℃ 保 存 温 度 Storage temp. Tstg. −30∼＋100 ℃ 半 田 付 温 度 Soldering temp.*1 Tsol. 260 ℃ ＊1. リード根元より2mm離れた所で5秒 For MAX. 5 seconds at the position of 2 mm from the resin edge ■電気的光学的特性 ELECTRO-OPTICAL Item 暗 電 光 流 Collecor dark current 電 流 Light current コ レ ク タ ・ エミッタ間飽和電圧 CHARACTERISTICS Conditions ICEO VCEO=10V IL VCE=10V,EV=200Lx*2 8 μsec. 10 μsec. 720∼1050 nm VCE(sat) IC=2mA,EV=2000Lx*2 応 答 時 間 立上り時間 Rise time Switching speeds 立下り時間 Fall time tr VCC=10V IC=5mA RL=100Ω 分 λ 光 感 C-E saturation voltage 度 Spectral sensitivity tf Min. （Ta＝25℃） Symbol 0.5 Typ. Max. Unit. 1 200 nA 1.2 5.0 mA 0.2 0.4 V ピ ー ク 感 度 波 長 Peak wavelength λp 940 nm 半 Δθ ±70 deg. 値 角 Half angle ＊2. 色温度＝2856K標準タングステン電球 Color temp. = 2856K standard Tungsten lamp 本資料に記載しております内容は、技術の改良、進歩等によって予告なしに変更されることがあります。ご使用に際には、仕様書をご用命のうえ、 内容確認をお願い致します。 フォトトランジスタ Phototransistors ST-1MLBR2 ■コレクタ電流/ コレクタ・エミッタ間電圧特性 I C /V CE 5 （mA） ■コレクタ電流/照度特性 I C /E V ■暗電流/周囲温度特性 I CEO /Ta （nA） 103 （mA） VCE=10V Ta=25℃ Ta=25℃ VCE=10V 101 4 EV=500lx EV=400lx EV=300lx 2 Dark current 3 暗電流 ICEO コレクタ電流 IC Collector current Collector current コレクタ電流 IC 102 100 101 10−1 EV=200lx 100 1 EV=100lx 0 0 2 4 6 8 10（V） 10−2 0 10 101 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE 102 103 （lx） 10−1 0 20 Collector - Emitter voltage ■分光感度特性 ■応答時間/負荷抵抗特性 tr,tf/R L ※1 ■指向特性 VCC=5V IC=1mA Ta=25℃ Ta=25℃ 103 100 （℃） 0 0 Ta=25℃ −2 0 − ＋ 60 40 40 50 0 応答時間 tr,tf Swithing time 100 −6 tf tr 101 td 20 0 400 100 500 600 700 800 900 1000 （nm） 100 2 10 103 104 105 負荷抵抗 RL Load resistance 波長 λ Wavelength ■許容コレクタ損失/周囲温度 P C /Ta （mW） ※1 応答時間測定条件 VCC 100 IFP VOUT IC RL INPUT 50 90% OUTPUT 10% tr 0 0 50 20 40 60 周囲温度 Ta Ambient temperature 80 100 （℃） tf （Ω） 相対感度（%） Relative sensitivity −100 40 ＋100 60 ＋80 102 −80 相対感度 S Relative sensitivity 80 角度（deg.） Angle ＋2 ＋ 80 60 周囲温度 Ta Ambient temperature （μsec.） （%） 許容コレクタ損失 PC Collector power dissipation 40 照度 Ev Illuminance 50 100