TRIAC（NON-ISOLATED TYPE） TMG12C60 TMG12C60 are non-isolated triac suitable for wide range of applications like copier, microwave oven, solid state switch, motor control, light and heater control. 12A ● High surge capability 130A ● Non-isolated type D F ● IT （RMS） H J L T1 ＊ B G M A DIM G K 1 I 2 E C 3 １． T１ 2． T２ ３． Gate A B C D E F G H I J K L M Millimeters Min 5.58 8.38 4.40 1.15 0.35 9.66 ― ― 0.75 1.14 ― 12.70 14.48 Typ 6.40 8.60 4.50 1.27 0.45 10.10 16.25 3.83 0.85 1.27 2.54 13.50 15.00 Unit：A T2 ■Maximum Ratings （Tj=25℃ unless otherwise specified） Symbol Item VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage Symbol Item Ratings 600 Tc＝100℃ ITSM Surge On-State Current One cycle, 50Hz/60Hz, peak, non-repetitive I2t 1ms∼10ms PGM V Conditions R.M.S. On-State Current PG（AV） Unit TMG12C60 IT（RMS） I2t Max 7.49 8.90 4.70 1.39 0.60 10.28 ― ― 0.95 1.40 ― 14.27 15.87 Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Ratings Unit 12 A 119/130 71 A2S A 5 W 0.5 W IGM Peak Gate Current 2 A VGM Peak Gate Voltage 10 V Operating Junction Temperature −40 to ＋125 ℃ Storage Temperature −40 to ＋125 ℃ 2 g Tj Tstg Mass ■Electrical Characteristics Symbol Item IDRM Reptitive Peak Off-State Current VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ VTM ＋ I GT1 Peak On-State Voltage IT＝20A, Inst. measurement 1 − I GT1 2 ＋ Conditions Ratings Min. Typ. Max. 2 mA 1.4 V 30 Gate Trigger Current 30 VD＝6V，RL＝10Ω I GT3 3 − I GT3 4 ― 30 ＋ V GT1 1 1.5 − V GT1 2 ＋ V GT3 3 − V GT3 4 VGD 〔dv/dt〕c IH Unit Gate Trigger Voltage mA 1.5 VD＝6V，RL＝10Ω V ― 1.5 Non-Trigger Gate Voltage Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM 0.2 V Critical Rate of Rise off-State Voltage at commutation Tj＝125℃， 〔di/dt〕 c＝−6A/ms，VD＝2／3VDRM 10 V/μs Holding Current Rth（j-c） Thermal Impedance SanRex 20 Junction to case mA 1.8 ℃/W ® 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: [email protected] TMG12C60 Gate Characteristics ５ Av er ag eG ate ２ Gate Distribution １０0 Pe Po we （ r０ ． ５W ak te Po we （ r５ W ） ５ ２ ２ １０２ ５ ２ １０３ ５ ５ ２ １００ Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１２５℃ ５ ２ ２ ０． ５ ５ １． ０ １． ５ On State Current vs. Maximum Power Dissipation On State Current vs. Allowable Case Temperature １２ １３０ θ＝１８０゜ θ＝１５０゜ θ＝９０゜ : Conduction Angle θ＝６０゜ θ＝３０゜ ６ θ＝６０゜ θ＝９０゜ ２ ２ ４ ６ ８ １０ １２ 。 360 : Conduction Angle ０ ０ １４ ２ ４ Surge On-State Current（A） Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） Tj＝25℃ start １５０ １００ ６０HZ ５０HZ ０ １００ ２ ５ １０１ ２ ６ ８ １０ １２ １４ RMS On-State Current（A） １０２ ５ Transient Thermal Impedance θj-c（℃/W） RMS On-State Current（A） ５０ θ＝１２０゜ θ＝１５０゜ θ＝１８０゜ 2 １００ ４ ０ ０ ３． ５ θ＝３０゜ １１０ ８ １０１ Transient Thermal Impedance ５ Gate trigger current vs. Junction temperature １Sec∼１００Sec ２ １００ １０mSec∼１Sec ５ Junction to case ２ １０−１ Time（cycles） １０−２ ２ １００ ２ ５ １０−１ ２ ５ １００ ５ １０１ ２ ５ １０２ Time t（sec） Gate trigger voltage vs.Junction temperature １０３ ５ ２ １０２ ＋ I （1 ） GT１ ＋ I−GT１ （1−） ５ VGT（t℃） ×100（％） VGT（２５℃） IGT（t℃） ×100（％） IGT（２５℃） ３． ０ １２０ θ＝１２０゜ 。 360 １０ １０３ ２． ５ Gate Current（mA） 2 ２００ ２． ０ Gate Current（mA） １４ Power Dissipation（W） ２ １０１ Allowable Case Temperature（℃） １６ ） ５ Maximum Gate Non-Trigger Voltage １０１ On-State Voltage １０２ Ga On-State Current（A） Peak Forward Gate Voltage（10V） １０１ Gate Voltage（V） ２ Peak Gate Current（２A） ２ ５ ２ V−GT３ （3−） １０２ V＋GT１ （1＋） V−GT１ （1−） ５ I−GT３ （3−） ２ ２ １０１ −５０ ０ ５０ １００ Junction Temp. Tj（℃） １５０ １０１ −５０ ０ ５０ １００ １５０ Junction Temp. Tj（℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: [email protected]