TRIAC( ISOLATED TYPE ) TMG8C60F UL;E76102 （M） TMG8C40/60F are isolated mold triac suitable for wide range of applications like copier, microwave oven, solid state switch, motor control, light and heater control. １５． ０±０． ３ １４． ０±０． ５ T1 G ３． ６±０． ３ ８． ５±０． ３ Solder Dip 8A ● High surge capability 88A ● Full molded isolated type ４． ５±０． ２ ３． ０±０． 3 １０． ０±０． ３ ● IT （RMS） ２． ８±０． ２ ２． ６±０． ２ ０． ７５±０． １５ ０． ７５±０． １５ １． T１ 2． T２ ３． Gate １ ２ ３ ２． ５４±０． ２５ ５． ０８±０． ５ Unit：A T2 ■Maximum Ratings （Tj=25℃ unless otherwise specified） Symbol Item VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage Symbol Item Ratings TMG8C40F TMG8C60F 400 600 Conditions IT（RMS） R.M.S. On-State Current Tc＝89℃ ITSM Surge On-State Current One cycle, 50Hz/60Hz, peak, non-repetitive It 2 PGM PG（AV） Unit V Ratings It 2 Unit 8 A 80/88 32 A Peak Gate Power Dissipation A2S 5 Average Gate Power Dissipation W 0.5 W IGM Peak Gate Current 2 A VGM Peak Gate Voltage 10 V VISO Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） Tj Tstg 1500 V Operating Junction Temperature A.C.1 minute −40 to ＋125 ℃ Storage Temperature −40 to ＋125 ℃ Mass 2 g ■Electrical Characteristics Item IDRM Reptitive Peak Off-State Current VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ VTM ＋ I GT1 Peak On-State Voltage IT＝12A, 1 − I GT1 2 ＋ I GT3 3 − I GT3 4 ― 30 ＋ V GT1 1 1.5 − V GT1 2 ＋ V GT3 3 − V GT3 4 VGD 〔dv/dt〕c IH Min. Typ. Max. Inst. measurement Unit 2 mA 1.4 V 30 Gate Trigger Current Gate Trigger Voltage 30 VD＝6V，RL＝10Ω 1.5 VD＝6V，RL＝10Ω ― 1.5 mA V Non-Trigger Gate Voltage Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM 0.2 V Critical Rate of Rise off-State Voltage at commutation Tj＝125℃， 〔di/dt〕 c＝−4A/ms，VD＝2／3VDRM 10 V/μs Holding Current Rth（j-c） Thermal Impedance 3 Conditions Ratings Symbol 15 Junction to case mA 3.7 ℃/W TMG8C60F Gate Characteristics ５ Av er ag eG ate ２ Gate Distribution 100 Pe Po we （ r０ ．5 W ak te Po we （ r ） ５ ２ 5W ） ２ １０１ ５ ２ Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１２５℃ １００ ５ Maximum gate Voltage that will not trigger any unit １０１ ２ １０２ ５ ２ ５ １０３ ２ ５ ０． ５ １． ０ On State Current vs. Allowable Case Temperature １３０ θ＝１８０゜ θ＝１５０゜ θ＝１２０゜ θ＝９０゜ 。 360 ６ θ＝６０゜ : Conduction Angle ５ １１０ θ＝３０゜ ３ ２ １ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ θ＝６０゜ １０ θ＝９０゜ 2 ９０ : Conduction Angle ０ ０ １ ３ １０ VGT（t℃） ×100（％） VGT（２５℃） Surge On-State Current（A） Tj＝25℃ start ６０ ６０HZ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ Gate trigger voltage vs. Junction temperature ５ ２ V＋GT１ （1＋） V−GT１ （1−） − V GT３ （3−） ５０HZ ５ ２ ２ ５ １０１ ２ ５ １０１ −５０ １０２ ５ ２ I＋GT１ （1＋） I−GT１ （1−） I−GT３ （3−） ５ ２ ０ ５０ １００ Junction Temp. Tj（℃） １５０ Transient Thermal Impedance θj-c（℃/W） Gate trigger current vs. Junction temperature １０２ ０ ５０ １００ １５０ Junction Temp. Tj（℃） Time（cycles） １０１ −５０ ３ １０２ ２０ ０ １００ ２ RMS On-State Current（A） Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） ４０ θ＝１２０゜ θ＝１５０゜ θ＝１８０゜ 。 360 RMS On-State Current（A） ８０ ３． ５ θ＝３０゜ １００ ４ ０ ０ IGT（t℃） ×100（％） IGT（２５℃） ３． ０ １２０ 2 ７ １０ ２． ５ On State Current vs. Maximum Power Dissipation ８ ３ ２． ０ On-State Voltage（V） ９ １００ １． ５ Gate Current（mA） Allowable Case Temperature（℃） １０ Power Dissipation（W） On-State Voltage ５ Ga On-State Current（A） Peak Forward Gate Voltage（10V） １０１ Gate Voltage（V） １０２ Peak Gate Current（２A） ２ １０１ Transient Thermal Impedance ５ ２ １００ ５ Junction to case ２ １０−１ １０−２ ２ ５ １０−１ ２ ５ １００ ２ Time t（sec） ５ １０１ ２ ５ １０２ 4