DAN208 / DAP208 (1.2 W) DAN208 / DAP208 (1.2 W) Silicon-Twin Rectifiers – Center Tap Silizium-Doppeldiode – Mittelpunktschaltung Version 2008-04-15 ±0.2 ±0.2 3.5 8.5 6.6 ±0.2 Type Typ 150 V 8.5 x 3.5 x 6.6 [mm] 0.7 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Dimensions - Maße [mm] 2 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Weight approx. – Gewicht ca. 2 x 2.54 1 1.2 W 3-pin Plastic case 3-Pin Kunststoffgehäuse Ø 0.8 3.5 Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 3 1 “DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden 2 3 “DAP” common anodes / gemeinsame Anoden Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) DAN208 100 150 DAP208 100 150 Max. average forward rectified current, R-load for one diode operation only for simultaneous operation TA = 25°C Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last für eine einzelne Diode bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden TA = 25°C Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 IFAV IFAV 1 A 2) 2 A 2) IFAV IFAV 1 A 2) 2 A 2) IFSM 10/11 A Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Per diode – Pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DAN208 / DAP208 (1.2 W) Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.2 V 1) Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = 100 V IR < 10 µA RthC < 45 K/W 2) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse 120 10 [%] [A] 100 Tj = 125°C 1 80 Tj = 25°C 60 10-1 40 10-2 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-3 0.4 1 Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 2 2 10a-(1a-1.2v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Per diode – Pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG