DIOTEC FX20K120

FX20K120
FX20K120
Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage Protection
Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz
Version 2010-06-23
±0.1
20 A
Stand off voltage
Sperrspannung
120 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
7.5±0.1
62.5±0.5
Ø8
Nominal current
Nennstrom
Ø 8 x 7.5 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
2.0 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
±0.05
Ø 1.6
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Low forward losses, high reverse pulse power capability
Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit
Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C)
Type
Typ
FX20K120
Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C)
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at/bei VWM
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
VWM [V]
ID [µA]
VBR min [V]
@ IT [mA]
IF = 5A
IF = 20A
120
5
130
5
< 0.82
< 0.94
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
20 A 2)
Total steady state power dissipation
Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb
TA = 50°C
Ptot
12 W
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
80 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
375/390 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
680 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Tj
Tj
-50...+175°C
+200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
1
2
Tj = 25°C
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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FX20K120
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VWM
VR = VWM
ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge
ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung
C = 100pF
R = 1.5kΩ
IR
IR
< 5 µA
< 200 µA
20 kV
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
10/1000µs pulse 1) TA = 25°C
PPPM
1500 W
Max. reverse peak pulse current
Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung
8/20µs pulse 2)
IPPM
230 A
Reverse recovery time
Sperrverzug
TA = 25°C
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
< 300 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 8 K/W 3)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 1.5 K/W
120
10
3
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
2
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10-1
0
TC
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses
1
2
3
2
400a-(5a-0,8v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs
See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
FX20K120
tr = 10 µs
tr = 8 µs
100
100
[%]
[%]
80
80
60
60
IPPM/2
PPPM/2
40
IPP
20
20
0
PPP
tP
0
t
PPPM/2
40
IPP
PPP
IPPM/2
1
2
3
[ms] 4
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
© Diotec Semiconductor AG
0
tP
0
t
20
40
60
[µs]
8/20µs - pulse waveform
8/20µs - Impulsform
http://www.diotec.com/
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