DIOTEC MPSA42-BK

MPSA42-BK
MPSA42-BK
High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren
NPN
NPN
Version 2011-07-07
Power dissipation
Verlustleistung
±0.1
E BC
min 12.5
4.6±0.1
4.6
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Special packaging bulk
Sonder-Lieferform Schüttgut
2 x 1.27
Dimensions / Maße [mm]
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA42
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
300 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
300 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
6V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
500 mA
Base current – Basisstrom
IB
100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
-55...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
ICB0
–
–
100 nA
IEB0
–
–
100 nA
VCEsat
–
–
500 mV
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, VCB = 200 V
MPSA42
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IB = 0, VEB = 6 V
MPSA42
2
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung )
IC = 20 mA, IB = 2 mA
1
2
MPSA42
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MPSA42-BK
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
VBEsat
–
–
0.9 V
hFE
hFE
hFE
25
40
40
–
–
–
–
–
–
fT
50 MHz
–
–
CCB0
–
–
3 pF
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1)
IC = 20 mA, IB = 2 mA
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 10 V, IC = 1 mA
VCE = 10 V, IC = 10 mA
VCE = 10 V, IC = 30 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 20 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz
MPSA42
Thermal resistance junction – ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
< 200 K/W 2)
RthA
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
MPSA92
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG