DIOTEC RA32Z39

RA32Z39
RA32Z39
Silicon Protectifiers® with TVS characteristic – Button Diodes
Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Knopf-Zellen
Version 2009-01-21
Nominal current
Nennstrom
32 A
Nominal breakdown voltage
Nominale Abbruchspannung
39 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Button
Weight approx.
Gewicht ca.
1.9 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
RA32Z39
Grenzwerte
Breakdown voltage
Abbruchspannung
IT = 100 mA 1)
Reverse voltage
Sperrspannung
IR = 1 µA 1)
VBRmin [V]
VBRmax [V]
VR [V]
35
42
> 30
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 150°C
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
IFAV
32 A
IFSM
270/300 A
i2t
375 A2s
Tj
TS
-50...+215°C
-50...+215°C
Tj = 25°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
RA32Z39
Characteristics
Kennwerte
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 100 A
VF
< 1.2 V 1)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 150°C
VR = 30 V
IR
< 500 µA
Clamping voltage
Begrenzerspannung
Tj = 25°C
VC
< 56.4 V 2)
RthC
< 0.8 K/W
Ipp = 80 A
Thermal resistance junction to case (terminal)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Anschluss)
3
120
10
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
102
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
270a-(25a-1,1v)
-1
10
0
TC 50
100
150
200
[°C]
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
3
10
[A]
102
îF
10
1
1
2
2
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
Tested with pulses tp = 100 ms – Gemessen mit Impulsen tp = 100 ms
10/1000µs pulse – 10/1000 µs Impuls
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG