DIOTEC ZMY7.5G

ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W),
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
Surface Mount Silicon-Zener Diodes
Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2011-10-17
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
ZMY... non-planar
2.5
2.5
ZMY...G planar
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
3.0...9.1 V
Glass case – Glasgehäuse MELF
DO-213AB
Dimensions
0.5
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
10...200 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF
DO-213AB
Weight approx. – Gewicht ca.
0.5
Type
Typ
5.0
0.4
0.4
Type
Typ
5.0
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200
0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
- Maße [mm]
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
Power dissipation – Verlustleistung
TA = 25°C
Ptot
1.0 W 1)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TJ
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 150 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
< 70 K/W
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200
Power dissipation – Verlustleistung
TA = 50°C
Ptot
1.3 W 1)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
TA = 25°C
PZSM
40 W
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TJ
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
< 10 K/W
23
1
2
3
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Bei allen Kenn- und Grenzwerten ist der Index “F” statt “Z” zu setzen
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
2
Zener voltage )
Zener-Spannung 2)
IZ = IZtest
Test current
Meßstrom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffic.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 1)
Z-Strom 1)
TA = 50°C
Vzmin [V]
Vzmax [V]
IZtest [mA]
rzj [Ω]
αVZ [10-4 /°C]
VR [V]
IZmax [mA]
ZMY1 )
0.71
0.82
100
0.5 (<1)
–26…–16
–
1000
ZMY3.0G
2.8
3.2
100
5 (<8)
–8…+1
–
313
ZMY3.3G
3.1
3.5
100
5 (<8)
–8…+1
> 0.7 / 150 µA
286
ZMY3.6G
3.4
3.8
100
5 (<8)
–8…+1
> 0.7 / 100 µA
263
ZMY3.9G
3.7
4.1
100
4 (<7)
–7…+2
> 0.7 / 100 µA
244
ZMY4.3G
4.0
4.6
100
4 (<7)
–7…+3
> 0.7 / 50 µA
217
ZMY4.7G
4.4
5.0
100
4 (<7)
–7…+4
> 0.7 / 10 µA
200
ZMY5.1G
4.8
5.4
100
2 (<5)
–6…+5
> 0.7 / 10 µA
185
ZMY5.6G
5.2
6.0
100
1 (<2)
–3…+5
> 0.5 / 3 µA
167
ZMY6.2G
5.8
6.6
100
1 (<2)
–1…+6
> 1.5 / 500 nA
152
ZMY6.8G
6.4
7.2
100
1 (<2)
0…+7
> 2 / 500 nA
139
ZMY7.5G
7.0
7.9
100
1 (<2)
0…+7
> 3 / 500 nA
127
ZMY8.2G
7.7
8.7
100
1 (<2)
+3…+8
> 6 / 500 nA
115
ZMY9.1G
8.5
9.6
50
2 (<4)
+3…+8
> 7 / 500 nA
104
ZMY10
9.4
10.6
50
2 (<4)
+5…+9
>5
123
ZMY11
10.4
11.6
50
4 (<7)
+5…+10
>5
112
ZMY12
11.4
12.7
50
4 (<7)
+5…+10
>7
102
ZMY13
12.4
14.1
50
5 (<10)
+5…+10
>7
92
ZMY15
13.8
15.6
50
5 (<10)
+5…+10
> 10
83
ZMY16
15.3
17.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
76
ZMY18
16.8
19.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
68
ZMY20
18.8
21.2
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
61
ZMY22
20.8
23.3
25
6 (<15)
+6…+11
> 12
56
ZMY24
22.8
25.6
25
7 (<15)
+6…+11
> 12
51
ZMY27
25.1
28.9
25
7 (<15)
+6…+11
> 14
45
ZMY30
28
32
25
8 (<15)
+6…+11
> 14
41
ZMY33
31
35
25
8 (<15)
+6…+11
> 17
37
ZMY36
34
38
10
16 (<40)
+6…+11
> 17
34
ZMY39
37
41
10
20 (<40)
+6…+11
> 20
32
ZMY43
40
46
10
24 (<45)
+7…+12
> 20
28
ZMY47
44
50
10
24 (<45)
+7…+12
> 24
26
ZMY51
48
54
10
25 (<60)
+7…+12
> 24
24
ZMY56
52
60
10
25 (<60)
+7…+12
> 28
22
ZMY62
58
66
10
25 (<80)
+8…+13
> 28
20
ZMY68
64
72
10
25 (<80)
+8…+13
> 34
18
ZMY75
70
79
10
30 (<100)
+8…+13
> 34
16
ZMY82
77
88
10
30 (<100)
+8…+13
> 41
15
ZMY91
85
96
5
40 (<200)
+9…+13
> 41
14
ZMY100
94
106
5
60 (<200)
+9…+13
> 50
12
ZMY110
104
116
5
80 (<250)
+9…+13
> 50
11
ZMY120
114
127
5
80 (<250)
+9…+13
> 60
10
ZMY130
124
141
5
90 (<300)
+9…+13
> 60
9
ZMY150
138
156
5
100 (<300)
+9…+13
> 75
8
ZMY160
153
171
5
110 (<350)
+9…+13
> 75
8
ZMY180
168
191
5
120 (<350)
+9…+13
> 90
7
ZMY200
188
212
5
150 (<350)
+9…+13
> 90
6
3
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
120
[%]
150
ZMY10...200
100
5,1
[mA]
8,2
6,8
6,2
4,7
IZ = 100 mA
100
80
5,6
9,1
7,5
4,3
60
3,9
ZMY3.0G...9.1G
3,6
50
40
IZ = 50 mA
IZ
20
0
Ptot
0
3,3
3,0
0
TA
100
50
150
0
VZ
4
5
7
2
3
6
8
[V]
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
10
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
102
[A]
Tj = 125°C
10
10
18
24
30
36
43
51
56
62
68
75
82
91
100
Tj = 25°C
1
IZmax
10-1
Tj = 25°C
IZT
IF
10-2
0.4
30a-(1a-1.1v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Tj = 25°C
f = 1.0 MHz
VR = 0V
[pF]
ZMY3.0G...9.1G
ZMY10...200
Cj
VZ
[V]
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3