EUPEC BSM400GA120DN2

BSM 400 GA 120 DN2
IGBT Power Module
• Single switch
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
Type
VCE
BSM 400 GA 120 DN2
BSM 400 GA 120 DN2 S
IC
Package
Ordering Code
1200V 550A
SINGLE SWITCH
C67070-A2302-A70
1200V 550A
SSW SENSE 1
C67070-A2308-A70
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Collector-emitter voltage
VCE
Collector-gate voltage
VCGR
RGE = 20 kΩ
Values
Unit
1200
V
1200
Gate-emitter voltage
VGE
DC collector current
IC
± 20
A
TC = 25 °C
550
TC = 80 °C
400
Pulsed collector current, tp = 1 ms
ICpuls
TC = 25 °C
1100
TC = 125 °C
800
Power dissipation per IGBT
W
Ptot
TC = 25 °C
2700
Chip temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
-40 ... + 125
Thermal resistance, chip case
RthJC
≤ 0.045
Diode thermal resistance, chip case
RthJCD
≤ 0.09
Insulation test voltage, t = 1min.
Vis
2500
Vac
Creepage distance
-
20
mm
Clearance
-
11
DIN humidity category, DIN 40 040
-
F
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
-
1
+ 150
°C
K/W
sec
40 / 125 / 56
Oct-30-1997
BSM 400 GA 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
Unit
max.
Static Characteristics
Gate threshold voltage
V
VGE(th)
VGE = VCE, IC = 16 mA
4.5
5.5
6.5
VGE = 15 V, IC = 400 A, Tj = 25 °C
-
2.5
3
VGE = 15 V, IC = 400 A, Tj = 125 °C
-
3.1
3.7
Collector-emitter saturation voltage
Zero gate voltage collector current
VCE(sat)
mA
ICES
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
-
6
8
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
-
24
-
Gate-emitter leakage current
nA
IGES
VGE = 20 V, VCE = 0 V
-
-
400
AC Characteristics
Transconductance
VCE = 20 V, IC = 400 A
Input capacitance
216
nF
-
26
-
-
4
-
-
2
-
Coss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Reverse transfer capacitance
-
Ciss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Output capacitance
S
gfs
Crss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
2
Oct-30-1997
BSM 400 GA 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
Unit
max.
Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 °C
Turn-on delay time
td(on)
ns
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 400 A
RGon = 2.7 Ω
Rise time
-
100
200
-
110
220
-
550
800
-
80
120
tr
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 400 A
RGon = 2.7 Ω
Turn-off delay time
td(off)
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 400 A
RGoff = 2.7 Ω
Fall time
tf
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 400 A
RGoff = 2.7 Ω
Free-Wheel Diode
Diode forward voltage
V
VF
IF = 400 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
-
2.3
2.8
IF = 400 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
-
1.8
-
Reverse recovery time
µs
trr
IF = 400 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -3000 A/µs, Tj = 125 °C
Reverse recovery charge
-
0.6
µC
Qrr
IF = 400 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -3000 A/µs
Tj = 25 °C
-
16
-
Tj = 125 °C
-
45
-
3
Oct-30-1997
BSM 400 GA 120 DN2
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
parameter: Tj ≤ 150 °C
Safe operating area
IC = ƒ(VCE)
parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C
10 4
2800
W
A
2400
Ptot
IC
2200
t = 26.0µs
p
10 3
2000
1800
100 µs
1600
10 2
1400
1200
1 ms
1000
800
10 1
10 ms
600
400
DC
200
0
0
10 0
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
0
10
1
10
2
10
3
TC
Collector current
IC = ƒ(TC)
parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
IGBT
10 0
600
K/W
A
500
IC
V
VCE
ZthJC
450
10 -1
400
10 -2
350
300
D = 0.50
250
10
-3
0.20
0.10
200
0.05
150
10 -4
100
0.02
single pulse
0.01
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
TC
10 -5
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
tp
4
Oct-30-1997
BSM 400 GA 120 DN2
Typ. output characteristics
Typ. output characteristics
IC = f (VCE)
IC = f (VCE)
parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C
parameter: tp = 80 µs, Tj = 125 °C
800
A
IC
600
800
A
17V
15V
13V
11V
9V
7V
IC
600
500
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
17V
15V
13V
11V
9V
7V
0
0
1
2
3
V
5
0
VCE
1
2
3
V
5
VCE
Typ. transfer characteristics
IC = f (VGE)
parameter: tp = 80 µs, VCE = 20 V
800
A
IC
600
500
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
10
V
14
VGE
5
Oct-30-1997
BSM 400 GA 120 DN2
Typ. capacitances
Typ. gate charge
VGE = ƒ(QGate)
parameter: IC puls = 400 A
C = f (VCE)
parameter: VGE = 0 V, f = 1 MHz
10 2
20
V
nF
VGE
16
Ciss
C
600 V
14
800 V
10 1
12
Coss
10
Crss
8
10 0
6
4
2
0
0
400
800
1200
1600
2000
nC
10 -1
0
2800
5
10
15
20
25
30
V
VCE
QGate
40
Reverse biased safe operating area
Short circuit safe operating area
ICpuls = f(VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = ± 15 V, tp ≤ 1 ms, L < 20 nH
ICsc = f(VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = ± 15 V, tSC ≤ 10 µs, L < 20 nH
2.5
12
ICpulsIC
ICsc/IC
di/dt = 1000A/µs
3000A/µs
5000A/µs
8
di/dt = 1000A/µs
3000A/µs
5000A/µs
1.5
6
1.0
4
° allowed number of
short circuit: <1000
° time between short
2 circuit: >1s
0.5
0.0
0
200
400
600
800
1000 1200
V
1600
VCE
6
0
0
200
400
600
800 1000 1200
V 1600
VCE
Oct-30-1997
BSM 400 GA 120 DN2
Typ. switching time
Typ. switching time
I = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C
t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 2.7 Ω
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, IC = 400 A
10 4
10 4
ns
ns
t
tdoff
t
10 3
10 3
tdoff
tdon
tr
tr
tdon
10 2
10 1
0
100 200 300 400 500 600 700
A
tf
10 2
tf
10 1
0
900
5
10
15
20
IC
Ω
30
RG
Typ. switching losses
Typ. switching losses
E = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C
E = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 2.7 Ω
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, IC = 400 A
250
250
Eon
E
mWs
E
150
mWs
150
Eon
Eoff
100
100
50
50
0
0
100 200 300 400 500 600 700
A
900
IC
7
0
0
Eoff
5
10
15
20
Ω
30
RG
Oct-30-1997
BSM 400 GA 120 DN2
Forward characteristics of fast recovery
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
reverse diode IF = f(VF)
parameter: Tj
Diode
10 0
800
K/W
A
IF
ZthJC
600
500
10 -1
10 -2
Tj=125°C
Tj=25°C
400
D = 0.50
10 -3
0.20
300
0.10
0.05
200
10
0.02
-4
single pulse
0.01
100
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
3.0
10 -5
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
tp
VF
8
Oct-30-1997
BSM 400 GA 120 DN2
Circuit Diagram
Package Outlines
Dimensions in mm
Weight: 420 g
9
Oct-30-1997
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM400GA120DN2
Anhang C-Serie
Appendix C-series
Gehäuse spezifische Werte
Housing specific values
Modulinduktivität
stray inductance module
typ.
LsCE
20
nH
Gehäusemaße C-Serie
Package outline C-series
Appendix C-series
Appendix_C-Serie_BSM400GA120DN2.xls
2001-09-20
Nutzungsbedingungen
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