EUPEC BSM75GAL120DN2

BSM 75 GAL 120 DN2
IGBT Power Module
• Single switch with chopper diode at collector
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
Type
VCE
BSM 75 GAL 120 DN2
1200V 105A
IC
Package
Ordering Code
HALF BRIDGE GAL 1 C67076-A2011-A70
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Collector-emitter voltage
VCE
Collector-gate voltage
VCGR
RGE = 20 kΩ
Values
Unit
1200
V
1200
Gate-emitter voltage
VGE
DC collector current
IC
± 20
A
TC = 25 °C
105
TC = 80 °C
75
Pulsed collector current, tp = 1 ms
ICpuls
TC = 25 °C
210
TC = 80 °C
150
Power dissipation per IGBT
W
Ptot
TC = 25 °C
625
Chip temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Thermal resistance, chip case
RthJC
≤ 0.2
Diode thermal resistance, chip case
RthJCD
≤ 0.5
Diode thermal resistance, chip-case,chopper
RTHJCDC
≤ 0.36
Insulation test voltage, t = 1min.
Vis
2500
Vac
Creepage distance
-
20
mm
Clearance
-
11
DIN humidity category, DIN 40 040
-
F
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
-
1
+ 150
°C
-40 ... + 125
K/W
sec
40 / 125 / 56
Nov-24-1997
BSM 75 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
Unit
max.
Static Characteristics
Gate threshold voltage
V
VGE(th)
VGE = VCE, IC = 2 mA
4.5
5.5
6.5
VGE = 15 V, IC = 75 A, Tj = 25 °C
-
2.5
3
VGE = 15 V, IC = 75 A, Tj = 125 °C
-
3.1
3.7
Collector-emitter saturation voltage
Zero gate voltage collector current
VCE(sat)
mA
ICES
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
-
1
1.4
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
-
4
-
Gate-emitter leakage current
nA
IGES
VGE = 20 V, VCE = 0 V
-
-
400
AC Characteristics
Transconductance
VCE = 20 V, IC = 75 A
Input capacitance
31
nF
-
5.5
-
-
0.8
-
-
0.3
-
Coss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Reverse transfer capacitance
-
Ciss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Output capacitance
S
gfs
Crss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
2
Nov-24-1997
BSM 75 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
Unit
max.
Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 °C
Turn-on delay time
ns
td(on)
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 75 A
RGon = 15 Ω
Rise time
-
30
60
-
70
140
-
450
600
-
70
100
tr
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 75 A
RGon = 15 Ω
Turn-off delay time
td(off)
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 75 A
RGoff = 15 Ω
Fall time
tf
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 75 A
RGoff = 15 Ω
Free-Wheel Diode
Diode forward voltage
V
VF
IF = 75 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
-
2
2.5
IF = 75 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
-
1.8
-
Reverse recovery time
µs
trr
IF = 75 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -900 A/µs, Tj = 125 °C
Reverse recovery charge
-
0.125
µC
Qrr
IF = 75 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -900 A/µs
Tj = 25 °C
-
3.2
-
Tj = 125 °C
-
12
-
3
Nov-24-1997
BSM 75 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
Unit
max.
Chopper Diode
Chopper diode forward voltage
V
VFC
IFC = 100 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
-
2
2.5
IFC = 100 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
-
1.8
-
Reverse recovery time, chopper
µs
trrC
IFC = 100 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -1000 A/µs, Tj = 125 °C
Reverse recovery charge, chopper
-
0.125
µC
QrrC
IFC = 100 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -1000 A/µs
Tj = 25 °C
-
4
-
Tj = 125 °C
-
14
-
4
Nov-24-1997
IGBT-Module
IGBT-Modules
%60*$/'1%60*$5'1
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
PIN 6 and 7
GAL type
only
PIN 4 and 5
GAR type
only
GAL type
GAR type
Update of Drawing Sep-21-98
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
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Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in
Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.
Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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