EUPEC D1121SH

Datenblatt / Data sheet
SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties
Höchstzul ässige Werte / M aximum rated val ues
Periodische Rüc kwärts-Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetiti ve peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffekti vwert
maxi mum RMS on-state current
Zieldaten
Possible Data
D1121SH
Tvj = 0°C... Tvj max
Elektrische Eigenschaften
VRRM
4500 V
IFRMSM
2200 A
Dauergrenzstrom
average on-state c urrent
TC = 85°C, f=50Hz
TC = 60°C, f=50Hz
IFAVM
1100 A
1400 A
Stoßstrom-Grenz wert
surge current
Tvj = 25 °C, t P = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
IFSM
A
17500 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, t P = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
I²t
Max. Aussc haltverluste
max. turn-off loss es
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, VCL = 2800V,
clamp circuit LS ≤ 0,25µH,
RCL = 68Ω, DCL = 34DSH 65,
-di/dt = 1000A/µs,
Wmax
failure rate λ < 100
VR(D)
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 2500A
vF
typ.
max.
5,19 V
5,6 V
Schleus ens pannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ.
max.
2,00 V
2,13 V
Ersatzwi derstand
slope resistanc e
Tvj = Tvj max
rT
typ.
max.
1,28 mΩ
1,4 mΩ
Tvj = Tvj max
typ.
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
Durchlaßkennlinie
on-state c haracteristic
1000A ≤ iF ≤ 2500A
10³ A²s
1530 10³ A²s
5 MW
estimate
value
Spitzenwert der Durchlass verzögerungsspannung
peak value of for ward recovery voltage
Tvj = Tvjmax , diF/dt = 5000A/µs
IFM = 4000A
VFRM
0,599
0,000318
-0,0203
0,0791
0,706
0,000351
-0,0438
0,08756
typ.
280 V
Sperrstrom
reverse c urrent
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
max.
150 mA
Qr
max.
3500 µAs
IRM
max.
1200 A
Eoff
max.
v F = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( iT + 1) + D ⋅
Sperrverz ögerungsladung
recover ed c harge
Rüc kstromspitz e
peak reverse r ecover y c urrent
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
Abklingsanftheit
reverse recover y softness fac tor
max.
iT
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, VCL = 2800V,
clamp circuit LS ≤ 0,25µH,
RCL = 68Ω, CCL = 3µF,
DCL = 34DSH65, -di/dt = 1000A/µs
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, VR = 2800 V,
dirr /dt(i=0) = 1000A/µs, ∆t = 200ns
FRRS
A
B
C
D
A
B
C
D
2800 V
typ.
8 Ws
2,5
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Datenblatt / Data sheet
SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
Zieldaten
Possible Data
D1121SH
Thermische Eigenschaften / Th ermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junc tion to c ase
he / cooling surfac e
R
ThermischeKühlfläc
beids
Eigenschaften
eitig / two-sided, θ = 180°sin
beids eitig / two-sided, DC
/ anode, DC
MechanischeAnode
Eigenschaften
Kathode / c athode, DC
Übergangs-Wärmewi derstand
thermal resistance, cas e to heatsi nk
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided
einseitig / single-sided
thJC
RthCH
Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur
maxi mum junction temperature
Tvj max
Betriebs temperatur
operating temperature
Tc op
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
max. 0,00855 °C/W
max. 0,0075 °C/W
max. 0,0133 °C/W
max. 0,0172 °C/W
max.
max.
0,0025 °C/W
0,0050 °C/W
140 °C
0...+140 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigen schaften / Mech anical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, s ee annex
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Si-Element mit Druc kkontakt
Si-pellet with press ure contac t
76DSX45
Anpress kraft
clampi ng force
F
Gewic ht
weight
G
36...52
typ.
kN
1350 g
Kriechstrec ke
creepage distance
33 mm
Lufts trec ke
air distanc e
17 mm
Feuchteklass e
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration r esistanc e
f = 50 Hz
50 m/s²
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SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
Zieldaten
Possible Data
D1121SH
Maßbild
1: Anode/Anode
1
2
2: Kathode/Cathode
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Datenblatt / Data sheet
SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
R,t – Werte
R
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
anodenseitg
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Zieldaten
Possible Data
D1121SH
Analytische Elemente des transienten Wärmew iderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [°C/W]
0,00295
0,002
0,00154
0,00098
0,00003
τn [s]
0,78
0,131
0,0217
0,00514
0,00104
Rthn [°C/W]
0,00804
0,00081
0,00239
0,0016
0,00046
τn [s]
5,11
0,359
0,0962
0,012
0,00332
Rthn [°C/W]
0,0121
0,0004
0,00244
0,00155
0,00071
τn [s]
4,97
0,489
0,121
0,0153
0,00427
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
6
n max
Σ
n=1
7
-t
R thn 1 − e
τn
0, 02
k
0, 01 5
0, 01
d
Z (th) JC / [ K/W ]
a
0, 00 5
0
0 ,0 01
0 ,0 1
0 ,1
1
10
10 0
t / [s e c.]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Drive Diod e
Zieldaten
Possible Data
D1121SH
3000
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
2500
2000
iF [V]
typ.
m a x.
1500
1000
500
0
0
1
2
3
4
5
6
7
vF [V ]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF )
Tvj = Tvj max
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