GSME GM8550

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM8550
特點
Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大
Suitable for Driver Stage lf Small Motor 小馬達驅動
Complementary to GM8050 与 GM8050 互补
■FEATURES
(Ta=25℃)
■最大額定值(T
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
VCBO
Collect-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
VCEO
-18(GMA6801)
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
VEBO
-5.0
Vdc
Collector Current
集電極電流
Ic
-500(S8550A,S8550)
-1000(M8550)
-1200(MMT8550)
-1500(SS8550)
-1800(GMA6801)
mAdc
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
PC
225
mW
Junction Temperature
結溫
Tj
150
℃
Storage Temperature Range
儲存溫度
Tstg
-55〜150
℃
■DEVICE
MARKING 打標
A=2TY.
S8550
50A
MMT8550=Y2
■HFE RANGE
HFE
2TY M8550=Y2.
S8550=
S85
50=2TY
SS8550=Y.2 GMA6801=6801
放大倍數分檔
(85 150), (1
(85〜150),
(1220〜2220)
0~400)
(200~300), (28
280~400)
-40
Unit
單位
-25(GMA6801)
-25
Vdc
Vdc
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Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM8550
CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
■ELECTRICAL
Characterstic
特性參數
Symbol
符號
Test Condition
測試條件
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
ICBO
VCB=-30V,IE=0
—
—
-0.1
μA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
IEBO
VEB=-5V,IC=0
—
—
-0.1
μA
IC=-100μA
-40
(-25)
—
—
V
(GMA6801)
-25
(-18)
—
—
V
V(BR)EBO
IE=-100μA
-5
—
—
V
HFE(1)
VCE=-1V,I C=-100mA
85
—
400
VCE=-1V,
IC=-1800mA(GMA6801)
50
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓
DC Current Gain
直流電流增益
V(BR)CBOO
V(BR)CEO
HFE(2)
(GMA6801)
IC=-10mA
Min.
Typ.
Max. Unit
最小值 典型值 最大值 單位
IC=-800mA
—
—
—
Ic=-500mA(S8550)
Ic=-500mA(S8550A)
40
40
30
VCE(sat)
IC=-500mA, IB=-50mA
—
—
-0.6
V
Base-Emitter Voltage
基極-發射極電壓
VBE
VCE=-1V,I C=-10mA
—
-0.8
-1.0
V
Transition Frequency
特徵頻率
fT
VCE=-5V,I C=-10mA
100
120
—
MHz
Collector Output Capacitance
輸出電容
Cob
VCB=-10V,IE=0,f=1MHz
—
13
30
pF
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
(SS8550,MMT8550,M8550)
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GM8550
■DIMENSION
外形封裝尺寸