NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 965 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C105BJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1050×1050µm 2 焊位尺寸：B 极 280×345µm 2；E 极 275×415µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SD965，HD965 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………0.75W VCBO——集电极—基极电压…………………………… 40V VCEO——集电极—发射极电压………………………… 20V VEBO——发射极—基极电压………………………………6V IC——集电极电流………………………………………… 5A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） 参数符号 符 号 说 明 BVCBO BVCEO BVEBO hFE 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极电压 直流电流增益 VCE(sat) fT Cob 集电极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 ICBO IEBO 最小值 典型值 最大值 50 50 40 20 6 300 150 150 950 0.35 150 50 单位 nA nA V V V 测 试 条 件 VCB=30V，IE=0 VEB=6V，IC=0 IC=1mA，IE=0 IC=1mA，IB=0 IE=10u A，IC=0 VCE=2V，IC=0.5A VCE=2V，IC=2A VCE=2V，IC=0.15A V IC=3A，IB=0.1A MHz VCB=6V，IE=50mA pF VCB=20V，IE=0，f=1MHz