NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 669A 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C117AJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1170×1170µm 2 焊位尺寸：B 极 272×192µm 2；E 极 226×298µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SD669A，HS669A，H669A █ 极限值（Ta=25℃）（TO-126、TO-126ML） Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）…………………… 20W PC——集电极功率耗散（TA=25℃）……………………1W VCBO——集电极—基极电压……………………………180V VCEO——集电极—发射极电压…………………………160V VEBO——发射极—基极电压………………………………5V IC——集电极电流……………………………………… 1.5A █ 电参数（Ta=25℃）（TO-126、TO-126ML） 参数符号 符 号 说 明 ICBO hFE 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat) VBE(on) fT Cob 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极电压 特征频率 共基极输出电容 BVCBO BVCEO BVEBO 最小值 典型值 最大值 180 160 5 10 300 60 30 1 1.5 140 14 单位 V V V µA 测 试 条 件 IC=1mA，IE=0 IC=10mA，IB=0 IE=1mA，IC=0 VCB=160V，IE=0 VCE=5V，IC=150mA VCE=5V，IC=500mA V IC=500mA，IB=50mA V VCE=5V，IC=150mA MHz VCE=5V，IC=150mA pF VCB=10V，IE=0，f=1MHz