MOSFET 50A 450～ 450～500V PD7M441H/440H PD7M441H P2H7M441H PD7M440H P2H7M440H P2H7M441H/440H 108.0 108.0 質量 Approximate Weight :220g 質量 Approximate Weight :220g ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Rating ドレイン・ソース間電圧 VDSS Drain-Source Voltage ゲート・ソース間電圧 Gate-Source Voltage ドレイン電流（連続） Duty=50% Continuous Drain Current D.C. パルスドレイン電流 Pulsed Drain Current 全損失 Total Power Dissipation 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 RMS Isolation Voltage 締付トルク Mounting 1 Torque 記 号 Symbol 単位 耐 圧・クラス Grade PD7M441H/P2H7M441H PD7M440H/P2H7M440H Unit 450 500 V VGS=0V VGSS ±20 V ID 50（Ｔc=25℃） 35（Ｔc=25℃） A IDM 100（Ｔc=25℃） A PD 350（Ｔc=25℃） W Tjw −40∼+150℃ ℃ Tstg −40∼+125℃ ℃ Viso Ftor 2000 端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min . 3.0（本体取付 Module Base to Heat sink） 2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals） V N・m ■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項 目 Characteristic ドレイン遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current ゲート・ソース間しきい値電圧 Gate-Source Threshold Voltage ゲート・ソース間漏れ電流 Gate-Source Leakage Current ドレイン・ソース間オン抵抗（MOSFET部） Static Drain-Source On-Resistance ドレイン・ソース間オン電圧 Drain-Source On-Voltage 順伝達コンダクタンス Forward Transconductance 入力容量 Input Capacitance 出力容量 Output Capacitance 帰還容量 Reverse Transfer Capacitance ターン・オン遅延時間 Turn-On Delay Time 上昇時間 Rise Time ターン・オン遅延時間 Turn-Off Delay Time 下降時間 Fall Time 記号 Symbol 条 件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit VDS＝VDSS, VGS＝0V ─ ─ 1 Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V ─ ─ 4 VDS＝VGS, ID＝1mA 2 3.1 4 V VGS＝±20V, VDS＝0V ─ ─ 1 μA rDS （on） VGS＝10V, ID＝25A ─ 110 120 mΩ VDS （on） VGS＝10V, ID＝25A ─ 3.2 3.4 V gfg VDS＝15V, ID＝25A ─ 45 ─ S ─ 9.0 ─ nF ─ 1.7 ─ nF Crss ─ 0.32 ─ nF t（on） d ─ 120 ─ ns ─ 80 ─ ns ─ 240 ─ ns ─ 50 ─ ns IDSS VGS （th） IGSS Ciss Coss tr t（off） d VGS＝0V VDS＝25V f＝1MHz VDD＝1/2VDSS ID＝25A VGS＝−5V, ＋10V RG＝7Ω tf mA ■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項 目 Characteristic ソース電流（連続） Continuous Source Current パルスソース電流 Pulsed Source Current ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time 逆回復電荷 Reverse Recovery Charge 記号 Symbol IS 条 件 Condition D. C. ISM VSD trr Qr IS＝50A IS＝50A −diS/dt＝100A/μs 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit ─ ─ 35 A ─ ─ 100 A ─ ─ 1.9 V ─ 100 ─ ns ─ 0.15 ─ μC ■熱抵抗特性 Thermal Characteristics 項 目 Characteristic 記号 Symbol 熱抵抗（接合部−ケース間） Thermal Resistance, Junction to Case Rth（j-c） 接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間） Thermal Resistance, Case to Heatsink Rth（c-f） 条 件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. MOSFET ─ ─ 0.36 Diode ─ ─ 2.0 サーマルコンパウンド塗布 Mounting surface flat, smooth, and greased ─ ─ 0.1 ─ 311 ─ 単位 Unit ℃/W ■定格・特性曲線 Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage TC=25℃ 250μs Pulse Test 10V 60 40 VGS=5V 20 4V 2 4 6 8 10 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) VGS=0V f=1kHz Ciss 9 6 Coss Crss 1 2 5 10 20 50 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) Fig. 7 Typical Switching Time Fig. 7 Vs. Drain Current SOURCE CURRENT IS (A) SWITCHING TIME t (ns) 200 td(on) 100 tr tf 50 10 8 4 1 2 5 10 20 DRAIN CURRENT ID (A) 50 100 Fig. 10 Maximum Safe Operating Area TC=25℃ Tj=150℃MAX Single Pulse Operation in this area is limited by RDS (on) 100 10μs 0 80 160 240 320 400 TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC) 160 2 1 0.5 toff ton Tj=125℃ Tj=25℃ 40 0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V) Fig. 11-1 Normalized Transient Thermal impedance(MOSFET) 100μs 20 2 5 10 20 50 100 SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ω ) 200 Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics 60 0 0.1 480 80 50 DRAIN CURRENT ID (A) 0 40 80 120 JUNCTION TEMPERATURE Tj ( ℃) ID=25A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test 10 250μs Pulse Test 200 10 0 -40 0.2 20 20 15A 4 5 100 td(off) 25A ID=35A 120 500 8 VDD= 100V 250V 400V Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward Fig. 8 Characteristics RG=7Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test 1000 12 Fig. 6 Typical Switching Time Fig. 6 Vs. Series Gate impedance 12 0 100 ID=50A 16 1ms IS=50A IS=25A Tj=150℃ 500 REVERSE RECOVERY TIME trr (ns) REVERSE CURRENT IR (A) 0 4 8 12 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 16 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) CAPACITANCE C (nF) 15 3 0 Fig. 5 Typical Gate Charge Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage 18 12 15A 2 0 12 Fig. 4 Typical Capacitance Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage 25A VGS=10V 250μs Pulse Test 16 SWITCHING TIME t (μs) 0 4 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] 0 ID=50A 6 200 trr 100 50 IR 20 10 5 1.8 0 100 200 300 400 -dis/dt (A/μs) 500 600 2 10 0 5 2 10 -1 Per Unit Base Rth(j-c)=0.36℃/W 1 Shot Pulse 5 2 10 -2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 10 0 10 1 5 2 10ms Fig. 11-2 Normalized Transient Thermal impedance(DIODE) 1 DC 0.5 0.2 1 2 −441H −440H 5 10 20 50 100 200 500 1000 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) ─ 312 ─ NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] DRAIN CURRENT ID (A) 6V TC=25℃ 250μs Pulse Test 8 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) 80 Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage Fig. 3 Vs. Junction Temperature DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) Fig. 1 Typical Output Characteristics 2 10 0 5 2 10 -1 Per Unit Base Rth(j-c)=2.0℃/W 1 Shot Pulse 5 2 10 -2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 10 0 10 1 Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ モ ジ ュ ー ル