IGBT 400 A 600 V ■回路図 CIRCUIT E PHMB400A6 ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING E （単位 Dimension：mm） C G ■最大定格 Maximum Ratings（TC＝25℃） 記号 Symbol 定 格 値 Rated Value 単位 Unit VCES 600 V VGES ±20 V DC IC 400 1ms ICP 800 PC 1470 W Tj −40∼＋150 ℃ Tstg −40∼＋125 ℃ Viso 2500 V （RMS） 項 目 Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コレクタ電流 Collector Current コレクタ損失 Collector Power Dissipation 接合温度 Junction Temperature Range 保存温度 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 （端子−ベース間，AC１分間） Isolation Voltage（Terminal to Base, AC１min.） ベース取付部 Module Base to Heatsink 締付トルク Mounting Torque 端子部 Busbar to Terminal A 3（30.6） Ftor M4 1.4（14.3） M6 3（30.6） N・m （kgf・cm） ■電気的特性 Electrical Characteristics（TC＝25℃） 項 目 Characteristic コレクタ遮断電流 Collector-Emitter Cut-Off Current ゲート漏れ電流 Gate-Emitter Leakage Current コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入力容量 Input Capacitance 上昇時間 Rise Time ターン・オン時間 スイッチング時間 Turn-On Time Switching Time 下降時間 Fall Time ターン・オフ時間 Turn-Off Time 記号 Symbol 条 件 Test Conditions 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. 単位 Unit ICES VCE＝600V, VGE＝0V ─ ─ 4.0 mA IGES VGE＝±20V, VCE＝0V ─ ─ 1.0 μA VCE（sat） IC＝400A, VGE＝15V ─ 2.1 2.6 V VGE （th） VCE＝5V, IC＝400mA 4.0 ─ 8.0 V VCE＝10V, VGE＝0V, f＝1MHz ─ 40000 ─ pF ─ 0.25 0.45 ─ 0.45 0.85 ─ 0.2 0.35 ─ 0.6 0.8 Cies tr ton tf VCC＝300V RL＝0.75Ω RG＝1.6Ω VGE＝±15V toff ─ 349 ─ μs ■フリーホイーリングダイオードの特性 Free Wheeling Diode Ratings & Characteristics（TC＝25℃） 項 目 Item 順電流 Forward Current 記号 Symbol 定 格 値 Rated Value DC IF 400 1ms IFM 800 項 目 Characteristic 記号 Symbol 順電圧 Peak Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time 条 件 Test Conditions 単位 Unit A 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. 単位 Unit VF IF＝400A, VGE＝0V ─ 1.9 2.4 V trr IF＝400A, VGE＝−10V di/dt＝400A/μs ─ 0.15 0.25 μs 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. 単位 Unit ─ ─ 0.085 ─ ─ 0.20 ■熱的特性 Thermal Characteristics 項 目 Characteristic 熱抵抗 Thermal Impedance 記号 Symbol IGBT Diode Rth （j-c） 条 件 Test Conditions 接合部−ケース間 Junction to Case ℃/W Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ モ ジ ュ ー ル ─ 350 ─ ■定格・特性曲線 Fig. 1 Output Characteristics（Typical） Fig. 2 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage（Typical） Fig. 3 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage（Typical） Fig. 4 Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage（Typical） Fig. 5 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage（Typical） Fig. 6 Collector Current vs. Switching Time（Typical） Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time（Typical） Fig. 8 Forward Characteristics of Free Wheeling Diode（Typical） ─ 351 ─ Fig. 9 Reverse Recovery Capacitance （Typical） Fig. 10 Reverse Bias Safe Operating Area Fig. 11 Transient Thermal Impedance Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ モ ジ ュ ー ル ─ 352 ─