PowerMOSFET ■外観図 F60W60CP OUTLI NE Package：MTO3P 16 ロット記号 （例） Date code 600V60A t ：mm Uni 5 ④ 特 長 品名 Type No. 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング 0000 21 管理番号 （例） Control No. 60W60CP Feat ur e 20 煙LowRON 煙Fas tSwi t chi ng ① ② ①: G ②:D ③: S ④:D ③ 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert o ourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or a geT e mpe r a t ur e チャネル温度 Cha nne l T e mpe r a t ur e ドレイン・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ゲート・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ドレイン電流（直流） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( DC) ドレイン電流（ピーク） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( Pe a k ) ソース電流（直流） Cont i nuousSour c eCur r e nt( DC) 全損失 T ot a l Powe rDi s s i pa t i on 締め付けトルク Mount i ngT or que ●電気的・熱的特性 項 条 件 Condi t i ons ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr a i nSour c eBr e a k downV ol t a ge ドレイン遮断電流 Ze r oGa t eV ol t a geDr a i nCur r e nt ゲート漏れ電流 Ga t e Sour c eLe a k a geCur r e nt 順伝達コンダクタンス F or wa r dT r a ns c onduc t a nc e ドレイン・ソース間オン抵抗 St at i cDr ai nSour ceOns t at eRes i s t ance ゲートしきい値電圧 Ga t eThr e s s hol dV ol t a ge ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Sour c e Dr a i nDi odeF or wa deV ol t a ge 熱抵抗 The r ma l Re s i s t a nc e ゲート全電荷量 T ot a l Ga t eCha r ge 入力容量 I nputCa pa c i t a nc e 帰還容量 Re v e r s eT r a ns f e rCa pa c i t a nc e 出力容量 Out putCa pa c i t a nc e ターンオン遅延時間 T ur nonde l a yt i me 上昇時間 Ri s et i me ターンオフ遅延時間 T ur nof fde l a yt i me 下降時間 F a l l t i me 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 5 0 Tc h 1 5 0 VDSS 6 0 0 VGSS ±3 0 I D I DP V 1 8 0 I S A 6 0 PT TOR ℃ 6 0 パルス幅 10 μs ,dut y=1/ 100 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 1 4 0 W 0 . 8 N・m 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 単位 Uni t （推奨値：0. 5N ・m） ( Re c omme nde dt or que: 0. 5N ・m) El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 目 I t em Tc＝2 5 ℃） 記号 Sy mbol Tc＝ 2 5 ℃） 条 件 Condi t i ons V mA, VGS＝0 V （BR） DSS I D＝1 6 0 0 ─ ─ I DSS VDS＝6 0 0 V, VGS＝0 V ─ ─ 2 5 I GSS VGS＝ ±3 0 V, VDS＝0 V ─ ─ ±0 . 1 gf s I 0 A, VDS＝1 0 V D＝ 3 2 0 4 9 ─ R 0 A, VGS＝1 0 V （DS） ON I D＝ 3 ─ 0 . 0 4 0 0 . 0 4 5 V μA S Ω VTH I mA, VDS＝1 0 V D＝ 3 2 . 5 3 . 0 3 . 5 VSD I 0 A, VGS＝0 V S＝ 3 ─ ─ 1 . 5 θj c 接合部・ケース間 J unc t i ont oc a s e ─ ─ 0 . 8 9 ℃/ W Qg VGS＝1 0 V, I 0 A, VDD＝4 0 0 V D＝6 ─ 1 4 6 Ci s s ─ 6 8 0 0 ─ Cr s s VDS＝ 1 0 0 V, VGS＝0 V, f ＝1 MHz ─ 1 ─ ─ Co s s ─ 3 2 0 ─ t d （o n） ─ 1 0 5 ─ t r I 0 A, VDD＝1 5 0 V, RL＝5 Ω D＝ 3 0 V, VGS V （＋）＝ 1 （－）＝0 t d （o f f ） VGS ─ 1 6 5 ─ ─ 4 9 0 ─ ─ 1 5 0 ─ t f V nC pF ns ※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、0 . 2 9 〔℃/ W〕を御使用下さい。但し、上記印加電流、電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。 TheJ unc t i onTemper at ur ei sc al c ul at edf r om t hec as et emper at ur e, t her malr es i s t anc eval ueus es0. 29℃/W. Us ei nt heSaf eOper at i ngAr eaf ori nputc ur r entandvol t age. 06〉） （MOSFET 〈2010. www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / F60W60CP ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流 伝達特性 Typical Output Characteristics Transfer Characteristics １２０ １０Ｖ ８Ｖ １００ ６Ｖ ８０ Pulse measurement ６０ ４０ Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current Ｔｃ=−５５℃ ２５℃ １００℃ １００ Tc=25℃ TYP Drain Current ID〔A〕 Drain Current ID〔A〕 １２０ ５Ｖ ２０ １５０℃ ８０ ６０ VDS=20V TYP ２０ ２ ４ ６ Pulse measurement ０ ０ １０ ８ Drain Source Voltage VDS〔V〕 ５ １０ １５ ２０ Gate Source Voltage VGS〔V〕 ゲートしきい値電圧─ケース温度 Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case Temperature ０． ２ ０． １ ０． ０５ ID=３ =３０A ０A ０． ０２ ０． ０１ ０． ００５ ０． ００２ −５５ ０ ５０ VGS＝10V Pulse test TYP １００ １５０ Pulse measurement ３ ２ １ ０ ０２ . ０１ . ０． ０１ １ ０ ２ ５ １０ ２０ ５０ Drain Current ID〔A〕 ５００ １８０ １２０ １００ ６０ ５０ １００ Case Temperature Tc〔℃〕 ２０ on） RDS（on） １０ Restricted space 10μs 100μs 200μs １ 1ms 10ms DC Tc＝２５℃ Single pulse ０． １ １ １５０ １０ １００ 全損失減少率─ケース温度 Capacitance Characteristics Power Derating - Case Temperature ０.０１ １０-２ １０-１ Time t〔s〕 １００ １０１ １０２ ８０ Power Derating〔%〕 ０.１ １０-３ Ｃｉ ｓ ｓ １００００ θjc θjc ０.００１ -５ １０ １０-４ １００ １０００００ Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕 Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕 キャパシタンス特性 Transient Thermal Impedance １ １０００ Ｃoｓ ｓ １００ １０ ６００１０００ Drain Source Voltage VDS〔V〕 過渡熱抵抗 １０ １００ １５０ Safe Operating Area VDS＝１０V ID=３mA TYP −５５ ０５ . 安全動作領域 ４ Case Ｔemperature Tc〔℃〕 VGS＝１０V Tc＝２５℃ TYP Pulse measurement ０． ０２ Drain Current ID〔A〕 ０． ５ ０． ００１ ５ Pulse measurement Gate Threshold Voltage ＶTH〔Ｖ〕 Static Drain-Source On-static Resistance RDS（ON）〔Ω〕 ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度 １ １ ０． ０５ ４０ VＧS ＧS=４Ｖ ０ ０ Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕 出力特性 Ｃrｓ ｓ ６０ ４０ ２０ １ f＝１MHz Tc＝２５℃ TYP ０.１ ０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕 ６００ ０ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ ゲートチャージ特性 Drain Source Voltage VDS〔V〕 ５００ ４００ ID=６０A TYP ２０ VDS Gate Source Voltage VGS〔V〕 Gate Charge Characteristics １５ VDD=４ =４００Ｖ ２００Ｖ １００Ｖ ３００ VＧS ＧS １０ ２００ ５ １００ ０ ０ ５０ １００ １５０ ２００ Total Gate Charge Qg〔nC〕 ０ ２５０ ＊Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 ＊50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 06〉） （MOSFET 〈2010.