Schot t kyBar r i erDi ode T wi n ■外観図 S60JC10V OUTLI NE Package：MTO3PV t ：mm Uni 5 16 100V60A ロット記号 （例） Date code ④ 特 長 煙低 VF 煙高耐圧 煙低 I R 煙低ノイズ 煙高速スイッチング 品名略号 Type No. 極性 Polarity Feat ur e 0000 21 （例） 管理番号 Control No. S60JC10V 20 煙LowVF 煙LowNoi s e ghRecov er ySpeed 煙Hi ghVol t age 煙Hi 煙LowI R ① ② ③ ① ②④ ③ 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert o ourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or ageTemper at ur e 接合部温度 Oper at i onJ unct i onTemper at ur e せん頭逆電圧 Maxi mum Rev er s eVol t age 締め付けトルク Mount i ngTor que ●電気的・熱的特性 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 5 0 ℃ Tj 1 5 0 ℃ 1 0 0 V 6 0 A 5 0 0 A 0 . 8 N・m VRM 出力電流 Av er ageRect i f i edFor war dCur r ent せん頭サージ順電流 PeakSur geFor war dCur r ent Tc＝2 5 ℃） I o I FSM TOR 5 0 Hz正弦波，抵抗負荷，1素子当りの出力電流平均値I o / 2 , Tc＝1 1 8 ℃ 50Hzsi newave,Resi st ancel oad,Rat i ngf oreachdi odeI o/ 2,Tc=118˚ C 5 0 Hz正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj ＝2 5 ℃ 50Hzs i newav e,Nonr epet i t i v e1cy cl epeakv al ue,Tj =25˚ C （推奨値：0 . 5N・m） ( Recommendedt or que: 0. 5N ・m) El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 Tc＝2 5 ℃） 順電圧 For war dVol t age VF I 0A, F＝3 逆電流 Rev er s eCur r ent I R 1素子当りの規格値 VR＝ 1 0 0V, パルス測定， Pul s emeas ur ement ,Perdi ode MAX 0 . 2 mA 1素子当りの規格値 Perdi ode TYP 6 9 5 pF MAX 0 . 5 ℃/ W 接合容量 J unct i onCapaci t ance 熱抵抗 Ther malRes i s t ance 533P 06〉） （J 〈2010. Cj θj c パルス測定，1素子当りの規格値 Pul s emeas ur ement ,Perdi ode f ＝1 MHz , VR＝1 0 V, 接合部・ケース間 J unct i ont ocas e www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / MAX 0 . 9 5 V S60JC10V ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ順電流耐量 Forward Voltage Forward Power Dissipation Peak Surge Forward Current Capability ２０ １０ ５ Tc＝１５０℃ （MAX） Tc＝１５０℃ （TYP） Tc＝ ２５℃ （MAX） Tc＝ ２５℃ （TYP） ２ １ ０５ . Pulse measurement Per diode ０２ . ０１ . ０ ０． ５ １ １． ５ ０ ８０ D＝tp/T D＝０． ８ ６０ ０． ２ ０． ０５ ０． ３ SIN DC Sine wave ６００ １０ms １０ms １cycle ５００ ０． ５ Non-repetitive Tj＝２５℃ ４００ ０． １ ３００ ２００ ２０ １００ ０ ０ ２ Forward Voltage VF〔V〕 tp T Tj＝１５０℃ ４０ ７００ IO IFSM Forward Power Dissipation PF〔W〕 Forward Current IF〔A〕 ５０ Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 １００ １００ ２０ ４０ ６０ ０ １ １００ ８０ ２ Average Rectified Forward Current IO〔A〕 ５ 逆方向特性 逆電力損失曲線 接合容量 Reverse Current Reverse Power Dissipation Junction Capacitance １００ Tc＝１５０℃ （TYP） Tc＝１２５℃ （TYP） １０ Tc＝１００℃ （TYP） １ Tc＝ ７５℃ （TYP） ０． １ Tc＝ ５０℃ （TYP） ０． ０１ Tc＝ ２５℃ （TYP） ０． ００１ Pulse measurement Per diode ０． ０００１ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ Reverse Voltage VR〔V〕 ディレーティングカーブ Tc-Io Derating Curve Tc-Io Average Rectified Forward Current IO〔A〕 tp １００ DC ６０ ５０ １００００ VR tp T Tj＝１５０℃ DC D＝０． ０５ ０． １ D＝tp/T ０． ２ ３０ ０． ５ ２０ SIN ０． ８ １０ ５０ １００ f＝１MHz Tc＝２５℃ TYP Per diode ５０００ ２０００ １０００ ０． ３ ４０ ０ ０ ２０ ５００ ２００ １００ ５０ ２０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ Reverse Voltage VR〔V〕 １０ ０． １ ０． ２ ０． ５ １ ２ ５ １０ ２０ ５０ １００ Reverse Voltage VR〔V〕 IO ０ ０ １２０ ０ Junction Capacitance Cj〔pF〕 ７０ Reverse Power Dissipation PR〔W〕 Reverse Current IR〔mA〕 １０００ １０ Number of Cycles 〔cycle〕 T VR VR＝５０V D＝tp/T D＝０． ８ ８０ ６０ ４０ ２０ ０． ５ SIN ０． ３ ０． ２ ０． １ ０． ０５ ０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０ １６０ Case Temperature Tc 〔℃〕 ＊Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 ＊50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 533P 06〉） （J 〈2010.