BAW56W BAW56W Fast Switching Surface Mount Si-Planar Double Diodes Schnelle Si-Planar Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-03-29 Power dissipation Verlustleistung 2 ±0.1 0.3 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 1±0.1 1 2.1 1.25±0.1 ±0.1 3 Type Code 200 mW 75 V Plastic case Kunststoffgehäuse 2 SOT-323 Weight approx. – Gewicht ca. 1.3 0.01 g Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode BAW56 Power dissipation – Verlustleistung ) Ptot 200 mW 2) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom IFAV 150 mA 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 450 mA 2) IFSM IFSM IFSM 0.5 A 1A 2A VRRM 75 V Tj TS -55…+150°C -55…+150°C 1 tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current 3) Sperrstrom 1 2 3 IF IF IF IF = = = = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF VF VF VF < 715 mV < 855 mV < 1.00 V < 1.25 V Tj = 25°C VR = VRRM IR < 2.5 µA Tj = 150°C VR = 25 V VR = VRRM IR IR < 30 µA < 50 µA Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAW56W Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 2 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 4 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA Outline – Gehäuse 3 1 < 620 K/W 1) Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung Dual diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode BAW56W = KJC 1 = C1 2 120 2 = C2 3 = A1/A2 1 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C 60 10-2 40 Tj = 25°C -3 10 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG