BYZ50A22 ... BYZ50A47, BYZ50K22 ... BYZ50K47 BYZ50A22 ... BYZ50A47, BYZ50K22 ... BYZ50K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2006-04-27 Nominal Current Nennstrom Ø 12.75 Ø 11 ±0.1 50 A 10.7 5 ±0.2 ±0.2 1.3 28.5 min Rändel 0.8 knurl 0.8 Nominal breakdown voltage Nominale Abbruchspannung Ø 13±01 Dimensions - Maße [mm] 22 ... 47 V Metal press-fit case with plastic cover Metall-Einpressgehäuse mit Plastik-Abdeckung Weight approx. Gewicht ca. 10 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton Maximum ratings Type / Typ Wire to / Draht an Grenzwerte Breakdown voltage Abbruchspannung IT = 100 mA Max. clamping voltage Max. Begrenzerspanng. at / bei Ipp, tp = 1 ms Reverse voltage Sperrspannung IR = 5 µA Anode Cathode VBRmin [V] VBRmax [V] VR [V] VC [V] Ipp [A] BYZ50A22 BYZ50K22 19.8 24.2 > 17.8 31.9 235 BYZ50A27 BYZ50K27 24.3 29.7 > 21.8 39.1 192 BYZ50A33 BYZ50K33 29.7 36.3 > 26.8 47.7 157 BYZ50A39 BYZ50K39 35.1 42.9 > 31.6 56.4 133 BYZ50A47 BYZ50K47 42.3 51.7 > 38.1 67.8 111 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 150°C IFAV 50 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 400/450 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 800 A2s Tj TS -50...+215°C -50...+215°C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Max. junction temperature in case of “Load-Dump“ Max. Sperrschichttemperatur bei “Load-Dump“ 1 Tjmax +280°C Max. case temperature TC = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BYZ50A22 ... BYZ50A47, BYZ50K22 ... BYZ50K47 Characteristics Kennwerte Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 50 A VF < 1.1 V Thermal Resistance Junction – Case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC Maximum pressing force Maximaler Einpressdruck Fpmax 120 < 0.6 K/W 7 kN 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 2 10 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 400a-(50a-1,1v) -1 10 0 100 TC 50 150 200 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 0.4 VF 0.8 1.0 1.4 1.2 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 103 [A] 102 îF 10 1 © Diotec Semiconductor AG 2 3 10 10 [n] 10 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz http://www.diotec.com/ 2