DIOTEC DB4

DB 3, DB 4
Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC)
Bidirektionale Si-Trigger-Dioden (DIAC)
Breakover voltage
Durchbruchsspannung
28 ... 45 V
Peak pulse current
Max. Triggerimpuls
±2A
Glass case
Glasgehäuse
DO-35
SOD-27
Weight approx.
Gewicht ca.
Dimensions / Maße in mm
0.13 g
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
see page 16
siehe Seite 16
Grenzwerte
Power dissipation – Verlustleistung
TA = 50 /C
Ptot
150 mW 1)
Peak pulse current (120 pulse repetition rate)
Max. Triggerstrom (120 Impulse)
tP # 10 :s
IPM
± 2 A 1)
Tj
TS
– 40…+100/C
– 40…+150/C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics
Breakover voltage
Durchbruchspannung
Kennwerte
dV/dt = 10V/:s
DB 3
DB 4
VBO
VBO
28 ... 36 V
35 ... 45 V
Breakover current – Durchbruchstrom
V = 98 % VBO
IBO
< 200 :A
Asymmetry of breakover voltage
Unsymmetrie der Durchbruchspannug
*V(BO)F - V(BO)R*
)VBO
< 3.8 V
Foldback voltage – Spannungs-Rücksprung
)I = IBO to/auf IF = 10 mA
dV/dt = 10V/:s
)VF/R
>5V
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
RthA
< 60 K/W 1)
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
420
01.10.2002
DB 3, DB 4
Typical characteristic of a DIAC – Typische DIAC-Kennlinie
Test circuit for a thyristor trigger – Meßschaltung für Thyristor-Zündschaltung
01.10.2002
421