NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 128M 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C060AJ-02 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：600×600µm 2 焊位尺寸：B 极 130×150µm 2；E 极 140×130µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：STC128M，H128M █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92S） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率………………………………400mW VCBO——集电极—基极电压………………………………20V VCEO——集电极—发射极电压……………………………15V V EBO——发射极—基极电压……………………………6.5V IC——集电极电流…………………………………………1.5A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92S） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat） fT Cob RON 符 号 说 明 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 通态电阻 最小值 典型值 最大值 20 15 6.5 0.1 0.1 150 0.2 260 5 0.6 0.3 单位 V V V µA µA 测 试 条 件 IC=50µA，IE=0 IC=1mA，IB=0 IE=50µA，IC=0 VCB=20V，IE=0 VEB=6V，IC=0 VCE=1V，IC=100mA V IC=500mA，IB=50mA MHz VCE=5V，IC=50mA Pf VCB=10V，IE=0，f=1MHz Ω VIN=0.3V，IB=1mA， f=1KHz